公开(公告)号：KR1020140025381A

公开(公告)日：2014-03-04

申请号：KR1020137026721

申请日：2012-04-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 티엔차이쫑 ,  노자와토시히사 ,  모야마카즈키 ,  센다타카히로 ,  카토카즈유키 ,  야마가미무네타카

IPC: G01B11/06 ,  H01L21/3065 ,  G01N21/33 ,  G01N21/956

CPC classification number: G01B11/24 ,  G01B11/02 ,  G01B11/06 ,  G01N21/9501 ,  H01J37/32009 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 프로세스 모니터 장치(11)는, 광을 출사하는 광원부와, 광의 강도를 검지 가능한 광 검지부와, 광원부로부터 출사된 광을 웨이퍼(W)까지 유도하고, 웨이퍼(W)로부터 반사된 반사파를 광 검지부까지 유도하는 제 1 광 경로(21)와, 제 1 광 경로(21)와 동등한 광 전반 특성을 가지도록 구성되고, 광원부로부터 출사된 광을, 웨이퍼(W)를 경유하지 않고 광 검지부까지 유도하는 제 2 광 경로와, 제 2 광 경로를 통하여 광 검지부에 의해 검지된 광의 강도 정보에 기초하여, 제 1 광 경로(21)를 통하여 광 검지부에 의해 검지된 광의 강도 정보를 보정하고, 웨이퍼(W)의 구조를 해석하는 컨트롤러(17)를 구비한다.

公开(公告)号：KR1020090080897A

公开(公告)日：2009-07-27

申请号：KR1020090004118

申请日：2009-01-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 티엔차이쫑 ,  이시바시키요타카 ,  노자와토시히사

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/66 ,  G05B11/42

CPC classification number: H01L21/67248 ,  H01L21/67098

Abstract: A temperature control device and a process apparatus using the same are provided to perform a control of high precision by non-interfering a control between each channel. A process apparatus performs a predetermined process about a substrate loaded inside a process vessel. A temperature control unit(50) performs a temperature control about a predetermined part of the process vessel or a predetermined member. The temperature control unit includes a heater unit(51), a feeding part(52), a temperature sensor(53), and a controller(54). The heater unit heats a control object. The feeding part feeds a power to the heater unit. The temperature sensor measures temperature of the control object. The controller controls the feeding part based on a signal of the temperature sensor through ILQ control.

Abstract translation: 提供了一种温度控制装置和使用该控制装置的处理装置，以通过不干扰每个通道之间的控制来执行高精度的控制。 处理装置执行关于装载在处理容器内部的基板的预定处理。 温度控制单元（50）执行关于处理容器或预定构件的预定部分的温度控制。 温度控制单元包括加热器单元（51），馈送部分（52），温度传感器（53）和控制器（54）。 加热器单元加热控制对象。 进料部分向加热器单元供电。 温度传感器测量控制对象的温度。 控制器通过ILQ控制器根据温度传感器的信号控制进给部分。

公开(公告)号：KR1020080059660A

公开(公告)日：2008-06-30

申请号：KR1020087012261

申请日：2006-11-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 티엔차이쫑 ,  타마키유아사 ,  노자와토시히사

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32211

Abstract: A microwave introduction device includes a microwave generator for generating microwaves of a predetermined frequency, a mode converter for converting the microwaves into a predetermined amplitude mode, a flat antenna member arranged toward a predetermined space, and a coaxial waveguide connecting the mode converter and the flat antenna member for propagation of the microwaves. The coaxial waveguide has a central conductor formed into a cylindrical shape having an inner diameter D1 not smaller than a first predetermined value and an outer conductor also formed into a cylindrical form. The ratio r1/r2 of the radius r1 of the inner diameter of the outer conductor against the radius r2 of the outer diameter of the central conductor is maintained at a second predetermined value. The outer conductor has an inner diameter D2 not greater than the a third predetermined value.

Abstract translation: 微波引入装置包括用于产生预定频率的微波的微波发生器，用于将微波转换成预定振幅模式的模式转换器，朝向预定空间布置的平坦天线构件和连接模式转换器和平面的同轴波导 用于微波传播的天线构件。 同轴波导具有形成为具有不小于第一预定值的内径D1的圆柱形状的中心导体，并且外部导体也形成为圆柱形。 外导体的内径的半径r1与中心导体的外径的半径r2的比r1 / r2保持在第二规定值。 外导体的内径D2不大于第三预定值。

公开(公告)号：KR101157143B1

公开(公告)日：2012-06-22

申请号：KR1020107018236

申请日：2009-02-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 티엔차이쫑 ,  이시바시키요타카 ,  노자와토시히사

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32211 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32238

