公开(公告)号：KR1020140025381A

公开(公告)日：2014-03-04

申请号：KR1020137026721

申请日：2012-04-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 티엔차이쫑 ,  노자와토시히사 ,  모야마카즈키 ,  센다타카히로 ,  카토카즈유키 ,  야마가미무네타카

IPC: G01B11/06 ,  H01L21/3065 ,  G01N21/33 ,  G01N21/956

CPC classification number: G01B11/24 ,  G01B11/02 ,  G01B11/06 ,  G01N21/9501 ,  H01J37/32009 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 프로세스 모니터 장치(11)는, 광을 출사하는 광원부와, 광의 강도를 검지 가능한 광 검지부와, 광원부로부터 출사된 광을 웨이퍼(W)까지 유도하고, 웨이퍼(W)로부터 반사된 반사파를 광 검지부까지 유도하는 제 1 광 경로(21)와, 제 1 광 경로(21)와 동등한 광 전반 특성을 가지도록 구성되고, 광원부로부터 출사된 광을, 웨이퍼(W)를 경유하지 않고 광 검지부까지 유도하는 제 2 광 경로와, 제 2 광 경로를 통하여 광 검지부에 의해 검지된 광의 강도 정보에 기초하여, 제 1 광 경로(21)를 통하여 광 검지부에 의해 검지된 광의 강도 정보를 보정하고, 웨이퍼(W)의 구조를 해석하는 컨트롤러(17)를 구비한다.