公开(公告)号：KR101756853B1

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：KR1020110061214

申请日：2011-06-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와다노부히로 ,  고바야시마코토 ,  츠지모토히로시 ,  다무라준 ,  나오이마모루 ,  오야부준

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32 ,  H01J37/04 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01J37/04 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3255 ,  H01J37/32568

Abstract: (과제) 기판에균일한플라즈마처리를행하면서, 1챔버복수프로세스의요구에충분히응할수 있는기판처리방법을제공한다. (해결수단) 기판처리장치(10)는, 웨이퍼(W)를수용하는챔버(11)와, 챔버(11) 내에배치되어웨이퍼(W)를올려놓는서셉터(12)와, 서셉터(12)에대향배치된상부전극(24)과, 서셉터(12)에접속된제2 고주파전원(16)을구비하고, 상부전극(24)은접지(36)와전기적으로접속되고, 상부전극(24)을서셉터(12)에대하여이동가능하게하고, 상부전극(24)에유전체(26)를매입하여, 처리공간(PS)에발생하는플라즈마및 접지(36)의사이의전위차를, 플라즈마및 유전체(26)의사이의전위차, 그리고, 유전체(26) 및접지(36)의사이의전위차로분할하고, 또한상부전극(24)과서셉터(12)와의사이의갭(G)을변동시킴으로써, 상부전극(24) 및서셉터(12)의사이의플라즈마밀도를변화시킨다.

公开(公告)号：KR1020110140102A

公开(公告)日：2011-12-30

申请号：KR1020110061214

申请日：2011-06-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와다노부히로 ,  고바야시마코토 ,  츠지모토히로시 ,  다무라준 ,  나오이마모루 ,  오야부준

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32 ,  H01J37/04 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01J37/04 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3255 ,  H01J37/32568 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/32136

Abstract: PURPOSE: A substrate processing method and an apparatus thereof are provided to uniformly distribute plasma with uniform density in a processing space, thereby performing a uniform plasma processing process on a substrate. CONSTITUTION: A susceptor(12) is arranged within a chamber. A wafer is placed on the susceptor. An upper electrode is arranged in the susceptor by facing the susceptor. A second high frequency power source is connected to the susceptor. The upper electrode is electrically connected to a ground(36). The upper electrode is able to move with respect to the susceptor. A dielectric material(26) is buried in the upper electrode. The voltage difference between the ground and plasma generated in a processing space is separated into the voltage difference between the plasma and dielectric material and the voltage difference between the dielectric material and ground.

Abstract translation: 目的：提供一种基板处理方法及其装置，用于在处理空间中均匀分布均匀分布的等离子体，从而对基板进行均匀的等离子体处理。 构成：一个基座（12）设置在一个室内。 将晶片放置在基座上。 上部电极通过面对基座设置在基座中。 第二高频电源连接到基座。 上电极电连接到地（36）。 上电极能够相对于基座移动。 电介质材料（26）被埋在上电极中。 在处理空间中产生的接地和等离子体之间的电压差被分离成等离子体和电介质材料之间的电压差以及介电材料和地面之间的电压差。

公开(公告)号：KR101770828B1

公开(公告)日：2017-08-23

申请号：KR1020110025823

申请日：2011-03-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시무라아키히로 ,  사토데츠지 ,  호리구치마사토 ,  와다노부히로 ,  고바야시마코토 ,  츠지모토히로시 ,  다무라준 ,  나오이마모루

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32 ,  H01L21/02 ,  C23C16/455 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32568

Abstract: 본발명은이동전극과통형상용기의한쪽의단부벽사이의공간에서의플라즈마의발생을억제할수 있는기판처리장치를제공한다. 기판처리장치(10)는, 웨이퍼(W)를수용하는통형상의챔버(11)와, 상기챔버(11) 내에서챔버(11)의중심축을따라이동가능한샤워헤드(23)와, 챔버(11) 내에서샤워헤드(23)에대향하는서셉터(12)와, 샤워헤드(23) 및챔버(11)의덮개(14)를접속하는신축가능한벨로우즈(31)를구비하고, 샤워헤드(23) 및서셉터(12) 사이에존재하는처리공간(PS)에고주파전력이인가되며처리가스가도입되고, 샤워헤드(23) 및챔버(11)의측벽(13)은비접촉이며, 샤워헤드(23) 및챔버(11)의덮개(14) 또는측벽(13)을전기적으로접속하는바이패스부재(35)가설치된다.

