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公开(公告)号：KR100712170B1
公开(公告)日：2007-04-27
申请号：KR1020047009493
申请日：2003-02-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/22
CPC classification number: H01L21/67109
Abstract: 열 처리 장치(50)는 처리 용기(56) 및 히터(100)를 덮는 냉각통을 갖는다. 냉각통은 통형의 베이스 부재(110)와, 그 외주면에 나선형으로 권취된 냉각 파이프(112)를 갖는다. 냉각 파이프(112)는 베이스 부재(110)에 납땜되어 있다.
열 처리 장치, 처리 용기, 히터, 베이스 부재, 냉각 파이프, 웨이퍼 보트-
公开(公告)号：KR100880966B1
公开(公告)日：2009-02-03
申请号：KR1020057001068
申请日：2002-09-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/324 , H01L21/205
Abstract: 본 발명의 열처리 장치는 피처리체를 수용하기 위한 반응실과, 상기 반응실을 둘러싸도록 설치된 단열체와, 상기 단열체에 마련된 복수의 구멍과, 상기 복수의 구멍의 내부에 각각 설치된 복수의 환형의 스페이서 부재와, 상기 복수의 환형 스페이서 부재 내에 각각 삽입된 복수의 히터 요소를 구비한다.
열처리 장치, 반응실, 단열체, 스페이서 부재, 히터 요소-
公开(公告)号：KR101005384B1
公开(公告)日：2010-12-30
申请号：KR1020057004927
申请日：2003-08-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/22
CPC classification number: H01L21/67109
Abstract: 본 발명은 상단부에 개구부를 갖는 가열로 본체와, 상기 가열로 본체의 내부에 수용된 단일의 관으로 이루어지는 반응관과, 상기 반응관의 상부에 협경 형상으로 형성된 배기 수단 접속부와, 상기 가열로 본체의 내부에 수용된 피처리 기판을 지지하기 위한 피처리 기판 지지 부재와, 상기 피처리 기판 지지 부재에 의해 지지되는 피처리 기판을 가열하기 위한 가열 수단을 구비한 열처리 장치이다. 상기 가열 수단은 상기 반응관의 주위에 배치된 제1 가열부와, 상기 배기 수단 접속부의 주위에 배치된 제2 가열부와, 상기 반응관의 상방부의 주위에 배치된 제3 가열부와, 상기 반응관의 하방부의 주위에 배치된 제4 가열부와, 상기 피처리 기판 지지 부재의 하부에 배치된 제5 가열부를 갖고 있다.
가열로 본체, 반응관, 피처리 기판 지지 부재, 열처리 장치Abstract translation: 本发明涉及一种加热炉，该加热炉包括：在其上端具有开口的加热炉体;反应管，该反应管包括容纳在炉体中的单个管;排气装置连接部分，其在反应管的上部形成为窄的形状; 以及加热装置，用于加热由基板支撑构件支撑的待加工基板。 加热装置包括设置在反应管周围的第一加热部分，设置在排气装置连接部分周围的第二加热部分，设置在反应管上部周围的第三加热部分， 设置在反应管的下部周围的第四加热部分和设置在目标基板支撑部件下方的第五加热部分。
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公开(公告)号：KR100910292B1
公开(公告)日：2009-08-03
申请号：KR1020047009507
申请日：2002-11-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/324 , H01L21/28 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67109
Abstract: 본 발명은 통형의 처리 용기와, 복수의 피처리체를 다단으로 보유 지지하는 동시에, 상기 처리 용기 내에 삽입 분리 가능한 피처리체 보유 지지 수단과, 상기 처리 용기 내로 소정의 처리 가스를 도입하는 처리 가스 도입 수단과, 상기 처리 용기의 내부에 설치되어 상기 피처리체 보유 지지 수단이 상기 처리 용기 내에 삽입되어 있을 때에 상기 피처리체 보유 지지 수단이 보유 지지하는 복수의 피처리체를 가열하는 가열 수단과, 상기 처리 용기의 외벽면을 냉각하는 용기 냉각 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 열 처리 장치이다.
반도체 웨이퍼, 냉각 파이프, 냉매 통로, 개폐 밸브, 히터 막대, 매니폴드-
公开(公告)号：KR1020050051666A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：KR1020057004927
申请日：2003-08-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/22
CPC classification number: H01L21/67109
Abstract: A heat treatment apparatus comprises a heating furnace main body having an opening portion in the upper end, a reaction tube formed of a single tube received inside the heating furnace main body, gas exhaust means connection portion shaped in a reduced diameter form at the upper portion of the reaction tube, a to-be- processed substrate support member for supporting a substrate to be processed, and heating means for heating a substrate to be processed supported by the to-be-processed substrate support member. The heating means has first heating portions arranged around the reaction tube, second heating portions arranged around the gas exhaust means connection portion, third heating portion circumferentially arranged above the reaction tube, fourth heating portions circumferentially arranged below the lower portion of the reaction tube, and a fifth heating portion provided under the to-be-processed substrate support member.
