公开(公告)号：KR1020110107290A

公开(公告)日：2011-09-30

申请号：KR1020110025823

申请日：2011-03-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시무라아키히로 ,  사토데츠지 ,  호리구치마사토 ,  와다노부히로 ,  고바야시마코토 ,  츠지모토히로시 ,  다무라준 ,  나오이마모루

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32 ,  H01L21/02 ,  C23C16/455 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32568 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/45565 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/0234 ,  H05H1/46

Abstract: 본 발명은 이동 전극과 통형상 용기의 한쪽의 단부벽 사이의 공간에서의 플라즈마의 발생을 억제할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다.
기판 처리 장치(10)는, 웨이퍼(W)를 수용하는 통형상의 챔버(11)와, 상기 챔버(11) 내에서 챔버(11)의 중심축을 따라 이동 가능한 샤워 헤드(23)와, 챔버(11) 내에서 샤워 헤드(23)에 대향하는 서셉터(12)와, 샤워 헤드(23) 및 챔버(11)의 덮개(14)를 접속하는 신축 가능한 벨로우즈(31)를 구비하고, 샤워 헤드(23) 및 서셉터(12) 사이에 존재하는 처리 공간(PS)에 고주파 전력이 인가되며 처리 가스가 도입되고, 샤워 헤드(23) 및 챔버(11)의 측벽(13)은 비접촉이며, 샤워 헤드(23) 및 챔버(11)의 덮개(14) 또는 측벽(13)을 전기적으로 접속하는 바이패스 부재(35)가 설치된다.

公开(公告)号：KR101061657B1

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：KR1020090014392

申请日：2009-02-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토데츠지 ,  요시무라아키히로

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32633 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32623

Abstract: 본 발명은 플라즈마 리크를 방지하고 배플판의 컨덕턴스를 개선할 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 플라즈마 처리 장치는 피처리 기판 W가 반입 및 반출되는 처리 용기(1)와, 처리 용기(1)내에 마련되고 피처리 기판 W가 탑재되는 탑재대(2)와, 처리 용기(1)내에 처리 가스를 도입하기 위한 유입구(17a)와, 처리 용기(1)내의 처리 가스를 여기하고, 플라즈마를 발생시키는 고주파 전원(13)과, 처리 용기(1)내의 처리 가스를 배기하기 위한 배기구(8)와, 처리 가스가 통과하는 개구를 갖는 동시에, 처리 용기(1)의 내부를 플라즈마 처리 공간(1b)과 배기 공간(1c)으로 구획하는 배플판(7)을 구비한다. 배플판(7)의 개구는 복수개의 슬릿이 연결된 1개의 슬릿(26)만으로 이루어진다. 복수개의 슬릿을 연결해서 1개의 슬릿(26)으로 함으로써, 동일한 개구 면적이라도 배플판(7)의 컨덕턴스를 개선할 수 있다.

Abstract translation: 本发明提供一种等离子体处理装置，其能够防止等离子体泄漏并改善挡板的导电性。 等离子体处理装置具有：搬入搬出对象基板W的处理容器1;设置在安装有被处理基板W的处理容器1内的载置台2; 通过激励处理室1中的处理气体来产生等离子体的高频电源13以及处理室1中的用于排出处理气体的排气口8 并且，具有供处理气体通过的开口的挡板7，将处理容器1的内部划分为等离子体处理空间1b和排气空间1c。 挡板7的开口仅由一个狭缝26构成，多个狭缝连接到狭缝26。 通过连接多个狭缝形成一个狭缝26，即使在相同的开口面积下，挡板7的导电性也可以提高。

公开(公告)号：KR101826987B1

公开(公告)日：2018-02-07

申请号：KR1020100114054

申请日：2010-11-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토데츠지 ,  기타자와다카시 ,  요시무라아키히로

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/6831

Abstract: 부품점수및 조립공정수의증가를수반하지않고, 플라즈마의진입에기인하는, 접착제층의소모및 베이스부표면에있어서의이상방전에의한손상을방지할수 있는기판처리장치의기판탑재대를제공한다. 원판형상의베이스부(41)와, 베이스부(41)의상부평면에접착제층(42)에의해접착되고, 웨이퍼(W)를탑재하는원판형상의정전척(23)과, 그주위에배치되고웨이퍼(W)를둘러싸는동시에베이스부(41)의상부평면(41b)의외주부를덮는원환형상의포커스링(25)을갖고, 정전척(23)은상부원판부(23b)와이 상부원판부(23a)보다도직경이큰 하부원판부(23a)를갖는 2단구조를띠고있고, 하부원판부(23a)는베이스부(41)의오목부(41a)에끼워맞춰지고오목부(41)의바닥부평면에접착제층(42)에의해접착되어있으며, 끼워맞춤부가포커스링(25)으로덮여있다.

