公开(公告)号：KR100274306B1

公开(公告)日：2000-12-15

申请号：KR1019940005536

申请日：1994-03-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이나자와고이치로 ,  후루야사치코 ,  오가사와라마사히로 ,  고시미즈지시오 ,  소데쓰군 ,  아라키요이치

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/31116

Abstract: 반도체 웨이퍼와 같은 피처리체를 에칭처리하기 위하여, 진공처리실 내에 피처리체를 넣고, 지공처리실 내에 에칭가스를 도입하며, 고주파 전원에 의하여 처리실 내의 1쌍의 전극 사이에 전력을 인가한다. 에칭가스로서는, H를 포함하지 않은, 적어도 4족과 7족의 원소를 함유하는 가스와 CO의 혼합가스가 사용된다. 4족과 7족의 원소를 함유하는 가스로서는, 할로겐화 탄소, 전형적으로는, C
4 F
8 와 같은 불화탄소가 사용된다. CO는 에칭가스의 50% 이상 포함시키는 것이 좋다. 에칭가스에는, 약 86% 이상의 불활성 가스, 예를들면 Ar, Xe, Kr 등이나 또 N
2 , O
2 를 첨가하는 것이 바람직하다. 상기와 같은 에칭가스의 사용에 의하여 높은 에칭 선택비가 얻어지며, 팬스의 형성이 방지된다.

公开(公告)号：KR100159039B1

公开(公告)日：1999-02-01

申请号：KR1019930000385

申请日：1993-01-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아라키요이치 ,  모치즈키슈우지

IPC: H01L21/265

Abstract: 방전플라즈마로부터 전자빔을 인출하고, 이것을 가속하고, 가속된 전자빔을 반응가스에 조사함으로서, 반응가스를 플라즈마화하고, 이 가스 플라즈마를 반도체 웨이퍼에 작용시키는 전자빔 여기식 플라즈마 처리장치이다.
전자빔 여기식 플라즈마 처리장치는, 방전플라즈마를 발생시키기 위한 가스를 캐소드전극 및 애노드 전극의 상호간에 공급하는 제1의 가스공급원과, 상기 제1의 자장형성수단에 의하여 둘러싸이고, 캐소드 전극축과 웨이퍼 중심축과를 연결하는 센터라인을 따라서 전자빔이 가이드되도록, 전자빔의 향방과 실질적으로 평행인 자장을 형성하는 제1의 솔레노이드 코일과, 애노드 전극과의 사이에 전압을 인가하여 전자빔을 가소시키는 가속 전극과, 웨이퍼와 대면하듯이 설치되고, 제1의 솔레노이드코일에 의하여 형성된 자장을 상기 센터라인으로부터 바깥을 향하여 산란시키는 제2의 솔레노이드 코일과, 제2의 솔레노이드 코일에 의하여 산란된 자장을 웨이퍼의 주변으로 끌어들이는 이중의 제3의 솔레노이드 코일과, 전자빔에 의하여 플라즈마화되는 � ��로세스가스를 웨이퍼의 주위의 영역에 공급하는 제2의 가스공급원과, 웨이퍼의 주위의 영역을 배기하는 진공펌프를 가진다.

公开(公告)号：KR1019940022725A

公开(公告)日：1994-10-21

申请号：KR1019940005536

申请日：1994-03-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이나자와고이치로 ,  후루야사치코 ,  오가사와라마사히로 ,  고시미즈지시오 ,  소데쓰군 ,  아라키요이치

IPC: H01L21/302

Abstract: 반도체 웨이퍼와 같은 피처리체를 에칭처리하기 위하여, 진공처리실내에 피처리체를 넣고, 진공처리실 내에 에칭가스를 도입하며, 고주파 전원에 의하여 처리실 내의 1쌍의 전극 사이에 전력을 인가한다. 에칭가스로서는, H를 포함하지 않은, 적어도 4족과 7족의 원소를 함유하는 가스와 CO의 혼합가스가 사용된다. 4족과 7족의 원소를 함유하는 가스로서는, 할로겐화 탄소, 전형적으로는 C
4 F와 같은 불화탄소가 사용된다. CO는 에칭가스의 50% 이상 포함시키는 것이 좋다. 에칭가스에는, 약 86% 이상의 불활성 가스, 예를들면 Ar,Xe,Kr등이나 또 N
2 , O
2 를 첨가하는 것이 바람직하다. 상기와 같은 에칭가스의 사용에 의하여 높은 에칭 선택비가 얻어지며, 팬스의 형성이 방지된다.

公开(公告)号：KR1019930017089A

公开(公告)日：1993-08-30

申请号：KR1019930000385

申请日：1993-01-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아라키요이치 ,  모치즈키슈우지

IPC: H01L21/265

Abstract: 방전플라즈마로부터 전자빔을 인출하고, 이것을 가속하고, 가속된 전자빔을 반응가스에 조사함으로써, 반응가스를 플라즈마화하고, 이 가스 플라즈마를 반도체 웨이퍼에 작용시키는 전자빔 여기식 플라즈마 처리장치이다.
전자빔 여기식 플라즈마처리장치는, 방전플라즈마를 발생시키기 위한 가스를 캐소드전극 및 애노드전극의 상호간에 공급하는 제1의 가스공급원과, 상기 제1의 자장형성수단에 의하여 둘러싸이고, 캐소드 전극축과 웨이퍼 중심축과를 연결하는 센터라인을 따라서 전자빔이 가이드되도록, 전자빔의 향방과 실질적으로 평행인 자장을 형성하는 제1의 솔레노이드코일과, 애노드전극과의 사이에 전압을 인가하여 전자빔을 가속시키는 가속전극과, 웨이퍼와 대면하듯이 설치되고, 제1의 솔레노이드코일에 의하여 형성된 자장을 상기 센터라인으로부터 바깥을 향하여 산란시키는 제2의 솔레노이드 코일과, 제2의 솔레노이드코일에 의하여 산란된 자장을 웨이퍼의 주변으로 끌어들이는 이중의 제3의 솔레노이드코일과, 전자빔에 의하여 플라즈마화되는 프로 스가스를 웨이퍼의 주위의 영역에 공급하는 제2의 가스공급원과, 웨이퍼의 주위의 영역을 배기하는 진공펌프를 가진다.