公开(公告)号：KR1020100084564A

公开(公告)日：2010-07-26

申请号：KR1020107011586

申请日：2008-12-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마가미무네타카

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/00

CPC classification number: G05B19/41875 ,  G05B2219/31477 ,  G05B2219/32187 ,  G05B2219/45031 ,  H01L21/67109 ,  H01L22/20 ,  H01L2924/0002 ,  Y02P90/12 ,  Y02P90/22 ,  H01L2924/00

Abstract: [PROBLEMS] To solve a problem that the parameter adjustment of semiconductor manufacturing has not been able to be efficiently and speedily performed. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] An information processing device comprises a target value receiving section (101) for receiving one or more kinds of target values of a semiconductor manufacturing process, a parameter acquiring section (102) for acquiring one or more parameter values at the time of executing the semiconductor manufacturing process, an execution result acquiring section (103) for acquiring one or more kinds of execution results indicating the execution results of the semiconductor manufacturing process, an accumulation section (105) for accumulating the execution results, the target values, and the parameter values in association with one another, a correlation acquiring section (107) for acquiring information on the correlation of the accumulated execution results, target values, and parameter values, an assist information acquiring section (108) for acquiring assist information which is information on a parameter having a high correlation with the target values received by the target value receiving section (101) by using the correlation information acquired by the correlation acquiring section (107), and an output section for outputting the assist information acquired by the assist information acquiring section.

Abstract translation: 为解决半导体制造的参数调整不能有效且快速地进行的问题。 解决问题的手段信息处理装置包括用于接收半导体制造过程中的一种或多种目标值的目标值接收部分（101），用于获取半导体制造过程中的一个或多个参数值的参数获取部分（102） 执行半导体制造过程的时间，用于获取表示半导体制造过程的执行结果的一种或多种执行结果的执行结果获取部（103），用于累积执行结果的累积部（105），目标值 和相关联的参数值，用于获取关于累积执行结果，目标值和参数值的相关性的信息的相关获取部（107），用于获取辅助信息的辅助信息获取部（108） 是关于与接收到的目标值具有高相关性的参数的信息 y通过使用由相关获取部分（107）获取的相关信息，以及输出部分，用于输出由辅助信息获取部分获取的辅助信息的目标值接收部分（101）。

公开(公告)号：KR1020130136451A

公开(公告)日：2013-12-12

申请号：KR1020137006702

申请日：2011-08-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와도시히사 ,  센다다카히로 ,  니시모토신야 ,  야마가미무네타카 ,  모야마가즈키

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H01L21/66 ,  G01N21/892

CPC classification number: G01N21/55 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32972 ,  H01L21/31116 ,  H01L22/12 ,  H01L22/26 ,  H01L29/6659 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: [Problem] To carry out high accuracy optical monitoring of the surface of a substrate to be treated inside a treatment vessel using non-coherent monitor light having a wide wavelength range, without affecting the uniformity of the electromagnetic radiation from a planar slot antenna. [Solution] The optical monitor device 100 of the present microwave plasma etching device has: a monitor head 102 located in a position more radially inward than the edge of a semiconductor wafer W mounted on a susceptor 12, more radially outward than a coaxial pipe 66, and above a cover plate 72; an optical waveguide 104 for monitoring provided vertically below the monitor head 102, and longitudinally traversing the cooling plate 72, a dielectric plate 54, and a dielectric window 52; and a monitor main body optically connected to the monitor head 102 via an optical fiber 106.

公开(公告)号：KR1020090066326A

公开(公告)日：2009-06-23

申请号：KR1020097009796

申请日：2007-11-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마가미무네타카

IPC: G05B9/02 ,  G05B23/02

CPC classification number: G05B19/0421 ,  G05B2219/2231 ,  G06F3/1454 ,  G09G5/001 ,  H01L21/67155

Abstract: A host PC (100) is connected to a plurality of slave PC (200) controlling a plurality of PM or TM. The host PC (100) judges whether to give an operation right to the slave PC (200) which has requested for the operation right in accordance with the screen operation request from the slave PC (200).

