公开(公告)号：KR1020150001670A

公开(公告)日：2015-01-06

申请号：KR1020140078812

申请日：2014-06-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나가이케히로시

IPC: G01M3/32 ,  C23C16/44 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065

CPC classification number: G01M3/32

Abstract: 본 발명은 리크 체크에 필요한 시간을 단축하면서, 정밀도가 높은 리크 체크를 행하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 따르면, 처리 용기의 내부를 배기하는 단계와, 상기 배기하는 단계를 종료한 후, 상기 처리 용기의 내부에 질소 N
2 및 산소 O
2 를 공급하는 단계와, 상기 질소 N
2 및 산소 O
2 를 공급하는 단계를 종료한 후, 상기 처리 용기의 내부의 전압력 및 수분압을 계측하는 단계와, 상기 계측된 전압력으로부터 상기 수분압을 제외한 값에 기초하여, 상기 처리 용기의 리크 레이트(leak rate)를 검사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 리크 체크 방법이 제공된다.

Abstract translation: 本发明的目的是在减少泄漏检查操作所需的时间的同时高精度地执行泄漏检查操作。 本发明提供一种泄漏检查方法，包括以下步骤：排出处理容器的内部; 在完成排气步骤后，将氮气N_2和氧气O_2供应到处理容器中; 在完成供给氮N_2和氧O_2之后测量处理容器内的总压力和水分分压; 并且基于从总压力中减去水分分压而产生的值来测试处理容器的泄漏率。

公开(公告)号：KR1020100007812A

公开(公告)日：2010-01-22

申请号：KR1020090063576

申请日：2009-07-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시 ,  나가이케히로시 ,  시마다마나부

IPC: G01N21/94 ,  G01B11/30 ,  H01L21/66

Abstract: PURPOSE: A foreign material detecting method, a foreign material detecting device, a foreign material detecting system, and a storage medium are provided to perform a foreign material detection and a component analysis on the same substrate. CONSTITUTION: A foreign material detecting method is as follows. The moisture around foreign materials is selectively condensed by controlling vapor pressure surrounding a substrate. Ice crystals are generated from the condensed moisture by controlling a saturated vapor pressure curve when the foreign materials are not attached to the surface of the substrate. The surface of the substrate is optically inspected. The temperature of the substrate falls and the saturated vapor pressure, when the foreign materials are not attached on the surface of the substrate, is controlled to produce the vapor pressure.

Abstract translation: 目的：提供异物检测方法，异物检测装置，异物检测系统和存储介质，以在同一基板上进行异物检测和成分分析。 构成：异物检测方法如下。 通过控制衬底周围的蒸汽压来选择性地冷凝异物周围的水分。 当外来物质未附着于基材表面时，通过控制饱和蒸气压曲线，从冷凝水分产生冰晶。 对基板的表面进行光学检查。 当外部材料未附着在基板的表面上时，基板的温度下降，饱和的蒸气压被控制以产生蒸气压。

公开(公告)号：KR1020110099634A

公开(公告)日：2011-09-08

申请号：KR1020110015579

申请日：2011-02-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나가이케히로시

IPC: G01N15/14 ,  G01N21/85 ,  G01N21/94 ,  G01N21/47

CPC classification number: G01N21/00 ,  G01N15/14 ,  G01N15/00 ,  G01N21/47 ,  G01N21/85 ,  G01N21/94

Abstract: 특정 요인으로 발생되는 파티클의 수를 정확하게 계측할 수 있는 파티클 수 계측 방법을 제공한다. 글라스창(24)을 개재하여 메인 배기 라인(16) 내에 레이저광(25)을 입사시키고, 이 레이저광(25)과 교차한 파티클(P1, P2)로부터 발생하는 산란광(L1, L2)을 광 검출기(21)에 의해 수광하여, 이 수광된 산란광에 기초하여 파티클의 수를 계측할 때, 이동하지 않는 파티클(P2)이 글라스창(24)에 부착된 오염으로 간주되어, 이동하지 않는 파티클(P2)의 수가 메인 배기 라인(16) 내에서 계측된 파티클의 수에서 제외된다.

