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公开(公告)号：KR101814272B1
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：KR1020160025180
申请日：2016-03-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 스즈키유우스케
IPC: H01L43/12 , H01L43/10 , H01L21/02 , H01L21/203 , C23C14/34
CPC classification number: H01J37/345 , C23C14/352 , H01J37/3447
Abstract: 처리스루풋의저하를방지하면서, 고품질의박막을형성한다. 일실시형태를따르는성막장치는, 처리용기와, 처리용기내에가스를공급하는가스공급부와, 연직방향으로연장되는중심축선에그 중심이일치하도록처리용기내에배치된스테이지로서, 피처리체를섭씨 -50도이하로냉각가능한냉각기능을갖는, 해당스테이지와, 처리용기내 또한스테이지의상방에서, 환형으로연장되는타겟을보지하는홀더와, 타겟에인가되는전압을발생시키는전원과, 타겟에대향하도록처리용기의외부에배치된마그넷과, 중심축선주위로마그넷을회전시키는마그넷회전기구를구비한다.
Abstract translation: 在防止处理产量下降的同时形成高质量的薄膜。 本实施方式的成膜装置具备处理容器，向处理容器内供给气体的气体供给部，以及以使其中心与在上下方向上延伸的中心轴一致的方式配置在处理容器内的工作台， 一个用于在处理容器中和台上方保持环形延伸的靶的支架，用于产生施加到靶的电压的电源， 设置在容器外部的磁体和用于围绕中心轴旋转磁体的磁体旋转机构。
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公开(公告)号：KR1020160108186A
公开(公告)日：2016-09-19
申请号：KR1020160025180
申请日：2016-03-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 스즈키유우스케
IPC: H01L43/12 , H01L43/10 , H01L21/02 , H01L21/203 , C23C14/34
CPC classification number: H01J37/345 , C23C14/352 , H01J37/3447
Abstract: 처리스루풋의저하를방지하면서, 고품질의박막을형성한다. 일실시형태를따르는성막장치는, 처리용기와, 처리용기내에가스를공급하는가스공급부와, 연직방향으로연장되는중심축선에그 중심이일치하도록처리용기내에배치된스테이지로서, 피처리체를섭씨 -50도이하로냉각가능한냉각기능을갖는, 해당스테이지와, 처리용기내 또한스테이지의상방에서, 환형으로연장되는타겟을보지하는홀더와, 타겟에인가되는전압을발생시키는전원과, 타겟에대향하도록처리용기의외부에배치된마그넷과, 중심축선주위로마그넷을회전시키는마그넷회전기구를구비한다.
Abstract translation: 本公开提供了一种能够形成高质量薄膜同时防止加工生产量降低的成膜设备。 成膜装置包括处理室，气体供给单元，台，至少一个保持器，电源，至少一个磁体和磁体旋转单元。 气体供给单元构造成将气体供给到处理室。 该台设置在处理室中，具有与沿垂直方向延伸的中心轴重合的中心。 舞台被配置为将对象冷却到约-50℃或更低。 每个保持器构造成保持目标，并且在处理室内的台架上方呈环状延伸。 电源被配置为产生要施加到目标的电压。 每个磁体设置在处理室外部并面向目标。 磁体旋转单元构造成使磁体围绕中心轴旋转。
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公开(公告)号：KR1020150050375A
公开(公告)日：2015-05-08
申请号：KR1020140140554
申请日：2014-10-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Abstract: 일실시형태의 MTJ 소자의제조방법은, 제 1 자성층과, 제 2 자성층과, 제 1 자성층및 제 2 자성층의사이의터널절연층을포함하는 MTJ 소자의제조방법이다. 이방법은, 제 1 자성층위에터널절연층을형성하는공정과, 제 1 자성층및 터널절연층을포함하는피처리체를마이크로파가열또는유도가열에의해가열하는공정을포함한다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例的磁隧道结（MTJ）器件的制造方法包括在第一和第二磁性层之间的第一磁性层，第二磁性层和隧道绝缘层。 该方法包括在第一磁性层上形成隧道绝缘层的工艺以及通过微波加热或感应加热方法加热包括第一磁性层和隧道绝缘层的物体的工艺。
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