Abstract translation: 而不会引起零件和增加的组装工序数的数量，并提供了一种基板处理装置，其能够防止因消耗异常放电和粘合剂层的基体部分的表面损伤，由于等离子体中的渗透的基板载置台。 通过粘合剂层42粘附到基部41的上平坦表面并且其上安装晶片W的盘形静电卡盘23， 以及围绕晶片W并覆盖基部41的上平坦表面41b的外周部分的环形聚焦环25.静电吸盘23设置有包层部件板部分23b， 具有直径大于下圆盘部分23a和下圆盘部分23a直径的下圆盘部分23a的台阶结构被装配在基座部分41的凹进部分41a中， 通过粘合层（42）粘附在底部平坦表面上，并且配合部分被聚焦环（25）覆盖。

公开(公告)号：KR1020090090285A

公开(公告)日：2009-08-25

申请号：KR1020090014392

申请日：2009-02-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토데츠지 ,  요시무라아키히로

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32633 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32623

Abstract: A plasma processing apparatus and method, and a baffle plate of the plasma processing apparatus are provided to enable a gas particle to pass a slit easily since a wall between a plurality of holes are removed. In a plasma processing apparatus and method, and a baffle plate of the plasma processing apparatus, a processing container(1) receives and returns a substrate to be processed. A mounting unit(2) mounts the substrate to be processed, and an inlet port(17a) induces a process gas inside the processing container. A radio frequency power generates plasma, and an exhaust pipe exhausts the process gas within the processing container. The inside of the processing container is divided into a plasma processing space(1b) and an exhaust space(1c).

Abstract translation: 提供等离子体处理装置和方法以及等离子体处理装置的挡板，以使气体粒子容易地通过狭缝，因为多个孔之间的壁被去除。 在等离子体处理装置和方法以及等离子体处理装置的挡板中，处理容器（1）接收并返回待处理的基板。 安装单元（2）安装待处理的基板，并且入口（17a）在处理容器内部引起处理气体。 射频功率产生等离子体，并且排气管排出处理容器内的处理气体。 处理容器的内部分为等离子体处理空间（1b）和排气空间（1c）。

公开(公告)号：KR101770828B1

公开(公告)日：2017-08-23

申请号：KR1020110025823

申请日：2011-03-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시무라아키히로 ,  사토데츠지 ,  호리구치마사토 ,  와다노부히로 ,  고바야시마코토 ,  츠지모토히로시 ,  다무라준 ,  나오이마모루

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32 ,  H01L21/02 ,  C23C16/455 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32568

Abstract: 본발명은이동전극과통형상용기의한쪽의단부벽사이의공간에서의플라즈마의발생을억제할수 있는기판처리장치를제공한다. 기판처리장치(10)는, 웨이퍼(W)를수용하는통형상의챔버(11)와, 상기챔버(11) 내에서챔버(11)의중심축을따라이동가능한샤워헤드(23)와, 챔버(11) 내에서샤워헤드(23)에대향하는서셉터(12)와, 샤워헤드(23) 및챔버(11)의덮개(14)를접속하는신축가능한벨로우즈(31)를구비하고, 샤워헤드(23) 및서셉터(12) 사이에존재하는처리공간(PS)에고주파전력이인가되며처리가스가도입되고, 샤워헤드(23) 및챔버(11)의측벽(13)은비접촉이며, 샤워헤드(23) 및챔버(11)의덮개(14) 또는측벽(13)을전기적으로접속하는바이패스부재(35)가설치된다.

