公开(公告)号：KR1019960012337A

公开(公告)日：1996-04-20

申请号：KR1019950030201

申请日：1995-09-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카모토신 ,  이나자와고이치로 ,  후루야사치코 ,  고이즈미마키

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/31116 ,  G03F7/091 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31144

Abstract: 에칭방법은, 웨이퍼상에피에칭층을형성하고, 이피에칭층을난반사방지막으로덮고, 이난반사방지막을포토레지스트막으로덮는공정과, 포토레지스트막을패터닝노광하는공정과, 노광된포토레지스트막을현상하고, 난반사방지막이노출하는패턴개구부를형성하는공정과, 웨이퍼를챔버내에반입하고, 챔버내를배기하여감압분기로하고, O가스및 N가스중 적어도한쪽과 CF가스와의혼합가스를처리실내에도입하여, 이혼합가스의플라즈마를생성시키고, 플라즈마중의활성종을웨이퍼에작용시켜서, 이에의해패턴개구부의주위측벽의포토레지스트막을실질적으로에칭하지않고, 패턴개구부에노출한난반사방지막을에칭하고, 피에칭층을에칭하는공정을구비한다.

Abstract translation: 蚀刻方法，以形成晶片状外延蚀刻层，两脚覆盖蚀刻层膜扩散，覆盖防反射膜沂南过程是一个光致抗蚀剂膜，光处理，以形成抗蚀剂图案进行曝光的膜，并显影曝光的光致抗蚀剂膜 通过形成图案开口于膜漫射曝光的步骤，以使晶片插入腔室和排气腔室压力分支和O介绍了气体，和N 2气体的混合气体的CF气体中的至少一种在处理室中 并且，它被称为创建离婚总和气体的等离子体，并且通过活性物质的血浆到晶片中的动作，并且因此而基本上不蚀刻所述图案中的开口的侧壁周边的光致抗蚀剂，防止漫反射通过，P暴露于图案中的开口膜 并蚀刻蚀刻层。

公开(公告)号：KR100274306B1

公开(公告)日：2000-12-15

申请号：KR1019940005536

申请日：1994-03-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이나자와고이치로 ,  후루야사치코 ,  오가사와라마사히로 ,  고시미즈지시오 ,  소데쓰군 ,  아라키요이치

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/31116

Abstract: 반도체 웨이퍼와 같은 피처리체를 에칭처리하기 위하여, 진공처리실 내에 피처리체를 넣고, 지공처리실 내에 에칭가스를 도입하며, 고주파 전원에 의하여 처리실 내의 1쌍의 전극 사이에 전력을 인가한다. 에칭가스로서는, H를 포함하지 않은, 적어도 4족과 7족의 원소를 함유하는 가스와 CO의 혼합가스가 사용된다. 4족과 7족의 원소를 함유하는 가스로서는, 할로겐화 탄소, 전형적으로는, C
4 F
8 와 같은 불화탄소가 사용된다. CO는 에칭가스의 50% 이상 포함시키는 것이 좋다. 에칭가스에는, 약 86% 이상의 불활성 가스, 예를들면 Ar, Xe, Kr 등이나 또 N
2 , O
2 를 첨가하는 것이 바람직하다. 상기와 같은 에칭가스의 사용에 의하여 높은 에칭 선택비가 얻어지며, 팬스의 형성이 방지된다.

公开(公告)号：KR1019940022725A

公开(公告)日：1994-10-21

申请号：KR1019940005536

申请日：1994-03-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이나자와고이치로 ,  후루야사치코 ,  오가사와라마사히로 ,  고시미즈지시오 ,  소데쓰군 ,  아라키요이치

IPC: H01L21/302

Abstract: 반도체 웨이퍼와 같은 피처리체를 에칭처리하기 위하여, 진공처리실내에 피처리체를 넣고, 진공처리실 내에 에칭가스를 도입하며, 고주파 전원에 의하여 처리실 내의 1쌍의 전극 사이에 전력을 인가한다. 에칭가스로서는, H를 포함하지 않은, 적어도 4족과 7족의 원소를 함유하는 가스와 CO의 혼합가스가 사용된다. 4족과 7족의 원소를 함유하는 가스로서는, 할로겐화 탄소, 전형적으로는 C
4 F와 같은 불화탄소가 사용된다. CO는 에칭가스의 50% 이상 포함시키는 것이 좋다. 에칭가스에는, 약 86% 이상의 불활성 가스, 예를들면 Ar,Xe,Kr등이나 또 N
2 , O
2 를 첨가하는 것이 바람직하다. 상기와 같은 에칭가스의 사용에 의하여 높은 에칭 선택비가 얻어지며, 팬스의 형성이 방지된다.

公开(公告)号：KR100260589B1

公开(公告)日：2000-08-01

申请号：KR1019950030201

申请日：1995-09-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카모토신 ,  이나자와고이치로 ,  후루야사치코 ,  고이즈미마키

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/31116 ,  G03F7/091 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31144

Abstract: 에칭방법은, 웨이퍼상에 피에칭층을 형성하고, 이 피에칭층을 난반사 방지막으로 덮고, 이 난반사 방지막을 포토레지스트막으로 덮는 공정과, 포토레지스트막을 패터닝 노광하는 공정과, 노광된 포토레지스트막을 현상하고, 난반사 방지막이 노출하는 패턴개구부를 형성하는 공정과, 웨이퍼를 챔버 내에 반입하고, 챔버 내를 배기하여 감압분위기로 하고, O
2 가스 및 N
2 가스 중 적어도 한쪽과 C
4 F
8 가스와의 혼합가스를 처리실내에 도입하여, 이 혼합가스의 플라즈마를 생성시키고, 플라즈마 중의 활성종을 웨이퍼에 작용시켜서, 이에 의해 패턴개구부의 주위측벽의 포토레지스트막을 실질적으로 에칭하지 않고, 패턴개구부에 노출한 난반사 방지막을 에칭하고, 피에칭층을 에칭하는 공정을 구비한다.