Abstract translation: 主机PC（100）连接到控制多个PM或TM的多个从PC（200）。 主机PC根据来自从PC（200）的屏幕操作请求，判断是否对已经请求了操作权的从PC（200）进行操作权限。

公开(公告)号：KR101378693B1

公开(公告)日：2014-03-27

申请号：KR1020137006702

申请日：2011-08-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와도시히사 ,  센다다카히로 ,  니시모토신야 ,  야마가미무네타카 ,  모야마가즈키

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H01L21/66 ,  G01N21/892

CPC classification number: G01N21/55 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32972 ,  H01L21/31116 ,  H01L22/12 ,  H01L22/26 ,  H01L29/6659 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: [과제] 평판 슬롯 안테나의 전자파 방사 특성의 균일성에 영향을 미치지 않고서 파장 영역이 넓은 비코히어런트의 모니터광을 이용하여, 처리 용기 내의 피처리 기판의 표면에 대한 광학적인 모니터링을 고정밀도로 행한다.
[해결수단] 이 마이크로파 플라즈마 에칭 장치에 있어서의 광학 모니터 장치(100)는, 서셉터(12) 상에 배치되는 반도체 웨이퍼(W)의 엣지보다도 반경 방향 내측에 있고, 또한 동축관(66)보다도 반경 방향 외측의 위치이며, 커버 플레이트(72) 위에 배치되는 모니터 헤드(102)와, 이 모니터 헤드(102)로부터 수직 아래쪽으로 커버 플레이트(72), 유전체판(56), 슬롯판(54) 및 유전체창(52)을 종단하여 형성되는 모니터링용의 광 도파로(104)와, 광 파이버(106)를 통해 모니터 헤드(102)와 광학적으로 결합되는 모니터 본체(108)를 갖고 있다.

公开(公告)号：KR1020140025381A

公开(公告)日：2014-03-04

申请号：KR1020137026721

申请日：2012-04-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 티엔차이쫑 ,  노자와토시히사 ,  모야마카즈키 ,  센다타카히로 ,  카토카즈유키 ,  야마가미무네타카

IPC: G01B11/06 ,  H01L21/3065 ,  G01N21/33 ,  G01N21/956

CPC classification number: G01B11/24 ,  G01B11/02 ,  G01B11/06 ,  G01N21/9501 ,  H01J37/32009 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 프로세스 모니터 장치(11)는, 광을 출사하는 광원부와, 광의 강도를 검지 가능한 광 검지부와, 광원부로부터 출사된 광을 웨이퍼(W)까지 유도하고, 웨이퍼(W)로부터 반사된 반사파를 광 검지부까지 유도하는 제 1 광 경로(21)와, 제 1 광 경로(21)와 동등한 광 전반 특성을 가지도록 구성되고, 광원부로부터 출사된 광을, 웨이퍼(W)를 경유하지 않고 광 검지부까지 유도하는 제 2 광 경로와, 제 2 광 경로를 통하여 광 검지부에 의해 검지된 광의 강도 정보에 기초하여, 제 1 광 경로(21)를 통하여 광 검지부에 의해 검지된 광의 강도 정보를 보정하고, 웨이퍼(W)의 구조를 해석하는 컨트롤러(17)를 구비한다.

公开(公告)号：KR101110137B1

公开(公告)日：2012-01-31

申请号：KR1020107011586

申请日：2008-12-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마가미무네타카

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/00

CPC classification number: G05B19/41875 ,  G05B2219/31477 ,  G05B2219/32187 ,  G05B2219/45031 ,  H01L21/67109 ,  H01L22/20 ,  H01L2924/0002 ,  Y02P90/12 ,  Y02P90/22 ,  H01L2924/00

Abstract: (과제) 종래는, 반도체 제조의 파라미터 조정을 효율 좋게 신속히 행할 수 없다는 과제가 있었다.
(해결 수단) 반도체 제조 프로세스의 1 이상의 종류의 목표값을 접수하는 목표값 접수부(101)와, 반도체 제조 프로세스 실행시의 1 이상의 파라미터의 값을 취득하는 파라미터 취득부(102)와, 반도체 제조 프로세스의 실행 결과를 나타내는 1 이상의 종류의 실행 결과를 취득하는 실행 결과 취득부(103)와, 실행 결과와 목표값과 파라미터의 값을 대응지어 축적하는 축적부(105)와, 축적한 실행 결과와 목표값과 파라미터의 값과의 상관 정보를 취득하는 상관 취득부(107)와, 상관 취득부(107)가 취득한 상관 정보를 이용하여, 목표값 접수부(101)가 접수한 목표값에 대하여 상관이 높은 파라미터에 관한 정보인 어시스트 정보를 취득하는 어시스트 정보 취득부(108)와, 어시스트 정보 취득부가 취득한 어시스트 정보를 출력하는 출력부를 구비하였다.