Abstract translation: 本发明提供一种能够抑制移动电极与管状容器的一个端壁之间的空间中的等离子体的产生的基板处理装置。 基板处理装置10具备收纳晶片W的筒状的腔室11，在腔室11内沿腔室11的中心轴线移动的喷头23， 用于连接面对喷头23的基座12和喷头23的盖子14以及喷头11中的腔室11的可拉伸波纹管31 喷头23与腔室11的侧壁13接触，在喷头23与基座12之间存在的处理空间PS中，喷头23与基座12接触， 并且安装用于电连接腔室11的盖14或侧壁13的旁路构件35。

公开(公告)号：KR1020110055424A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：KR1020100114054

申请日：2010-11-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토데츠지 ,  기타자와다카시 ,  요시무라아키히로

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/6831 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

Abstract: PURPOSE: A substrate mounting table of a substrate processing apparatus is provided to prevent the insertion of plasma into the gap between a substrate and a focus ring, thereby preventing abnormal discharging. CONSTITUTION: An electrostatic chuck(23) is adhered onto a metal base(41) by an adhesive layer(42). The electrostatic chuck has a double step structure made of a lower disc part(23a) and a lower disc part(23b). The electrostatic chuck supports a wafer by a suction surface. A focus ring(25) is mounted on an upper plane(41b) surrounding a concave part(41a) of a metal base. A gap is formed between the lower surface of the focus ring and the lower disc part.

Abstract translation: 目的：提供基板处理装置的基板安装台，以防止等离子体插入到基板和聚焦环之间的间隙中，从而防止异常放电。 构成：静电卡盘（23）通过粘合剂层（42）粘附到金属基座（41）上。 静电卡盘具有由下盘部（23a）和下盘部（23b）构成的双台阶结构。 静电吸盘通过吸力表面支撑晶片。 聚焦环（25）安装在围绕金属基底的凹部（41a）的上平面（41b）上。 在聚焦环的下表面和下盘部分之间形成间隙。

公开(公告)号：KR100861261B1

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：KR1020070067707

申请日：2007-07-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미야가와마사아키 ,  사토데츠지

IPC: H01L21/3065

Abstract: 기판의 에칭 처리 중에 있어서 소모 부품의 온도를 225℃ 이하로 유지할 수 있는 전열 구조체를 제공한다. 기판 처리 장치(10)는 챔버(11)를 구비하고, 상기 챔버(11) 내에는 냉매실(25)을 갖는 서셉터(12)가 배치되고, 서셉터(12)의 상부에는 상부 원판형 부재의 위에 웨이퍼(W)가 탑재되고, 하부 원판형 부재의 위에는 웨이퍼(W)를 둘러싸도록 포커스 링(24)이 배치되고, 정전 척(22) 및 포커스 링(24) 사이에는 겔형 물질로 이루어지는 열전도 시트(39)가 배치되고, 열전도 시트(39)에 있어서 W/m·K로 표시되는 경도의 비가 20 미만으로 설정된다.

公开(公告)号：KR1020080005116A

公开(公告)日：2008-01-10

申请号：KR1020070067707

申请日：2007-07-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미야가와마사아키 ,  사토데츠지

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/6833 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32724

Abstract: A heat transfer structure and a substrate processing apparatus are provided to extend a lifetime of a ring-like member by maintaining a temperature of a consumable to be lower than 225 °C during an etching process. A heat transfer structure is arranged in a process chamber, which performs a plasma process on a substrate in a low pressure atmosphere. The heat transfer structure includes a consumable, a cooling member(12), and a heat conductor(39). The consumable includes an exposed surface, which is exposed to plasma. The cooling member cools down the consumable. The heat conductor is arranged between the consumable and the cooling member and made of a gel-type material. A ratio between a strength, expressed in asker C, with respect to a heat conductivity, expressed in W/mK, of the heat conductor is smaller than 20.

Abstract translation: 提供传热结构和基板处理装置，以在蚀刻过程中通过将消耗品的温度维持在低于225℃来延长环状构件的寿命。 传热结构布置在处理室中，其在低压气氛中对基板执行等离子体处理。 传热结构包括消耗品，冷却部件（12）和热导体（39）。 消耗品包括暴露于等离子体的暴露表面。 冷却部件冷却消耗品。 热导体设置在消耗品和冷却部件之间，并由凝胶型材料制成。 以热交换器C表示的强度相对于热导率（以W / mK表示）的热导体之间的比率小于20。