公开(公告)号：KR100477402B1

公开(公告)日：2005-03-22

申请号：KR1020007005355

申请日：1998-11-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카세리사 ,  아오키다케시 ,  스즈키아키라 ,  가토요시히로

IPC: H01L21/314

Abstract: 반도체 소자의 층간 절연막으로서 이용할 수 있는 불소 첨가 탄소막(CF 막)이 텅스텐 상호 접속을 형성하기 위해 약 400∼450℃로 가열되는 경우에, 불소 함유 가스는 상기 텅스텐 상호 접속의 부식 및 CF 막 두께의 저감과 같은 여러 가지 문제점이 발생되는 상기 CF 막으로부터 탈기된다. 이러한 종래의 문제점을 해결하기 위해서는 열안정성의 개선이 요구되고 있다. 본 발명에 따르면, C와 F의 화합물 가스(예컨대, C
4 F
8 가스)와, 탄화수소 가스(예컨대, C
2 H
4 가스) 및 일산화탄소(CO) 가스가 박막 증착 가스로서 사용되며, 400℃의 공정 온도에서의 활성종으로부터 반도체 웨이퍼(10)상에 CF 막을 형성하기 위해서 플라즈마 내부로 변형시킨다. 상기 일산화탄소(CO) 가스의 첨가는 흑연 결합보다 다이아몬드 결합을 형성하는데 기여한다. 따라서, 본 발명에 따르면, 강고한 결합을 가지며, 열안정성이 높은 고온인 경우에서 조차도 거의 박리되지 않는다.

公开(公告)号：KR1019960015721A

公开(公告)日：1996-05-22

申请号：KR1019940016829

申请日：1994-07-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시츠카슈우이치 ,  가와무라고헤이 ,  하타지로 ,  스즈키아키라

IPC: H01L21/26

Abstract: 플라즈마 막형성장치는, 처리실내에 처리가스를 공급하는 가스공급수단과, 처리실내의 피처리물에 대향된 제1전극과, 피처리물을 사이에 두고 제1전극에 대향되고, 평면형상의 코일로 이루어진 제2전극과, 처리실내의 압력을 0.1Torr 이하로 유지하는 압력조정수단과, 피처리물을 소정온도로 가열하는 가열수단과, 제1 및 제2전극간에 고주파전력을 인가하고, 그 결과, 처리가스가 플라즈마화되어서 플라즈마의 이온 또는 활성종의 반응에 의하여 피처리물의 표면에 박막이 형성되는 인가수단을 구비하고 있다. 한쌍의 전극간에 고주파전력을 인가하면 고주파 전계가 형성되는데, 전국의 한편이 평면형상의 코일이기 때문에, 자장이 형성된다. 그 결과, 처리가스는 전기에너지와 자기에너지에 의하여 플라즈마화한다. 따라서, 처리가스는 낮은 압력에서 플라즈마화하고, 그 압력이 0.1Torr 이하로 되어 있어도, 코일도의 플라즈마가 생성된다. 그 때문에, 피처리물 표면에 있어서의 이온 조사효율이 높고, 불순물의 제거효과가 높다.

公开(公告)号：KR1019950034531A

公开(公告)日：1995-12-28

申请号：KR1019950009915

申请日：1995-04-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키아키라 ,  가와무라고헤이 ,  이시즈카슈이치 ,  하타지로

IPC: H01L21/3065

Abstract: 플라즈마 처리장치는 처리용기내에서 피처리기면을 가지는 피처리물을 지지하기 위한 서셉터와, 처리용기내로 피처리물 처리가스를 공급하기 위한 다수개의 처리가스 공급노즐과, 처리가스의 플라즈마를 발생하기 위하여 처리용기내에 전자파를 발생시키는 고주파 코일을 포함하여 구성된다. 공급노즐은 처리용기내의 피처리체의 표면에 실질적으로 수직인 방향으로 다수개의 높이로 형성된 처리가스 분출구멍을 가지며, 높은곳에 위치하는 가스 분출구멍들을 낮은 곳의 가스 분출구멍의 표면보다 더 중심에 가까이 위치한다.

公开(公告)号：KR100274307B1

公开(公告)日：2000-12-15

申请号：KR1019940016829

申请日：1994-07-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시츠카슈우이치 ,  가와무라고헤이 ,  하타지로 ,  스즈키아키라

IPC: H01L21/26

CPC classification number: H01J37/32082 ,  C23C16/509 ,  H01J37/3266 ,  H01L21/31051

Abstract: 플라즈마 막형성장치는, 처리실내에 처리가스를 공급하는 가스공급수단과, 처리실내의 피처리물에 대향된 제 1 전극과, 피처리물을 사이에 두고 제 1 전극에 대향되고, 평면형상의 코일로 이루어진 제 2 전극과, 처리실내의 압력을 0.1Torr 이하로 유지하는 압력조정수단과, 피처리물을 소정온도로 가열하는 가열수단과, 제 1 및 제 2 전극간에 고주파전력을 인가하고, 그 결과, 처리가스가 플라즈마화되어서 플라즈마의 이온 또는 활성종의 반응에 의하여 피처물의 표면에 박막이 형성되는 인가수단을 구비하고 있다. 한쌍의 전극간에 고주파전력을 인가하면 고주파전계가 형성되는데, 전극의 한편이 평면형상의 코일이기 때문에, 자장이 형성된다.
그 결과, 처리가스는 전기에너지와 자기에너지에 의하여 플라즈마화 한다. 따라서, 처리가스는 낮은 압력으로 플라즈마화하고, 그 압력이 0.1Torr이하로 되어 있어도, 고밀도의 플라즈마가 생성된다. 그 때문에, 피처리물 표면에 있어서의 이오 조사효율이 높고, 불순물의 제거효과가 높다.

