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公开(公告)号：KR101057866B1
公开(公告)日：2011-08-19
申请号：KR1020090063576
申请日：2009-07-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Abstract: 동일한 기판에서 미소 이물질의 검출과 성분 분석을 실행할 수 있는 이물질 검출 방법을 제공한다. 광학식 이물질 검사 장치(13), 전자빔 조사 장치(14), 수증기 공급 유닛(15) 및 압력 제어 밸브(17)를 구비하는 이물질 검출 장치(10)에 있어서, 웨이퍼(W)의 온도 및 해당 웨이퍼의 표면을 둘러싸는 분위기 중의 수증기압을 제어하는 것에 의해 파티클(P)의 주위에 선택적으로 수분을 결로시키고, 그 후에 웨이퍼(W)의 온도를 저하시키면서, 상기 수증기압을 웨이퍼의 표면에 파티클이 부착되어 있지 않은 경우의 포화증기압 곡선을 초과하지 않도록 제어하여 결로한 수분으로부터 얼음의 결정(T)을 발생 및 성장시키며, 웨이퍼(W)의 표면을 광학적으로 검사하고, 검사 대상인 파티클(P)의 위치를 특정하고, 얼음의 결정(T)을 증발시켜서 제거하고, 나아가 특정된 파티클(P)의 성분을 전자빔을 사용하여 분석한다.
Abstract translation: 本发明提供一种异物检测方法，能够检测同一基板上的微粒和分析成分。 的光学异物检查装置13中，电子束照射装置14，蒸汽供应单元15和异物检测装置10，该温度时，压力控制阀17，和晶片（W），具有晶片 通过控制周围大气，表面，之后的蒸气压冷凝在粒子（P）的外周选择性的水分，同时降低在晶片（W）的温度，而不是水蒸汽压力是粘附到晶片的表面上的颗粒 所述颗粒（P）受试者sikimyeo的位置来控制，以便不通过由光学检查某些情况下产生和从水中生长的冰晶体（T），并且检查晶片（W）的表面上以超过缩合的饱和蒸气压力曲线，该曲线 ，冰的晶体（T）被蒸发并除去，此外，使用电子束分析特定粒子（P）的组分。
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公开(公告)号：KR1020100007812A
公开(公告)日：2010-01-22
申请号：KR1020090063576
申请日：2009-07-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Abstract: PURPOSE: A foreign material detecting method, a foreign material detecting device, a foreign material detecting system, and a storage medium are provided to perform a foreign material detection and a component analysis on the same substrate. CONSTITUTION: A foreign material detecting method is as follows. The moisture around foreign materials is selectively condensed by controlling vapor pressure surrounding a substrate. Ice crystals are generated from the condensed moisture by controlling a saturated vapor pressure curve when the foreign materials are not attached to the surface of the substrate. The surface of the substrate is optically inspected. The temperature of the substrate falls and the saturated vapor pressure, when the foreign materials are not attached on the surface of the substrate, is controlled to produce the vapor pressure.
Abstract translation: 目的：提供异物检测方法，异物检测装置，异物检测系统和存储介质，以在同一基板上进行异物检测和成分分析。 构成：异物检测方法如下。 通过控制衬底周围的蒸汽压来选择性地冷凝异物周围的水分。 当外来物质未附着于基材表面时，通过控制饱和蒸气压曲线，从冷凝水分产生冰晶。 对基板的表面进行光学检查。 当外部材料未附着在基板的表面上时，基板的温度下降，饱和的蒸气压被控制以产生蒸气压。
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公开(公告)号：KR100635436B1
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：KR1020050015360
申请日：2005-02-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/67248 , H01J37/32935 , H01J2237/0225
Abstract: 파티클에 의한 피처리체의 오염을 저감할 수 있는 프로세스 장치 및 해당 프로세스 장치내의 파티클 제거 방법을 제공한다. 드라이 에칭 장치(1)는, 피처리체로서의 웨이퍼(50)의 에칭 처리를 실행하도록 그 내부가 고진공으로 유지되는 진공 처리실(10)과, 진공 처리실(10)내의 하부에 배치되고 또한 웨이퍼(50)를 탑재하는 탑재대를 겸하는 하부 전극(20)과, 진공 처리실(10)내에 있어서 하부 전극(20)과 대향하여 배치된 상부 전극(40)과, 진공 처리실(10)의 내벽의 온도를 검지하는 온도 센서(16)와, 하부 전극(20)의 온도를 검지하는 온도 센서(24)와, 상부 전극(40)의 온도를 검지하는 온도 센서(44)와, 상부 전극(40)에 연결됨과 더불어 진공 처리실(10)에 소정의 기체를 도입하는 기체 도입 장치(41)와, 진공 처리실(10)의 내벽의 온도, 하부 전극(20)의 온도, 및 상부 전극(40)의 온도에 근거하여 해당 소정의 온도를 제어하는 제어 장치(91)를 구비한다.
온도구배, 프로세스 장치, 파티클Abstract translation: 提供一种能够减少待处理物体被污染物污染的处理装置以及处理装置中的颗粒去除方法。 干式蚀刻设备1包括：真空处理室10，其中真空处理室10的内部保持在高真空以对作为待处理对象的晶片50执行蚀刻处理; 和下部电极20作为安装台，用于安装，用于检测在下部电极20的壁的温度和用于上部电极40和真空处理室（10）布置成面向在真空室10 检测下部电极20的温度的温度传感器24，检测上部电极40的温度的温度传感器44， 该气体导入装置41的温度和温度，在真空处理室10的内壁上的下部电极20和上部电极（40）的温度，用于将预定气体引入真空处理室的基础（10）上 以及用于控制预定温度的控制装置91。
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公开(公告)号：KR1020060042140A
公开(公告)日：2006-05-12
申请号：KR1020050015360
申请日：2005-02-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/67248 , H01J37/32935 , H01J2237/0225
Abstract: 파티클에 의한 피처리체의 오염을 저감할 수 있는 프로세스 장치 및 해당 프로세스 장치내의 파티클 제거 방법을 제공한다. 드라이 에칭 장치(1)는, 피처리체로서의 웨이퍼(50)의 에칭 처리를 실행하도록 그 내부가 고진공으로 유지되는 진공 처리실(10)과, 진공 처리실(10)내의 하부에 배치되고 또한 웨이퍼(50)를 탑재하는 탑재대를 겸하는 하부 전극(20)과, 진공 처리실(10)내에 있어서 하부 전극(20)과 대향하여 배치된 상부 전극(40)과, 진공 처리실(10)의 내벽의 온도를 검지하는 온도 센서(16)와, 하부 전극(20)의 온도를 검지하는 온도 센서(24)와, 상부 전극(40)의 온도를 검지하는 온도 센서(44)와, 상부 전극(40)에 연결됨과 더불어 진공 처리실(10)에 소정의 기체를 도입하는 기체 도입 장치(41)와, 진공 처리실(10)의 내벽의 온도, 하부 전극(20)의 온도, 및 상부 전극(40)의 온도에 근거하여 해당 소정의 온도를 제어하는 제어 장치(91)를 구비한다.
온도구배, 프로세스 장치, 파티클
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