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公开(公告)号：KR102149564B1
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：KR1020157003851
申请日：2013-09-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/3065
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公开(公告)号：KR1020170067717A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：KR1020177006036
申请日：2015-09-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01J37/32009 , B29C59/14 , C23C16/0272 , C23C16/44 , C23C16/4404 , C23C16/509 , H01J37/32082 , H01J37/32165 , H01J37/32477 , H01J37/32495 , H01J37/32532 , H01J37/32917 , H01J2237/334 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H05H1/46 , H01L21/02274 , C23C16/42 , C23C16/50
Abstract: 챔버의내부의부재를플라즈마로부터보호하여, 변질및 소모를방지하는것. 플라즈마처리방법은, 성막(成膜) 공정과, 플라즈마처리공정과, 제거공정을포함한다. 성막공정은, 실리콘함유가스및 환원성가스의플라즈마에의해, 챔버의내부의부재의표면에대해실리콘함유막을성막한다. 플라즈마처리공정은, 부재의표면에실리콘함유막이성막된후에, 챔버의내부로반입된피처리체를처리가스의플라즈마에의해플라즈마처리한다. 제거공정은, 플라즈마처리된피처리체가챔버의외부로반출된후에, 불소함유가스의플라즈마에의해부재의표면으로부터실리콘함유막을제거한다.
Abstract translation: 保护腔室的内部构件不受等离子体影响，从而防止变质和磨损。 等离子体处理方法包括膜形成步骤，等离子体处理步骤和去除步骤。 成膜工序通过含硅气体和还原性气体的等离子体，在腔室内部件的表面形成含硅膜。 等离子体处理步骤中，在表面bujaeui形成含硅膜后，待治疗受检者对等离子体处理带到腔室的内部向所述处理气体的等离子体。 去除步骤在等离子体处理后的物体从腔室中取出之后通过含氟气体的等离子体从部件的表面去除含硅膜。
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公开(公告)号：KR1020150053899A
公开(公告)日：2015-05-19
申请号：KR1020157003851
申请日：2013-09-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/683 , H01L21/3065 , H01L21/687
CPC classification number: H01L21/6831 , H01L21/3065 , H01L21/68792
Abstract: 피처리체를정전흡착하는정전척으로부터피처리체를이탈시키기위한이탈제어방법으로서, 플라즈마처리후에챔버내에불활성가스를도입하여, 제전처리를행하는제전단계와, 상기제전단계후, 헬륨가스보다이온화에너지가낮은가스를도입하고, 상기챔버내의압력을상기플라즈마처리에서의압력또는상기제전단계에서의압력보다높은압력으로유지하는고압단계와, 상기고압단계에의해상기높은압력을유지하고있는동안또는유지후, 피처리체를지지핀에의해상기정전척으로부터이탈시키는이탈단계를갖는것을특징으로하는이탈제어방법이제공된다.
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公开(公告)号：KR100929449B1
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：KR1020080006172
申请日：2008-01-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32642 , H01J37/32623
Abstract: A substrate processing apparatus that can reliably improve the efficiency of heat transfer between a focus ring and a mounting stage. A housing chamber with the interior thereof evacuated houses a substrate. The substrate is mounted on a mounting stage that is disposed in the housing chamber. An annular focus ring is mounted on the mounting stage such as to surround a peripheral portion of the mounted substrate. A heat transfer film is formed on a surface of the focus ring which contacts the mounting stage by printing processing.
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公开(公告)号：KR1020170009843A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：KR1020167030631
申请日：2015-05-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/205 , C23C16/509 , H05H1/46 , H01L21/3213
CPC classification number: H01L21/31116 , C23C16/4404 , C23C16/4405 , H01J37/32009 , H01J37/32165 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32477 , H01J37/3266 , H01J2237/334 , H01L21/02115 , H01L21/02123 , H01L21/02164 , H01L21/02208 , H01L21/02274 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/67069 , H05H1/46
Abstract: 본발명은챔버내부의부재를플라즈마로부터보호하고, 변질및 소모를방지하는것을과제로한다. 플라즈마처리방법은, 성막공정과, 플라즈마처리공정과, 제거공정을포함한다. 성막공정은, 산소함유가스에대한실리콘함유가스의유량비가 0.2∼1.4인산소함유가스및 실리콘함유가스의플라즈마에의해, 챔버의내부의부재의표면에대하여실리콘산화막을성막한다. 플라즈마처리공정은, 부재의표면에실리콘산화막이성막된후에, 챔버의내부에반입된피처리체를처리가스의플라즈마에의해플라즈마처리한다. 제거공정은, 플라즈마처리된피처리체가챔버의외부에반출된후에, 불소함유가스의플라즈마에의해부재의표면으로부터실리콘산화막을제거한다.