Abstract translation: 一种热处理装置包括：加热炉主体，其上端具有开口部;反应管由容纳在加热炉主体内部的单个管形成;排气装置连接部，其在上部形成为直径减小的形状 的反应管，用于支撑被处理基板的待处理基板支撑部件，以及用于加热待处理基板支撑部件支撑的被处理基板的加热装置。 加热装置具有设置在反应管周围的第一加热部，配置在排气装置连接部周围的第二加热部，周向配置在反应管上方的第三加热部，周向配置在反应管下部的第四加热部， 设置在被处理基板支撑构件下方的第五加热部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020050086404A
公开(公告)日：2005-08-30
申请号：KR1020057001068
申请日：2002-09-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/324 , H01L21/205
Abstract: A heat-treating apparatus comprising a reaction chamber accommodating an object to be treated, a heat-insulating body surrounding the reaction chamber, holes defined in the heat- insulating body, annular spacer members provided in the holes, and heater elements inserted in the annular spacer members.
Abstract translation: 一种热处理装置，包括容纳待处理物体的反应室，围绕反应室的绝热体，隔热体中限定的孔，设置在孔中的环状间隔部件，以及插入到环状部 间隔件。
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公开(公告)号：KR1020050031058A
公开(公告)日：2005-04-01
申请号：KR1020047004687
申请日：2002-09-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67109 , H01L21/67098
Abstract: A thermal treatment apparatus, characterized by comprising a heating furnace body having an opening part provided at the upper end thereof, a heating means installed on the inner wall of the heating furnace body, a reaction container formed of a single tube stored inside the heating furnace body, an exhaust pipe connection part formed at the upper part of the reaction container, and a first temperature control means installed on the peripheral surface of the exhaust pipe connection part.
Abstract translation: 一种热处理装置，其特征在于，包括：加热炉体，其具有设置在其上端的开口部;加热装置，其安装在所述加热炉体的内壁;反应容器，由容纳在所述加热炉内的单管形成的反应容器 形成在反应容器的上部的排气管连接部以及安装在排气管连接部的周面的第一温度控制装置。
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公开(公告)号：KR1020040083069A
公开(公告)日：2004-09-30
申请号：KR1020047009507
申请日：2002-11-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/324 , H01L21/28 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67109
Abstract: 본 발명은 통형의 처리 용기와, 복수의 피처리체를 다단으로 보유 지지하는 동시에, 상기 처리 용기 내에 삽입 분리 가능한 피처리체 보유 지지 수단과, 상기 처리 용기 내로 소정의 처리 가스를 도입하는 처리 가스 도입 수단과, 상기 처리 용기의 내부에 설치되어 상기 피처리체 보유 지지 수단이 상기 처리 용기 내에 삽입되어 있을 때에 상기 피처리체 보유 지지 수단이 보유 지지하는 복수의 피처리체를 가열하는 가열 수단과, 상기 처리 용기의 외벽면을 냉각하는 용기 냉각 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 열 처리 장치이다.
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公开(公告)号：KR1020040091613A
公开(公告)日：2004-10-28
申请号：KR1020047009493
申请日：2003-02-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/22
CPC classification number: H01L21/67109
Abstract: 열 처리 장치(50)는 처리 용기(56) 및 히터(100)를 덮는 냉각통을 갖는다. 냉각통은 통형의 베이스 부재(110)와, 그 외주면에 나선형으로 권취된 냉각 파이프(112)를 갖는다. 냉각 파이프(112)는 베이스 부재(110)에 납땜되어 있다.
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公开(公告)号：KR1020030078936A
公开(公告)日：2003-10-08
申请号：KR1020037011125
申请日：2002-03-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C23C16/46
Abstract: 열처리 장치의 처리 용기(1) 내에 배치되는 열전대(42)의 표면에 반사 방지 막(50)을 설치하고, 열전대(42)의 과도적 응답 특성을 개선한다. 전형적인 실시예에 있어서는, 열전대(42)는 백금 소선(43A) 및 백금 로듐 합금 소선(43B)을 결합하여 구성되고, 반사 방지막(50)은 실리콘 니트라이드층(50C), 실리콘층(50B) 및 실리콘 니트라이드층(50A)을 차례로 적층하여 구성된다.
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