公开(公告)号：KR1020110122875A

公开(公告)日：2011-11-11

申请号：KR1020117023695

申请日：2010-03-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시 ,  요코야마신 ,  오쿠야마기쿠오

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/02057

Abstract: 미세 패턴이 형성되어 있는 기판을, 그 미세 패턴에 악영향을 주는 일 없이 단시간에 세정하는 기판 세정 방법을 제공한다. 대표길이가 0.1㎛이하의 홈 또는 구멍을 갖는 미세 패턴이 형성된 웨이퍼를, 수분을 포함한 공간에 있어서, 소정 위치에 배치된 대향 전극을 사이에 두고, 예각 형상의 선단부를 갖는 냉각 가능한 방전 전극의 선단부에 대해 일정 간격으로 대면하도록, 웨이퍼를 배치하고, 방전 전극을 냉각하여 방전 전극에 결로를 발생시키고, 또한 방전 전극과 대향 전극의 사이에 일정 전압을 인가한다. 이 일정 전압의 인가시, 방전 전극의 선단부에서 직경이 10㎚이하의 물 미립자를 함유하는 에어로졸을 발생시키고, 에어로졸을 웨이퍼에 분무하는 것에 의해 웨이퍼를 세정한다.

公开(公告)号：KR101310513B1

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：KR1020117023695

申请日：2010-03-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시 ,  요코야마신 ,  오쿠야마기쿠오

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/02057

Abstract: 미세 패턴이 형성되어 있는 기판을, 그 미세 패턴에 악영향을 주는 일 없이 단시간에 세정하는 기판 세정 방법을 제공한다. 대표길이가 0.1㎛이하의 홈 또는 구멍을 갖는 미세 패턴이 형성된 웨이퍼를, 수분을 포함한 공간에 있어서, 소정 위치에 배치된 대향 전극을 사이에 두고, 예각 형상의 선단부를 갖는 냉각 가능한 방전 전극의 선단부에 대해 일정 간격으로 대면하도록, 웨이퍼를 배치하고, 방전 전극을 냉각하여 방전 전극에 결로를 발생시키고, 또한 방전 전극과 대향 전극의 사이에 일정 전압을 인가한다. 이 일정 전압의 인가시, 방전 전극의 선단부에서 직경이 10㎚이하의 물 미립자를 함유하는 에어로졸을 발생시키고, 에어로졸을 웨이퍼에 분무하는 것에 의해 웨이퍼를 세정한다.

公开(公告)号：KR100635436B1

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：KR1020050015360

申请日：2005-02-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시 ,  나가이케히로시 ,  나카야마히로유키 ,  오쿠야마기쿠오 ,  시마다마나부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67248 ,  H01J37/32935 ,  H01J2237/0225

Abstract: 파티클에 의한 피처리체의 오염을 저감할 수 있는 프로세스 장치 및 해당 프로세스 장치내의 파티클 제거 방법을 제공한다. 드라이 에칭 장치(1)는, 피처리체로서의 웨이퍼(50)의 에칭 처리를 실행하도록 그 내부가 고진공으로 유지되는 진공 처리실(10)과, 진공 처리실(10)내의 하부에 배치되고 또한 웨이퍼(50)를 탑재하는 탑재대를 겸하는 하부 전극(20)과, 진공 처리실(10)내에 있어서 하부 전극(20)과 대향하여 배치된 상부 전극(40)과, 진공 처리실(10)의 내벽의 온도를 검지하는 온도 센서(16)와, 하부 전극(20)의 온도를 검지하는 온도 센서(24)와, 상부 전극(40)의 온도를 검지하는 온도 센서(44)와, 상부 전극(40)에 연결됨과 더불어 진공 처리실(10)에 소정의 기체를 도입하는 기체 도입 장치(41)와, 진공 처리실(10)의 내벽의 온도, 하부 전극(20)의 온도, 및 상부 전극(40)의 온도에 근거하여 해당 소정의 온도를 제어하는 제어 장치(91)를 구비한다.
온도구배, 프로세스 장치, 파티클

Abstract translation: 提供一种能够减少待处理物体被污染物污染的处理装置以及处理装置中的颗粒去除方法。 干式蚀刻设备1包括：真空处理室10，其中真空处理室10的内部保持在高真空以对作为待处理对象的晶片50执行蚀刻处理; 和下部电极20作为安装台，用于安装，用于检测在下部电极20的壁的温度和用于上部电极40和真空处理室（10）布置成面向在真空室10 检测下部电极20的温度的温度传感器24，检测上部电极40的温度的温度传感器44， 该气体导入装置41的温度和温度，在真空处理室10的内壁上的下部电极20和上部电极（40）的温度，用于将预定气体引入真空处理室的基础（10）上 以及用于控制预定温度的控制装置91。

公开(公告)号：KR1020060042140A

公开(公告)日：2006-05-12

申请号：KR1020050015360

申请日：2005-02-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시 ,  나가이케히로시 ,  나카야마히로유키 ,  오쿠야마기쿠오 ,  시마다마나부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67248 ,  H01J37/32935 ,  H01J2237/0225

Abstract: 파티클에 의한 피처리체의 오염을 저감할 수 있는 프로세스 장치 및 해당 프로세스 장치내의 파티클 제거 방법을 제공한다. 드라이 에칭 장치(1)는, 피처리체로서의 웨이퍼(50)의 에칭 처리를 실행하도록 그 내부가 고진공으로 유지되는 진공 처리실(10)과, 진공 처리실(10)내의 하부에 배치되고 또한 웨이퍼(50)를 탑재하는 탑재대를 겸하는 하부 전극(20)과, 진공 처리실(10)내에 있어서 하부 전극(20)과 대향하여 배치된 상부 전극(40)과, 진공 처리실(10)의 내벽의 온도를 검지하는 온도 센서(16)와, 하부 전극(20)의 온도를 검지하는 온도 센서(24)와, 상부 전극(40)의 온도를 검지하는 온도 센서(44)와, 상부 전극(40)에 연결됨과 더불어 진공 처리실(10)에 소정의 기체를 도입하는 기체 도입 장치(41)와, 진공 처리실(10)의 내벽의 온도, 하부 전극(20)의 온도, 및 상부 전극(40)의 온도에 근거하여 해당 소정의 온도를 제어하는 제어 장치(91)를 구비한다.
온도구배, 프로세스 장치, 파티클