Abstract translation: 该等离子体处理方法包括成膜步骤，等离子体处理步骤和去除步骤。 在成膜步骤中，通过含氧气体和含硅气体的等离子体以含氧气体的流量比为基准在室内部件的表面上形成氧化硅膜 含硅气体为0.2-1.4。 在等离子体处理步骤中，在构件表面上形成氧化硅膜之后，使用处理气体的等离子体对被搬运到室内的待处理物进行等离子体处理。 在去除步骤中，在将等离子体处理物体搬出室外之后，通过含氟气体的等离子体从构件的表面除去氧化硅膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100576399B1
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：KR1020040070432
申请日：2004-09-03
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고시이시아키라 , 다나카히데아키 , 오카야마노부유키 , 미야가와마사아키 , 미즈카미순스케 , 시미즈와타루 , 히로세준 , 와카키도시카츠 , 미와도모노리 , 오오야부준 , 하야시다이스케
IPC: H01L21/3065 , H01L21/02
Abstract: 처리의 면내 균일성을 향상시킬 수 있음과 동시에 반도체 웨이퍼의 주연부 이면측에 대한 데포지션의 발생을 종래에 비교해서 저감할 수 있는 포커스 링 및 플라즈마 처리 장치를 제공한다.
진공 챔버(1)내에는 반도체 웨이퍼(W)가 탑재되는 탑재대(2)가 설치되어 있고, 이 탑재대(2)에 탑재된 반도체 웨이퍼(W)의 주위를 둘러싸도록 포커스 링(8)이 설치되어 있다. 포커스 링(8)은 유전체로 이루어지는 링형상의 하측부재(9)와 이 하측부재(9)의 상부에 배치되고, 도전성 재료로 이루어지는 링형상의 상측부재(10)로 구성되어 있고, 상측부재(10)는 그 상면의 외주측이 반도체 웨이퍼(W)의 피처리면보다 높은 평탄부(10a)로 되고, 이 평탄부(10a)의 내주부가 외주측이 내주측보다 높아지도록 경사하는 경사부(10b)로 되어 있다.-
公开(公告)号：KR1020050025079A
公开(公告)日：2005-03-11
申请号：KR1020040070432
申请日：2004-09-03
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고시이시아키라 , 다나카히데아키 , 오카야마노부유키 , 미야가와마사아키 , 미즈카미순스케 , 시미즈와타루 , 히로세준 , 와카키도시카츠 , 미와도모노리 , 오오야부준 , 하야시다이스케
IPC: H01L21/3065 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32642
Abstract: A focus ring and a plasma processing apparatus are provided to obtain the same uniform plasma processing of an edge as a center of wafer and to reduce a deposition in the back surface of edge. A focus ring includes a lower member and an upper member. The lower member(9) is formed with a dielectric. An upper member(10) made of a conductive material is formed on the top of the lower member. An inclined portion that an outer circumferential side thereof is higher than an inner circumferential side is formed on the top surface of the upper member. The position of end of the outer circumferential side in the inclined portion is higher than the position of a surface of the wafer(W) to be processed. The inner circumferential side of the upper member is spaced apart from a circumferential edge of the wafer by a predetermined distance.
