公开(公告)号：KR100274306B1

公开(公告)日：2000-12-15

申请号：KR1019940005536

申请日：1994-03-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이나자와고이치로 ,  후루야사치코 ,  오가사와라마사히로 ,  고시미즈지시오 ,  소데쓰군 ,  아라키요이치

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/31116

Abstract: 반도체 웨이퍼와 같은 피처리체를 에칭처리하기 위하여, 진공처리실 내에 피처리체를 넣고, 지공처리실 내에 에칭가스를 도입하며, 고주파 전원에 의하여 처리실 내의 1쌍의 전극 사이에 전력을 인가한다. 에칭가스로서는, H를 포함하지 않은, 적어도 4족과 7족의 원소를 함유하는 가스와 CO의 혼합가스가 사용된다. 4족과 7족의 원소를 함유하는 가스로서는, 할로겐화 탄소, 전형적으로는, C
4 F
8 와 같은 불화탄소가 사용된다. CO는 에칭가스의 50% 이상 포함시키는 것이 좋다. 에칭가스에는, 약 86% 이상의 불활성 가스, 예를들면 Ar, Xe, Kr 등이나 또 N
2 , O
2 를 첨가하는 것이 바람직하다. 상기와 같은 에칭가스의 사용에 의하여 높은 에칭 선택비가 얻어지며, 팬스의 형성이 방지된다.

公开(公告)号：KR1019940022725A

公开(公告)日：1994-10-21

申请号：KR1019940005536

申请日：1994-03-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이나자와고이치로 ,  후루야사치코 ,  오가사와라마사히로 ,  고시미즈지시오 ,  소데쓰군 ,  아라키요이치

IPC: H01L21/302

Abstract: 반도체 웨이퍼와 같은 피처리체를 에칭처리하기 위하여, 진공처리실내에 피처리체를 넣고, 진공처리실 내에 에칭가스를 도입하며, 고주파 전원에 의하여 처리실 내의 1쌍의 전극 사이에 전력을 인가한다. 에칭가스로서는, H를 포함하지 않은, 적어도 4족과 7족의 원소를 함유하는 가스와 CO의 혼합가스가 사용된다. 4족과 7족의 원소를 함유하는 가스로서는, 할로겐화 탄소, 전형적으로는 C
4 F와 같은 불화탄소가 사용된다. CO는 에칭가스의 50% 이상 포함시키는 것이 좋다. 에칭가스에는, 약 86% 이상의 불활성 가스, 예를들면 Ar,Xe,Kr등이나 또 N
2 , O
2 를 첨가하는 것이 바람직하다. 상기와 같은 에칭가스의 사용에 의하여 높은 에칭 선택비가 얻어지며, 팬스의 형성이 방지된다.