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公开(公告)号：KR1020100028497A
公开(公告)日：2010-03-12
申请号：KR1020090082870
申请日：2009-09-03
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , C23C16/00 , H01L21/02
CPC classification number: C23C16/4585 , C23C16/45502 , C23C16/45508 , C23C16/45551 , C23C16/52
Abstract: PURPOSE: An apparatus and a method for forming a film, a substrate process apparatus and a computer-readable storage media are provided to reduce a detection error of the rotation position of a rotating table using a position detection unit. CONSTITUTION: An apparatus for forming a film includes a rotating table(2), a first reaction gas supply unit, a second reaction gas supply unit, a first separation gas supply unit, a position detection unit and an area to be detected(25). A recess part is formed on the surface of the rotating table. A substrate is loaded on the rotating table. The rotation position of the rotating table is detected by the position detection unit. The area to be detected is arranged in the peripheral of the rotating table.
Abstract translation: 目的：提供一种用于形成膜的装置和方法，基板处理装置和计算机可读存储介质，以减少使用位置检测单元的旋转台的旋转位置的检测误差。 构成：用于形成膜的装置包括旋转台（2），第一反应气体供应单元，第二反应气体供应单元，第一分离气体供应单元，位置检测单元和待检测区域（25） 。 在旋转台的表面上形成凹部。 将基板装载在旋转台上。 旋转台的旋转位置由位置检测单元检测。 要检测的区域布置在旋转台的周边。
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公开(公告)号：KR101454068B1
公开(公告)日：2014-10-27
申请号：KR1020110098204
申请日：2011-09-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/68 , G01B11/00 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/68764 , C23C16/44 , C23C16/45551 , C23C16/52 , H01L21/67259 , H01L21/681 , H01L21/68721 , H01L21/68742 , H01L21/68771
Abstract: 서셉터를 움직여서 기판 적재부를 촬상 장치의 촬상 영역에 위치시키는 공정과, 처리 용기 내에 있어서 촬상 장치의 촬상 영역 내에 위치하도록 설치되는 2개의 제1 위치 검출 마크이며, 2개의 제1 위치 검출 마크의 제1 수직 이등분선이 서셉터의 회전 중심을 통과하는 2개의 제1 위치 검출 마크를 검출하는 공정과, 서셉터에 있어서 기판 적재부에 대하여 설치되는 2개의 제2 위치 검출 마크이며, 2개의 제2 위치 검출 마크의 제2 수직 이등분선이 서셉터의 회전 중심과 기판 적재부의 중심을 통과하는 2개의 제2 위치 검출 마크를 검출하는 공정과, 검출한 2개의 제1 위치 검출 마크 및 2개의 제2 위치 검출 마크를 기초로 하여 기판 적재부가 소정의 범위에 위치하는지를 판정하는 공정을 포함한다.
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公开(公告)号：KR101160788B1
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：KR1020110076449
申请日：2011-08-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45578 , C23C16/452 , C23C16/45565 , C23C16/45574
Abstract: 반도체 처리용 종형 플라즈마 처리 장치는, 처리 용기에 일체적으로 부설된 절연성의 내면을 갖는 케이싱에 의해 형성된 기밀한 부속실을 포함한다. 부속실은 복수의 피처리 기판에 대응하는 상하 방향의 길이에 걸쳐 플라즈마 발생 영역을 갖는다. 처리 영역과 플라즈마 발생 영역과의 사이에 절연성의 표면을 갖는 구획판이 배치된다. 구획판은 복수의 피처리 기판에 대응하는 상하 방향의 길이에 걸쳐 형성된 가스 유로를 갖는다. 처리 가스는 플라즈마 발생 영역을 통과할 때에 여기되고, 가스 유로를 통해 처리 영역에 공급된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020120032447A
公开(公告)日：2012-04-05
申请号：KR1020110098204
申请日：2011-09-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/68 , G01B11/00 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/68764 , C23C16/44 , C23C16/45551 , C23C16/52 , H01L21/67259 , H01L21/681 , H01L21/68721 , H01L21/68742 , H01L21/68771
Abstract: PURPOSE: A substrate position detection apparatus, a film deposition apparatus including the same, and a substrate position detection method thereof are provided to independently control each lamp heater, thereby providing a uniform temperature of a susceptor. CONSTITUTION: A vacuum container(1) comprises a cylindrical container main body(12) and a ceiling plate(11). A return device(15) carries a wafer(W) to the inside of the vacuum container. A substrate position detection apparatus(101) is arranged on a permeable window(201) installed on the ceiling plate. A camera(104) photographs the wafer which is a position detection target object. A light source(108) projects light to a panel(106) which is arranged on the lower side of the camera.
Abstract translation: 目的：提供基板位置检测装置，包括该基板位置检测装置的成膜装置及其基板位置检测方法，以独立地控制每个灯加热器，从而提供感受体的均匀温度。 构成：真空容器（1）包括圆柱形容器主体（12）和顶板（11）。 返回装置（15）将晶片（W）携带到真空容器的内部。 基板位置检测装置（101）布置在安装在顶板上的可渗透窗（201）上。 相机（104）拍摄作为位置检测对象物体的晶片。 光源（108）将光投射到布置在照相机下侧的面板（106）。
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公开(公告)号：KR1020110093977A
公开(公告)日：2011-08-19
申请号：KR1020110076449
申请日：2011-08-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45578 , C23C16/452 , C23C16/45565 , C23C16/45574
Abstract: PURPOSE: A vertical plasma processing apparatus for processing a semiconductor is provided to increase the generation efficiency of plasma by setting the pressure of a plasma generation region within 0.5-0.7 torr. CONSTITUTION: In a vertical plasma processing apparatus for processing a semiconductor, the ceiling of quartz is arranged on the ceiling of a reaction container(4). A manifold(8) supports the bottom of the reaction container. The wafer boat(12) of quartz is raised through the opening of the bottom of the manifold. The wafer boat is loaded on the table through a heat reserving cover(14) A rotary shaft(20) is installed in the end of the arm(26) which is supported by a lifting mechanism(25).