Abstract translation: 提供聚焦环和等离子体处理装置以获得作为晶片中心的边缘的相同的均匀等离子体处理并减少边缘的后表面中的沉积。 聚焦环包括下部构件和上部构件。 下部构件（9）形成有电介质。 由导电材料制成的上部构件（10）形成在下部构件的顶部上。 在上部构件的上表面上形成有外周侧高于内周侧的倾斜部。 倾斜部分中的外周侧的端部的位置高于待处理的晶片（W）的表面的位置。 上部构件的内周侧与晶片的圆周边缘间隔预定距离。
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公开(公告)号：KR1020150068312A
公开(公告)日：2015-06-19
申请号：KR1020140176014
申请日：2014-12-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46 , H01L21/02
CPC classification number: H01J37/32642 , H01J37/32715
Abstract: 포커스링의소모에수반하는틸팅변동의진행을억제하는것이다. 플라즈마처리장치는, 피처리체를플라즈마처리하기위한챔버와, 챔버의내부에설치되고, 피처리체가재치되는재치면을가지는재치대와, 재치면에재치된피처리체를둘러싸도록재치대에설치된포커스링으로서, 재치면보다낮은제 1 평탄부와, 제 1 평탄부보다높고, 또한피처리체의피처리면보다높지않은제 2 평탄부와, 제 2 평탄부및 피처리체의피처리면보다높은제 3 평탄부가내주측으로부터외주측을향해차례로형성된포커스링을구비했다.
Abstract translation: 本发明抑制由聚焦环的消耗引起的倾斜变化的进展。 等离子体处理装置包括用于处理具有等离子体的物体的室，安装在所述室中并具有安装所述物体的安装表面的安装台和安装在所述安装台上以围绕所述物体的所述聚焦环 安装在安装表面上。 聚焦环包括比安装表面低的第一平坦部分，比第一平坦部分高的第二平坦部分，并且不高于物体的处理表面，并且第三环高于 第二平面部分和物体的处理表面，其从内周侧到外周侧依次形成。
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公开(公告)号：KR100861261B1
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：KR1020070067707
申请日：2007-07-05
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
Abstract: 기판의 에칭 처리 중에 있어서 소모 부품의 온도를 225℃ 이하로 유지할 수 있는 전열 구조체를 제공한다. 기판 처리 장치(10)는 챔버(11)를 구비하고, 상기 챔버(11) 내에는 냉매실(25)을 갖는 서셉터(12)가 배치되고, 서셉터(12)의 상부에는 상부 원판형 부재의 위에 웨이퍼(W)가 탑재되고, 하부 원판형 부재의 위에는 웨이퍼(W)를 둘러싸도록 포커스 링(24)이 배치되고, 정전 척(22) 및 포커스 링(24) 사이에는 겔형 물질로 이루어지는 열전도 시트(39)가 배치되고, 열전도 시트(39)에 있어서 W/m·K로 표시되는 경도의 비가 20 미만으로 설정된다.
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公开(公告)号：KR1020080069132A
公开(公告)日：2008-07-25
申请号：KR1020080006172
申请日：2008-01-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32642 , H01J37/32623
Abstract: A substrate treating apparatus and a focus ring are provided to sufficiently adhere the focus ring to a heat transfer layer by forming the heat transfer layer through a printing process. A substrate treating apparatus includes a receiving chamber, a mounting frame, and a focus ring(24). The receiving chamber receives a substrate. The mounting frame is disposed in the receiving chamber and the substrate is mounted on the mounting frame. The focus ring is disposed on the mounting frame to enclose a peripheral portion of the mounted substrate. The focus ring has a ring shape. A heat transfer layer(39) is formed on the surface of focus ring contacted with the mounting frame. The printing process is one of a screen print process, a coating process, and a spray print process. The heat transfer layer is formed by an elastic member.
Abstract translation: 提供基板处理装置和聚焦环，以通过印刷方法形成传热层，将聚焦环充分地粘附到传热层上。 基板处理装置包括接收室，安装框架和聚焦环（24）。 接收室接收基板。 安装框架设置在接收室中，并且基板安装在安装框架上。 聚焦环设置在安装框架上以包围安装的基板的周边部分。 聚焦环具有环形。 在与安装框架接触的聚焦环的表面上形成传热层（39）。 印刷过程是丝网印刷工艺，涂布工艺和喷墨印刷过程之一。 传热层由弹性部件形成。
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