Abstract: 플라즈마 처리 장치의 플라즈마 발생실은 천판(天板)(3)에 의해 밀봉되어 있다. 천판(3)은 플라즈마 발생실측을 향하는 면에 오목부(3A)를 설치하고 반대측의 면에 중심부의 오목부(3B)를 구비한다. 천판(3) 상에는 안테나가 결합되어 있다. 안테나에는 도파관이 접속되어 있다. 도파관으로부터 마이크로파를 공급하면, 공급된 마이크로파는 안테나 간을 직경 방향으로 전파하여 안테나의 슬롯으로부터 방사된다. 마이크로파는 천판(3)을 전파하여 편파면(偏波面)을 가지며, 전체적으로 원편파(圓偏波)를 형성한다. 이 때, 천판(3)에 구비된 오목부(3A)의 측면에서 마이크로파의 공명 흡수가 일어나, 오목부(3A)의 내부에서는 단일 모드로 전파한다. 다수 있는 오목부(3A) 각각의 내부에서 강한 플라즈마가 형성되어 천판(3)에 안정된 플라즈마 모드가 생긴다.

公开(公告)号：KR100991164B1

公开(公告)日：2010-11-02

申请号：KR1020087012912

申请日：2006-11-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 티엔차이쫑 ,  니시즈카테츠야 ,  노자와토시히사

IPC: C23C16/00

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/3244

Abstract: 본 발명은, 천장부가 개구되어 내부가 진공 배기 가능하게 이루어진 처리 용기와, 피처리체를 재치하기 위해 상기 처리 용기 내에 설치된 재치대와, 상기 천장부의 개구에 기밀하게 장착되어 마이크로파를 투과하는 유전체로 이루어진 천판과, 상기 천판의 상면에 설치되어 마이크로파를 상기 처리 용기 내로 도입하기 위한 평면 안테나 부재와, 상기 평면 안테나 부재의 중심부에 접속된 중심 도체를 갖는 마이크로파 공급을 위한 동축 도파관을 구비한 플라즈마 처리 장치에 있어서, 상기 중심 도체와 상기 평면 안테나 부재의 중심부와 상기 천판의 중심부를 관통하도록 가스 통로가 형성되어 있고, 상기 천판의 중심 영역의 상면측에, 해당 천판의 중심부의 전계 강도를 감쇠시키기 위한 전계 감쇠용 오목부가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치이다.

Abstract translation: 本发明是在电介质而完成到天花板部分和开口是由使真空排气，至机智待治疗的受试者的处理容器内部被气密地连接到安装台的开口部和顶棚部被安装在处理容器通过微波 包括具有连接到所述平面天线构件的中心的中心导体的微波供给，和平面天线构件的同轴波导管的等离子体处理装置也可以在顶板和顶板的用于将微波引入所述的处理容器的上表面上安装的 在可以中心导体和中心和气体通道，从而以穿透平面天线构件的上板的中央部在顶板的中心区域的上表面侧形成，所述电场衰减衰减的电场强度在顶板的中心 其特征在于凹部 做一个处理装置。

公开(公告)号：KR100954128B1

公开(公告)日：2010-04-20

申请号：KR1020087005617

申请日：2007-01-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 티엔차이쫑 ,  노자와토시히사 ,  이시바시키요타카

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  C23C16/507

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32119 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/32449

Abstract: 플라즈마 처리 장치는, 진공 처리 용기(34)와, 이 용기 내에 형성되어, 피처리체(W)가 올려놓여지는 재치대(36)를 구비한다. 처리 용기(34)는, 상부 개구가 형성된 통 형상의 용기 본체(34A)와, 이 본체의 상부 개구에 기밀하게 장착되어 전자파를 투과하는 유전체제(誘電體製)의 천판(50)을 갖는다. 천판을 통하여 플라즈마 발생용의 전자파를 용기 내로 공급하는 전자파 공급계(54)와, 용기 내로 처리 가스를 포함하는 가스를 공급하는 가스 공급계(110)가 구비된다. 천판(50)에는, 가스 공급계로부터 공급되는 가스를 용기 내로 분출하는 가스 분사 구멍(108)이 형성된다. 각 분사 구멍(108) 내에, 통기성을 갖는 유전체제의 방전 방지 부재(120)가 배치된다.
진공 처리 용기, 천판, 방전 방지 부재

公开(公告)号：KR1020080037703A

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：KR1020087005617

申请日：2007-01-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 티엔차이쫑 ,  노자와토시히사 ,  이시바시키요타카

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  C23C16/507

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32119 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/32449

Abstract: Plasma processing equipment comprises a vacuum processing container (34), and a placing table (36) for placing an article (W) which is arranged in the container and is to be processed. The processing container (34) includes a tubular container body (34A) having an upper opening, and a dielectric top plate (50) applied hermetically to the upper opening of the body and transmitting an electromagnetic wave. The plasma processing equipment further comprises an electromagnetic wave supplying system (54) for supplying an electromagnetic wave for generating plasma into the container through the top plate, and a gas supplying system (110) for supplying a gas containing a processing gas into the container. A gas ejecting hole (108) for ejecting the gas supplied from the gas supplying system into the container is formed on the top plate (50). A dielectric discharge prevention member (120) having permeability is arranged in each ejection hole (108).