Abstract translation: 目的：提供一种用于处理半导体的垂直等离子体处理装置，通过将等离子体产生区域的压力设定在0.5-0.7乇内来提高等离子体的生成效率。 构成：在用于加工半导体的垂直等离子体处理装置中，石英的天花板布置在反应容器（4）的顶板上。 歧管（8）支撑反应容器的底部。 石英的晶片舟（12）通过歧管底部的开口升高。 晶圆舟通过储热盖（14）装载在台上。旋转轴（20）安装在由提升机构（25）支撑的臂（26）的端部。
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6.发明公开
公开(公告)号：KR1020100056393A
公开(公告)日：2010-05-27
申请号：KR1020090111180
申请日：2009-11-18
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: C23C16/4584 , C23C16/52 , G01B11/00 , H01L21/67259 , H01L21/681
Abstract: PURPOSE: A substrate position detecting device, a substrate position detecting method, a film forming device, a film forming method, and a computer readable storage medium are provided to reduce a detection error when detecting the substrate position based on the imaging of the substrate. CONSTITUTION: An imaging unit(104) images a substrate whose position is detected. A light scattering panel unit(106) is arranged between the imaging unit and the substrate and includes a first opening(106a) to secure the view of the image unit with regard to the substrate. A first illumination part(108) radiates light to the panel unit. A processor(104a) produces the position of the substrate from the image obtained through the first opening by the imaging unit.
Abstract translation: 目的：一种基板位置检测装置，基板位置检测方法中，成膜装置，成膜方法，以及计算机可读存储介质被提供基于所述衬底的成像检测基片的位置时，以减少检测误差。 组成：一种成像单元（104）的图像的衬底，其位置被检测到。 一种光散射板部（106）布置在所述成像单元和所述衬底之间，并且包括第一开口（106A），以相对于基板固定的图像单元的视图。 第一照明部分（108）将光辐射到面板单元。 处理器（104a）通过成像单元从通过第一开口获得的图像产生基板的位置。
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公开(公告)号：KR101509860B1
公开(公告)日：2015-04-07
申请号：KR1020120092242
申请日：2012-08-23
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02164 , C23C16/4554 , C23C16/45548 , C23C16/4585 , C23C16/4586 , H01J37/321 , H01J37/3244 , H01J37/32715 , H01L21/0228 , H01L21/0234
Abstract: 본발명은, 기판을수납하는진공용기와, 기판을적재하는기판적재영역이그 일면측에형성된적재대와, 플라즈마발생가스공급부와, 플라즈마발생용가스를유도결합에의해플라즈마화하기위해서세로방향의축의둘레에권회된안테나와, 상기안테나의주위에발생한전자기계에있어서의전계성분의통과를저지하기위해서접지된도전성의판형상체로이루어지는패러데이실드를구비하고, 상기패러데이실드는, 상기전자기계에있어서의자계성분을기판측으로통과시키는슬릿군과, 상기판형상체에있어서의상기슬릿군에둘러싸이는영역에개구하는, 플라즈마의발광상태확인용창부를구비하고, 상기창부와상기슬릿군 사이에는, 당해창부가상기슬릿에연통하지않도록, 접지된도전로가상기창부를둘러싸도록개재되고, 상기슬릿군에있어서의상기창부측과반대측의단부에는, 접지된도전로가당해슬릿군을둘러싸도록설치되어있는기판처리장치에관한것이다.
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公开(公告)号：KR1020130023114A
公开(公告)日：2013-03-07
申请号：KR1020120092242
申请日：2012-08-23
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02164 , C23C16/4554 , C23C16/45548 , C23C16/4585 , C23C16/4586 , H01J37/321 , H01J37/3244 , H01J37/32715 , H01L21/0228 , H01L21/0234
Abstract: PURPOSE: A film forming device, a substrate processing apparatus, and a plasma generating apparatus are provided to prevent an insulation breakdown of a gate oxide layer by installing a faraday shield of a conductive planar shape grounded between an antenna and a substrate. CONSTITUTION: A rotary table(2) is fixed to a cylindrical core part(21). A first process gas supply unit and a second process gas supply unit supplies a first process gas and a second process gas, respectively. A plasma generating gas supply unit supplies a plasma generating gas to a vacuum container(1). An antenna(83) faces a substrate loading region and changes the plasma generating gas to plasma by induction coupling. A faraday shield(95) is installed between the antenna and the substrate and includes a slit(97) arranged in a longitudinal direction of the antenna. [Reference numerals] (95) Faraday shield; (97) Slit
Abstract translation: 目的：提供一种成膜装置，基板处理装置和等离子体产生装置，以通过安装在天线和基板之间接地的导电平面形状的法拉第屏蔽来防止栅极氧化物层的绝缘击穿。 构成：旋转台（2）固定在圆筒形芯部（21）上。 第一处理气体供应单元和第二处理气体供应单元分别提供第一处理气体和第二处理气体。 等离子体产生气体供应单元将等离子体产生气体供应到真空容器（1）。 天线（83）面向衬底加载区域，并通过感应耦合将等离子体产生气体改变为等离子体。 法拉第屏蔽（95）安装在天线和基板之间，并且包括沿天线的纵向布置的狭缝（97）。 （附图标记）（95）法拉第屏蔽; （97）狭缝
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