公开(公告)号：KR1020100054109A

公开(公告)日：2010-05-24

申请号：KR1020090109931

申请日：2009-11-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시 ,  나가이케히로시 ,  야쿠시지히데아키

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L21/67288 ,  G01N21/91 ,  G01N21/94 ,  G01N21/9501

Abstract: PURPOSE: A method and an apparatus for detecting foreign materials and a storage medium are provided to detect a fine material which is over detection limit of a conventional measuring device. CONSTITUTION: In spraying step, oils and fats-type substance or an organic solvent(55) containing a halogen element on the surface of a substrate(W). In condense step, foreign materials to which the oils and fats-type substance or the organic solvent are attached are outstood by controlling the temperature of the surface of the substrate. In an inspection step, the foreign materials to which the oils and fats-type substance or the organic solvent are attached are detected by a surface inspection system.

Abstract translation: 目的：提供用于检测异物和存储介质的方法和装置，以检测传统测量装置超过检测限的细材料。 构成：在喷雾步骤中，在基材表面（W）上含有卤素元素的油和脂肪型物质或有机溶剂（55）。 在冷凝步骤中，通过控制基材表面的温度来了解附着有油和脂肪型物质或有机溶剂的异物。 在检查步骤中，通过表面检查系统检测附着有油和脂肪型物质或有机溶剂的异物。

公开(公告)号：KR100625099B1

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：KR1020040066689

申请日：2004-08-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시 ,  나가이케히로시 ,  나카야마히로유키

IPC: H01L21/30

CPC classification number: H01L21/67028 ,  B08B3/12 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/6831

Abstract: 감압 처리 동안 부재에 부착된 미립자를 비산시켜 부재를 청정화하기 위해서, 부재에 전압을 인가하여 맥스웰(Maxwell)의 응력을 이용하여 미립자를 비산시키는 수단, 미립자를 대전시켜 쿨롱력을 이용하여 비산시키는 수단, 감압 처리실에 가스를 도입하고, 미립자가 부착된 부재에 가스 충격파를 도달시켜, 미립자를 비산시키는 수단, 부재의 온도를 상승시키고, 열응력(熱應力) 및 열영동력(熱泳動力)에 의해 미립자를 비산시키는 수단, 또는 부재에 기계적 진동을 부여하여 미립자를 비산시키는 수단을 사용한다. 또한, 비산시킨 미립자를 비교적 고압 분위기에서 가스류에 동반시켜서 제거한다.

公开(公告)号：KR102257270B1

公开(公告)日：2021-05-26

申请号：KR1020140078812

申请日：2014-06-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나가이케히로시

IPC: G01M3/32

Abstract: 본발명은리크체크에필요한시간을단축하면서, 정밀도가높은리크체크를행하는것을목적으로한다. 본발명에따르면, 처리용기의내부를배기하는단계와, 상기배기하는단계를종료한후, 상기처리용기의내부에질소 N2 및산소 O2를공급하는단계와, 상기질소 N2 및산소 O2를공급하는단계를종료한후, 상기처리용기의내부의전압력및 수분압을계측하는단계와, 상기계측된전압력으로부터상기수분압을제외한값에기초하여, 상기처리용기의리크레이트(leak rate)를검사하는단계를포함하는것을특징으로하는리크체크방법이제공된다.

公开(公告)号：KR100635436B1

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：KR1020050015360

申请日：2005-02-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시 ,  나가이케히로시 ,  나카야마히로유키 ,  오쿠야마기쿠오 ,  시마다마나부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67248 ,  H01J37/32935 ,  H01J2237/0225

Abstract: 파티클에 의한 피처리체의 오염을 저감할 수 있는 프로세스 장치 및 해당 프로세스 장치내의 파티클 제거 방법을 제공한다. 드라이 에칭 장치(1)는, 피처리체로서의 웨이퍼(50)의 에칭 처리를 실행하도록 그 내부가 고진공으로 유지되는 진공 처리실(10)과, 진공 처리실(10)내의 하부에 배치되고 또한 웨이퍼(50)를 탑재하는 탑재대를 겸하는 하부 전극(20)과, 진공 처리실(10)내에 있어서 하부 전극(20)과 대향하여 배치된 상부 전극(40)과, 진공 처리실(10)의 내벽의 온도를 검지하는 온도 센서(16)와, 하부 전극(20)의 온도를 검지하는 온도 센서(24)와, 상부 전극(40)의 온도를 검지하는 온도 센서(44)와, 상부 전극(40)에 연결됨과 더불어 진공 처리실(10)에 소정의 기체를 도입하는 기체 도입 장치(41)와, 진공 처리실(10)의 내벽의 온도, 하부 전극(20)의 온도, 및 상부 전극(40)의 온도에 근거하여 해당 소정의 온도를 제어하는 제어 장치(91)를 구비한다.
온도구배, 프로세스 장치, 파티클