Abstract translation: 本发明提供一种能够抑制移动电极与管状容器的一个端壁之间的空间中的等离子体的产生的基板处理装置。 基板处理装置10具备收纳晶片W的筒状的腔室11，在腔室11内沿腔室11的中心轴线移动的喷头23， 用于连接面对喷头23的基座12和喷头23的盖子14以及喷头11中的腔室11的可拉伸波纹管31 喷头23与腔室11的侧壁13接触，在喷头23与基座12之间存在的处理空间PS中，喷头23与基座12接触， 并且安装用于电连接腔室11的盖14或侧壁13的旁路构件35。

公开(公告)号：KR1020110136717A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：KR1020110056274

申请日：2011-06-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와다노부히로 ,  고바야시마코토 ,  츠지모토히로시 ,  다무라준 ,  나오이마모루

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3063 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32568 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32559 ,  H01J37/32577

Abstract: PURPOSE: A method for processing a substrate and a substrate processing apparatus is provided to improve controllability of the density distribution of plasma by preventing the consumption of an upper electrode. CONSTITUTION: The susceptor(12) of a cylindrical shape is arranged inside a chamber(11) to put on a wafer(W). A lateral exhaust duct(13) is formed with the inner sidewall of the chamber and the side of the susceptor. An exhaust plate(14) is arranged in the halfway of the lateral exhaust duct. The exhaust plate accepts and reflects plasma which is generated in a process chamber(15). An exhaust pipe(17), which discharges a gas in the chamber, is connected to a lower part(16) in the chamber. A TMP(Turbo Molecular Pump) and a DP(Dry Pump) are connected in the exhaust pipe.

Abstract translation: 目的：提供一种处理基板和基板处理装置的方法，以通过防止上部电极的消耗来提高等离子体的密度分布的可控性。 构成：圆柱形的基座（12）布置在腔室（11）内以放在晶片（W）上。 横向排气管道（13）形成有室的内侧壁和基座的侧面。 排气板（14）布置在侧排气管道的中途。 排气板接受和反射在处理室（15）中产生的等离子体。 在室中排出气体的排气管（17）连接到室中的下部（16）。 在排气管中连接有TMP（涡轮分子泵）和DP（干式泵）。

公开(公告)号：KR1020110107290A

公开(公告)日：2011-09-30

申请号：KR1020110025823

申请日：2011-03-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시무라아키히로 ,  사토데츠지 ,  호리구치마사토 ,  와다노부히로 ,  고바야시마코토 ,  츠지모토히로시 ,  다무라준 ,  나오이마모루

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32 ,  H01L21/02 ,  C23C16/455 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32568 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/45565 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/0234 ,  H05H1/46

Abstract: 본 발명은 이동 전극과 통형상 용기의 한쪽의 단부벽 사이의 공간에서의 플라즈마의 발생을 억제할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다.
기판 처리 장치(10)는, 웨이퍼(W)를 수용하는 통형상의 챔버(11)와, 상기 챔버(11) 내에서 챔버(11)의 중심축을 따라 이동 가능한 샤워 헤드(23)와, 챔버(11) 내에서 샤워 헤드(23)에 대향하는 서셉터(12)와, 샤워 헤드(23) 및 챔버(11)의 덮개(14)를 접속하는 신축 가능한 벨로우즈(31)를 구비하고, 샤워 헤드(23) 및 서셉터(12) 사이에 존재하는 처리 공간(PS)에 고주파 전력이 인가되며 처리 가스가 도입되고, 샤워 헤드(23) 및 챔버(11)의 측벽(13)은 비접촉이며, 샤워 헤드(23) 및 챔버(11)의 덮개(14) 또는 측벽(13)을 전기적으로 접속하는 바이패스 부재(35)가 설치된다.