公开(公告)号：KR1019940022725A

公开(公告)日：1994-10-21

申请号：KR1019940005536

申请日：1994-03-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이나자와고이치로 ,  후루야사치코 ,  오가사와라마사히로 ,  고시미즈지시오 ,  소데쓰군 ,  아라키요이치

IPC: H01L21/302

Abstract: 반도체 웨이퍼와 같은 피처리체를 에칭처리하기 위하여, 진공처리실내에 피처리체를 넣고, 진공처리실 내에 에칭가스를 도입하며, 고주파 전원에 의하여 처리실 내의 1쌍의 전극 사이에 전력을 인가한다. 에칭가스로서는, H를 포함하지 않은, 적어도 4족과 7족의 원소를 함유하는 가스와 CO의 혼합가스가 사용된다. 4족과 7족의 원소를 함유하는 가스로서는, 할로겐화 탄소, 전형적으로는 C
4 F와 같은 불화탄소가 사용된다. CO는 에칭가스의 50% 이상 포함시키는 것이 좋다. 에칭가스에는, 약 86% 이상의 불활성 가스, 예를들면 Ar,Xe,Kr등이나 또 N
2 , O
2 를 첨가하는 것이 바람직하다. 상기와 같은 에칭가스의 사용에 의하여 높은 에칭 선택비가 얻어지며, 팬스의 형성이 방지된다.

公开(公告)号：KR100170419B1

公开(公告)日：1999-03-30

申请号：KR1019930007016

申请日：1993-04-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이마하시잇세이 ,  이시노부오 ,  고시미즈지시오

IPC: H01L21/302

CPC classification number: G01N21/68

Abstract: 반도체 웨이퍼의 ECR에칭장치에 있어서, 에칭가스로서 HBr, CL2, 캐리어 가스로서 Ar가 사용된다.
생성 플라즈마의 발광광이 제1 및 제2 분광기에 의해 분광되어, 플라즈마의 제1 및 제2 파장의 스펙트럼의 강도가 검출된다. 양 스펙트럼은 Ar원자의 스펙트럼에서 선택된다. CPU는 검출한 스펙트럼 강도의 비의 형상치를 미리 입력된 이 비의 선택치와 비교하여, 형상치가 선택치에 가까워지도록 자장강도를 조정한다. 자장강도의 조정은 전자코일의 통전류치를 변경함으로써 행해진다. 자장강도는, 플라즈마의 전자온도를 조정하는 파라미터이며, 자장강도의 조정에 의해 플라즈마의 전자온도가 조정된다.

公开(公告)号：KR1019950034578A

公开(公告)日：1995-12-28

申请号：KR1019950004417

申请日：1995-03-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  테루.엔지니아링구가부시끼가이샤

Inventor： 고시료이치로 ,  이와타데루오 ,  이시이노부오 ,  히구치기미히로 ,  고시미즈지시오

IPC: H01L21/3065

Abstract: 처리용기내에 설치된 피처리체에 대하여 플라즈마 막형성처리등의 플라즈마처리를 행하는 플라즈마 처리방법이 개시된다. 이 방법은, 처리 용기내로 불활성가스를 도입하는 제1의 공정과, 처리용기내로 불활성 가스의 플라즈마를 발생시키는 제2의 공정과, 계속하여 처리용기내로 피처리체를 처리하는 처리가스를 도입하는 제3의 공정과, 처리용기내로 처리가스의 플라즈마를 발생시켜서 피처리체를 처리하는 제4의공정을 구비한다.

公开(公告)号：KR1019930022483A

公开(公告)日：1993-11-24

申请号：KR1019930007016

申请日：1993-04-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이마하시잇세이 ,  이시노부오 ,  고시미즈지시오

IPC: H01L21/302

Abstract: 슬러리 폴리셔에서 폴리싱 페드로부터 삽입된 부스러기와 그리트를 제거하도록 초음파로 교반되며, 이에 의해 재료 제거의 균일화를 증진하고, 패드의 수명을 연장시키며, 연마된 표면상이 스크래치와 홈을 방지할 수 있다. 특히 이 방법은 삽입된 재료에 의해 발생된 비평탄화가 처리 수율에 영향을 미치는 반도체 웨이퍼상의 점착층을 평탄화하는데 슬러리 폴리싱이 이용되는 적용시에 특히 유용하다. 이 장치는 에너지가 패드상에 집중되도록 슬러리에 초음파 에너지를 가하는 것으로 기재되어 있다.

公开(公告)号：KR1020040093043A

公开(公告)日：2004-11-04

申请号：KR1020040028391

申请日：2004-04-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 엔도쇼스케 ,  이와부치노리유키 ,  가토시게아키 ,  오쿠보도모야 ,  히로세준 ,  나가쿠라고이치 ,  고시미즈지시오 ,  덴포가즈키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/6831

Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus, a focus ring and a susceptor are provided to improve remarkably cooling efficiency of the focus ring without the increase of costs by providing a dielectric part and a conductive part for the focus ring. CONSTITUTION: A plasma processing apparatus includes a susceptor. The susceptor includes an electrostatic chuck(25) and a focus ring(30) connected with the electrostatic chuck through a contact portion. The focus ring is composed of a dielectric part(30a) with the contact portion and a conductive part(30b) on the dielectric part.