Abstract translation: 提供一种能够减少待处理物体被污染物污染的处理装置以及处理装置中的颗粒去除方法。 干式蚀刻设备1包括：真空处理室10，其中真空处理室10的内部保持在高真空以对作为待处理对象的晶片50执行蚀刻处理; 和下部电极20作为安装台，用于安装，用于检测在下部电极20的壁的温度和用于上部电极40和真空处理室（10）布置成面向在真空室10 检测下部电极20的温度的温度传感器24，检测上部电极40的温度的温度传感器44， 该气体导入装置41的温度和温度，在真空处理室10的内壁上的下部电极20和上部电极（40）的温度，用于将预定气体引入真空处理室的基础（10）上 以及用于控制预定温度的控制装置91。

公开(公告)号：KR1020060042140A

公开(公告)日：2006-05-12

申请号：KR1020050015360

申请日：2005-02-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시 ,  나가이케히로시 ,  나카야마히로유키 ,  오쿠야마기쿠오 ,  시마다마나부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67248 ,  H01J37/32935 ,  H01J2237/0225

Abstract: 파티클에 의한 피처리체의 오염을 저감할 수 있는 프로세스 장치 및 해당 프로세스 장치내의 파티클 제거 방법을 제공한다. 드라이 에칭 장치(1)는, 피처리체로서의 웨이퍼(50)의 에칭 처리를 실행하도록 그 내부가 고진공으로 유지되는 진공 처리실(10)과, 진공 처리실(10)내의 하부에 배치되고 또한 웨이퍼(50)를 탑재하는 탑재대를 겸하는 하부 전극(20)과, 진공 처리실(10)내에 있어서 하부 전극(20)과 대향하여 배치된 상부 전극(40)과, 진공 처리실(10)의 내벽의 온도를 검지하는 온도 센서(16)와, 하부 전극(20)의 온도를 검지하는 온도 센서(24)와, 상부 전극(40)의 온도를 검지하는 온도 센서(44)와, 상부 전극(40)에 연결됨과 더불어 진공 처리실(10)에 소정의 기체를 도입하는 기체 도입 장치(41)와, 진공 처리실(10)의 내벽의 온도, 하부 전극(20)의 온도, 및 상부 전극(40)의 온도에 근거하여 해당 소정의 온도를 제어하는 제어 장치(91)를 구비한다.
온도구배, 프로세스 장치, 파티클

公开(公告)号：KR102205225B1

公开(公告)日：2021-01-19

申请号：KR1020187016443

申请日：2016-10-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠오도모히토 ,  나가이케히로시

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/67 ,  C23C16/44

Abstract: 표면에산화막이형성된부재가접속되거나, 또는표면에산화막을갖는챔버내를진공으로유지하면서, 챔버내에할로겐계가스를공급하여피처리체에소정의처리를행하는처리장치에있어서, 챔버내에서피처리체에대한소정의처리를 1회또는복수회 행하고, 그후, 챔버에산소가스또는드라이에어를공급하여챔버를퍼지하고, 그후 챔버를대기개방한다.

公开(公告)号：KR101656033B1

公开(公告)日：2016-09-08

申请号：KR1020110015579

申请日：2011-02-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나가이케히로시

IPC: G01N15/14 ,  G01N21/85 ,  G01N21/94 ,  G01N21/47

CPC classification number: G01N21/00

Abstract: 특정요인으로발생되는파티클의수를정확하게계측할수 있는파티클수 계측방법을제공한다. 글라스창(24)을개재하여메인배기라인(16) 내에레이저광(25)을입사시키고, 이레이저광(25)과교차한파티클(P1, P2)로부터발생하는산란광(L1, L2)을광 검출기(21)에의해수광하여, 이수광된산란광에기초하여파티클의수를계측할때, 이동하지않는파티클(P2)이글라스창(24)에부착된오염으로간주되어, 이동하지않는파티클(P2)의수가메인배기라인(16) 내에서계측된파티클의수에서제외된다.