Abstract translation: 等离子体处理设备包括真空处理容器（34）和用于放置布置在容器中并被处理的物品（W）的放置台（36）。 处理容器（34）包括具有上开口的管状容器主体（34A），以及电绝缘顶板（50），其被密封地施加到主体的上开口并传输电磁波。 等离子体处理设备还包括电磁波供给系统（54），用于通过顶板将用于产生等离子体的电磁波提供到容器中;以及气体供应系统（110），用于将含有处理气体的气体供应到容器中。 用于将从气体供给系统供给的气体喷射到容器中的气体喷射孔（108）形成在顶板（50）上。 在每个喷射孔（108）中布置有具有磁导率的介电放电防止部件（120）。

公开(公告)号：KR101176061B1

公开(公告)日：2012-08-24

申请号：KR1020097004902

申请日：2008-08-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 티엔차이쫑 ,  니시즈카테츠야 ,  이시바시키요타카 ,  노자와토시히사

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/511

CPC classification number: H01L21/461 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H05H1/46 ,  Y10T428/24273

Abstract: 진공흡인 가능한 처리 용기의 천정부에 형성되어, 나란히 형성되는 평면 안테나 부재의 슬롯으로부터 방사(radiation)되는 마이크로파를 처리 용기 내로 투과 가능한 천판(top plate)으로서, 천판의 처리 용기 내를 향하는 면측에 방사상으로 형성된 복수의 돌기부를 구비하는 천판을 개시한다.
천판, 돌기부, 방사상

公开(公告)号：KR100967459B1

公开(公告)日：2010-07-01

申请号：KR1020087012261

申请日：2006-11-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 티엔차이쫑 ,  타마키유아사 ,  노자와토시히사

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32211

Abstract: 본 발명은, 소정의 주파수의 마이크로파를 발생시키는 마이크로파 발생기와, 상기 마이크로파를 소정의 진동 모드로 변환시키는 모드 변환기와, 소정의 공간을 향하여 설치된 평면 안테나 부재와, 상기 모드 변환기와 상기 평면 안테나 부재를 연결하여 상기 마이크로파를 전파하는 동축 도파관을 구비한 마이크로파 도입 장치에 있어서, 상기 동축 도파관의 중심 도체는 통 형상으로 형성되어 있고, 상기 중심 도체의 내경(D1)은 제 1 소정값 이상이며, 상기 동축 도파관의 외측 도체도 통 형상으로 형성되어 있고, 상기 외측 도체의 내경의 반경(r1)과 상기 중심 도체의 외경의 반경(r2)과의 비(r1 / r2)가 제 2 소정치로 유지되어 있고, 상기 외측 도체의 내경(D2)은 제 3 소정치 이하인 것을 특징으로 하는 마이크로파 도입 장치이다.

公开(公告)号：KR1020100049691A

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：KR1020107007389

申请日：2008-10-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 티엔차이쫑 ,  이시바시키요타카 ,  노자와토시히사

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32266 ,  H05H1/46

Abstract: Plasma density generated inside the processing chamber of a plasma processing apparatus is adjusted especially in a circumference direction. In a plasma processing apparatus (1), a microwave supplied from a coaxial waveguide (30) is introduced into a processing container (2) through a slow-wave plate (25), a processing gas is brought into the plasma state and a substrate (W) is processed in the processing container (2). A dielectric member is arranged at a connecting area between the coaxial waveguide (30) and the slow-wave plate (25). The dielectric member is arranged at a part in the circumference direction with an internal conductor (31) at the center, in an external conductor (32) of the coaxial waveguide (30). The dielectric member is arranged at a discretionary position in the circumference direction with the internal conductor (31) at the center.

Abstract translation: 特别是在圆周方向上调整等离子体处理装置的处理室内产生的等离子体密度。 在等离子体处理装置（1）中，从同轴波导管（30）供给的微波通过慢波板（25）引入处理容器（2），处理气体进入等离子体状态，基板 （W）在处理容器（2）中进行处理。 在同轴波导（30）与慢波板（25）之间的连接区域设有电介质部件。 在同轴波导（30）的外部导体（32）中，电介质部件在圆周方向上与中心的内部导体（31）配置。 电介质构件以内部导体（31）为中心配置在圆周方向的任意位置。