公开(公告)号：KR1020010033959A

公开(公告)日：2001-04-25

申请号：KR1020007007544

申请日：1999-01-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아카호리다카시 ,  스즈키아키라

IPC: H01L21/768

Abstract: 기판에 형성된 불소 첨가 탄소막으로 이루어지는 절연막과, 상기 불소 첨가 탄소막 위에 형성된 금속층과, 상기 절연막과 상기 금속층 사이에 형성된 강한 밀착층을 구비하는 반도체 디바이스이다. 상기 강한 밀착층은, 탄소와 상기 금속(상기 금속층에 포함된 금속과 동일한 금속)을 구비하는 화합물로 이루어지고, 상기 금속층이 상기 불소 첨가 탄소막에서 박리되는 것을 방지한다.

公开(公告)号：KR100379308B1

公开(公告)日：2003-04-10

申请号：KR1020007007544

申请日：1999-01-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아카호리다카시 ,  스즈키아키라

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/32051 ,  C23C16/26 ,  C23C16/30 ,  C23C16/56 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76843

Abstract: A semiconductor device has a dielectric film made of a fluorine-added carbon film formed on a substrate, a metallic layer formed on the fluorine-added carbon film and an adhesive layer formed between the dielectric film and the metallic layer. The adhesive layer is made of a compound layer having carbon and the metal (or metal the same as the metal included in the metallic layer), to protect the metallic layer from being peeled-off from the fluorine-added carbon film.

Abstract translation: 半导体器件具有在衬底上形成的由加氟碳膜制成的介电膜，在加氟碳膜上形成的金属层以及在介电膜和金属层之间形成的粘合剂层。 粘合剂层由具有碳和金属（或与金属层中包含的金属相同的金属）的化合物层构成，以防止金属层从添加氟的碳膜剥离。

公开(公告)号：KR100300097B1

公开(公告)日：2001-11-30

申请号：KR1019950009915

申请日：1995-04-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키아키라 ,  가와무라고헤이 ,  이시즈카슈이치 ,  하타지로

IPC: H01L21/3065

Abstract: 플라즈마 처리장치는 처리용기내에서 피처리면을 가지는 피처리물을 지지하기 위한 서셉터와, 처리응기내로 피처리물 처리가스를 공급하기 위한 다수개의 처리가스 공급노즐과, 처리가스의 플라즈마를 발생하기 위하여 처리용기내에 전자파를 발생시키는 고주파 코일을 포함하여 구성된다. 공급노즐은 처리용기내의 피처리체의 표면에 실질적으로 수직인 방향으로 다수개의 높이로 형성된 처리가스 분출구멍을 가지며, 높은 곳에 위치하는 가스 분출구멍들은 낮은 곳의 가스분출구멍의 표면보다 더 중심에 가까이 위치한다.

公开(公告)号：KR1020010032168A

公开(公告)日：2001-04-16

申请号：KR1020007005355

申请日：1998-11-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카세리사 ,  아오키다케시 ,  스즈키아키라 ,  가토요시히로

IPC: H01L21/314

Abstract: 반도체 소자의 층간 절연막으로서 이용할 수 있는 불소 첨가 탄소막(CF 막)이 텅스텐 상호 접속을 형성하기 위해 약 400∼450℃로 가열되는 경우에, 불소 함유 가스는 상기 텅스텐 상호 접속의 부식 및 CF 막 두께의 저감과 같은 여러 가지 문제점이 발생되는 상기 CF 막으로부터 탈기된다. 이러한 종래의 문제점을 해결하기 위해서는 열안정성의 개선이 요구되고 있다. 본 발명에 따르면, C와 F의 화합물 가스(예컨대, C
4 F
8 가스)와, 탄화수소 가스(예컨대, C
2 H
4 가스) 및 일산화탄소(CO) 가스가 박막 증착 가스로서 사용되며, 400℃의 공정 온도에서의 활성종으로부터 반도체 웨이퍼(10)상에 CF 막을 형성하기 위해서 플라즈마 내부로 변형시킨다. 상기 일산화탄소(CO) 가스의 첨가는 흑연 결합보다 다이아몬드 결합을 형성하는데 기여한다. 따라서, 본 발명에 따르면, 강고한 결합을 가지며, 열안정성이 높은 고온인 경우에서 조차도 거의 박리되지 않는다.