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置，聚焦环和基座，以通过为聚焦环提供电介质部分和导电部分而不增加成本，从而显着提高聚焦环的冷却效率。 构成：等离子体处理装置包括基座。 感受器包括静电吸盘（25）和通过接触部分与静电吸盘连接的聚焦环（30）。 聚焦环由介电部分（30a）与介电部分上的接触部分和导电部分（30b）组成。

公开(公告)号：KR100276736B1

公开(公告)日：2001-03-02

申请号：KR1019940026833

申请日：1994-10-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하타지로 ,  이시이노부오 ,  고시미즈지시오 ,  다하라요시후미 ,  니시카와히로시 ,  이마하시잇세이

IPC: H01L21/30

Abstract: 플라즈마 처리장치는, 가스도입 포트 및 가스 배기 포트를 가지는 처리실과, 피처리면을 가지는 웨이퍼를 지지하기 위하여 처리실내에 배치되는 얹어놓는 대와, 처리실로 고주파 에너지를 공급하고 처리실내에 유도 플라즈마를 발생하기 위한 고주파 안테나 및, 고주파 전압을 고주파 안테나로 인가하기 위한 고주파 전압원을 포함한다. 처리실내의 압력 및/또는 광변화는 측정시스템에 의하여 플라즈마의 발생시에 측정되며, 고주파 전압원은 측정시스템으로부터의 신호에 근거하여 제어되므로, 안테나에 인가되는 전압이 처리실내의 압력 및/또는 광에 따라 제어된다.

公开(公告)号：KR100274306B1

公开(公告)日：2000-12-15

申请号：KR1019940005536

申请日：1994-03-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이나자와고이치로 ,  후루야사치코 ,  오가사와라마사히로 ,  고시미즈지시오 ,  소데쓰군 ,  아라키요이치

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/31116

Abstract: 반도체 웨이퍼와 같은 피처리체를 에칭처리하기 위하여, 진공처리실 내에 피처리체를 넣고, 지공처리실 내에 에칭가스를 도입하며, 고주파 전원에 의하여 처리실 내의 1쌍의 전극 사이에 전력을 인가한다. 에칭가스로서는, H를 포함하지 않은, 적어도 4족과 7족의 원소를 함유하는 가스와 CO의 혼합가스가 사용된다. 4족과 7족의 원소를 함유하는 가스로서는, 할로겐화 탄소, 전형적으로는, C
4 F
8 와 같은 불화탄소가 사용된다. CO는 에칭가스의 50% 이상 포함시키는 것이 좋다. 에칭가스에는, 약 86% 이상의 불활성 가스, 예를들면 Ar, Xe, Kr 등이나 또 N
2 , O
2 를 첨가하는 것이 바람직하다. 상기와 같은 에칭가스의 사용에 의하여 높은 에칭 선택비가 얻어지며, 팬스의 형성이 방지된다.

公开(公告)号：KR100263406B1

公开(公告)日：2000-11-01

申请号：KR1019940020787

申请日：1994-08-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  동경 엘렉트론 에이티 주식회사

Inventor： 사이토스스무 ,  고시미즈지시오

IPC: H01L21/30

Abstract: 본 발명은 피처리물에 대하여 플라즈마를 사용한 처리가 수행될 때, 광검출기 수단에 의하여 플라즈마내의 활성종의 특정 파장대역에 있어서의 방출 스펙트럼을 연속적으로 검지하는 단계와, 방출 스펙트럼의 방출 강도의 합계평균치를 계산하는 단계와, 계산치를 얻기 위하여 합계평균치들 사이의 편차 또는 비율을 계산하는 단계 및, 계산치가 소정의 기준치를 초과하는 점을 처리의 종점으로서 결정하는 단계를 포함하여 구성되는 종점 검지방법을 제공하는 것이다..

公开(公告)号：KR1019950012608A

公开(公告)日：1995-05-16

申请号：KR1019940026833

申请日：1994-10-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하타지로 ,  이시이노부오 ,  고시미즈지시오 ,  다하라요시후미 ,  니시카와히로시 ,  이마하시잇세이

IPC: H01L21/30

Abstract: 플라즈마 처리장치는, 가스도입포트 및 가스 배기포트를 가지는 처리실과, 피처리면을 가지는 웨이퍼를 지지하기 위하여 처리실내에 배치되는 얹어놓는대와, 처리실로 고주파 에너지를 공급하고 처리실내에 유도플라즈마를 발생하기 위한 고주파 안테나 및, 고주파 전압을 고주파 안테나로 인가하기 위한 고주파 전압원을 포함한다. 처리실내의 압력 및/또는 광변화는 측정시스템에 의하여 플라즈마의 발생시에 측정되며, 고주파 전압원은 측정시스템으로부터의 신호에 근거하여 제어되므로, 안테나에 인가되는 전압이 처리실내의 압력 및/또는 광에 따라 제어된다.

公开(公告)号：KR1019950006998A

公开(公告)日：1995-03-21

申请号：KR1019940020787

申请日：1994-08-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  동경 엘렉트론 에이티 주식회사

Inventor： 사이토스스무 ,  고시미즈지시오

IPC: H01L21/30

Abstract: 본 발명은 피처리물에 대하여 플라즈마를 사용한 처리가 수행될 때, 광검출기 수단에 의하여 플라즈마내의 활성종의 특정 파장대역에 있어서의 방출 스펙트럼을 연속적으로 검지하는 단계와, 방출 스펙트럼의 방출강도의 합계 평균치를 계산하는 단계와, 계산치를 얻기 위하여 합계평균치들 사이의 편차 또는 비율을 계산하는 단계 및 계산치가 소정의 기준치를 초과하는 점을 처리의 종점으로서 결정하는 단계를 포함하여 구성되는 종점 검지방법을 제공하는 것이다.