公开(公告)号：KR1020090080900A

公开(公告)日：2009-07-27

申请号：KR1020090004834

申请日：2009-01-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사와다이꾸오 ,  마쯔우라히로유끼 ,  다까하시도시끼

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67109

Abstract: A processing apparatus and a processing method are provided to prevent energy consumption by heating an object without heating of a processing vessel through an inducing heat. A processing apparatus(20) performs a thermal process about an object. The processing apparatus includes a processing vessel(22), a coil part(104) for induction heating, a radio frequency power source(110), a gas supply part(90), a retention supporting part(24), and an induction heating body(N). The processing vessel receives a plurality of the objects. The coil part for induction heating is installed in an outer side the processing vessel. The radio frequency power applies a radio frequency power to the coil part. The gas supply part guides a gas inside the processing vessel. The retention supporting part supports the object inside the processing vessel. The induction heating body is heated by a high frequency from the coil part, and heats the object. A groove part is formed in the induction heating body. The groove part controls a flow of an eddy current generated in the induction heating body.

Abstract translation: 提供了一种处理装置和处理方法，用于通过加热物体来防止能量消耗而不通过加热引起处理容器的加热。 处理装置（20）执行关于物体的热处理。 处理装置包括处理容器（22），用于感应加热的线圈部分（104），射频电源（110），气体供应部分（90），保持支撑部分（24）和感应加热 体（N）。 处理容器接收多个物体。 用于感应加热的线圈部分安装在处理容器的外侧。 射频功率对线圈部分施加射频功率。 气体供给部引导处理容器内的气体。 保持支撑部件支撑处理容器内的物体。 感应加热体从线圈部分被高频加热，并加热物体。 在感应加热体中形成槽部。 凹槽部分控制在感应加热体中产生的涡流的流动。

公开(公告)号：KR1020070100125A

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：KR1020070033092

申请日：2007-04-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다까하시도시끼 ,  후꾸시마고오헤이 ,  오리또고오이찌 ,  사또오쥰

IPC: H01L21/203

CPC classification number: C23C16/45578 ,  C23C16/345 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45574

Abstract: A vertical plasma processing apparatus and a method for a semiconductor process are provided to improve the planar uniformity and/or inter-substrate uniformity of a plasma process on a wafer. A vertical plasma processing apparatus for a semiconductor process includes a film forming apparatus(2). The film formation apparatus(2) has a process field configured to be selectively supplied with a first process gas containing DCS(dichlorosilane) gas as a silane family gas, a second process gas containing ammonia(NH3) gas as a nitriding gas, and a purge gas comprising an inactive gas, such as N2 gas. The film formation apparatus is configured to form a silicon nitride film on target substrates by CVD in the process field.

Abstract translation: 提供了一种垂直等离子体处理装置和半导体工艺的方法，以改善晶片上的等离子体处理的平面均匀性和/或基板间均匀性。 用于半导体工艺的垂直等离子体处理装置包括成膜装置（2）。 成膜装置（2）具有被配置为选择性地供给含有作为硅烷族气体的DCS（二氯硅烷）气体的第一处理气体的处理场，含有作为氮化气体的氨（NH 3）气体的第二处理气体， 包括惰性气体（例如N 2气体）的净化气体。 成膜装置被配置为通过CVD在目标基板上形成氮化硅膜。

公开(公告)号：KR101161911B1

公开(公告)日：2012-07-03

申请号：KR1020080084805

申请日：2008-08-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마쯔우라히로유끼 ,  다까하시도시끼 ,  후꾸시마고오헤이

IPC: H01L21/3065

Abstract: 복수매의 피처리체에 대하여 함께 플라즈마 처리를 실시하는 종형 플라즈마 처리 장치는 처리 가스를 플라즈마화하는 활성화 기구를 구비한다. 활성화 기구는 처리 영역에 대응하여 처리 용기에 설치되고 또한 처리 영역에 기밀하게 연통되는 플라즈마 생성 영역을 형성하는 세로로 긴 플라즈마 생성 박스와, 플라즈마 생성 박스에 배치된 ICP 전극과, 전극에 접속된 고주파 전원을 구비한다.
피처리체, 전극, 플라즈마 생성 박스, 플라즈마 생성 영역, 고주파 전원

Abstract translation: 用于对多个待处理物体执行等离子体处理的垂直型等离子体处理设备包括用于将处理气体转换为等离子体的激活机构。 致动机构具有较高的频率连接到ICP电极，和配置在该长等离子体生成盒和等离子体产生箱垂直的电极，以形成等离子体生成其中安装也气密地与所述处理区连通在处理容器对应于该处理区域的区域 电源。

公开(公告)号：KR101160788B1

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：KR1020110076449

申请日：2011-08-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마쯔우라히로유끼 ,  다까하시도시끼 ,  사또오쥰 ,  아이까와가쯔요시 ,  이시이가쯔또시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45578 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45574

Abstract: 반도체 처리용 종형 플라즈마 처리 장치는, 처리 용기에 일체적으로 부설된 절연성의 내면을 갖는 케이싱에 의해 형성된 기밀한 부속실을 포함한다. 부속실은 복수의 피처리 기판에 대응하는 상하 방향의 길이에 걸쳐 플라즈마 발생 영역을 갖는다. 처리 영역과 플라즈마 발생 영역과의 사이에 절연성의 표면을 갖는 구획판이 배치된다. 구획판은 복수의 피처리 기판에 대응하는 상하 방향의 길이에 걸쳐 형성된 가스 유로를 갖는다. 처리 가스는 플라즈마 발생 영역을 통과할 때에 여기되고, 가스 유로를 통해 처리 영역에 공급된다.

公开(公告)号：KR101145538B1

公开(公告)日：2012-05-15

申请号：KR1020080074350

申请日：2008-07-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다까하시도시끼

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67757 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32779

Abstract: 배치식 플라즈마 처리 장치는 폐쇄 단부와 이것에 대향하는 개방 단부를 갖는 동시에, 피처리 기판을 수납하는 처리 영역을 갖는 통체 형상의 처리 용기를 포함하고, 처리 용기는 통체 형상의 절연성 본체를 갖는다. 장치는 또한, 간격을 두고 피처리 기판을 유지하는 유지구와, 유지구를 처리 용기 내에 대해 반입 및 반출하는 로딩 기구와, 로딩 기구에 배치되어 개방 단부를 기밀하게 폐쇄하는 덮개부를 포함한다. 처리 용기의 폐쇄 단부에 제1 전극이 배치되고, 덮개부에 제2 전극이 배치되어, 제1 및 제2 전극은 평행 평판 전극쌍을 구성한다. 제1 및 제2 전극의 한쪽에 플라즈마 발생용 고주파 전력을 인가하는 고주파 전원이 접속된다.
배치식 플라즈마 처리 장치, 유지구, 처리 용기, 피처리 기판, 고주파 전원

公开(公告)号：KR1020110093977A

公开(公告)日：2011-08-19

申请号：KR1020110076449

申请日：2011-08-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마쯔우라히로유끼 ,  다까하시도시끼 ,  사또오쥰 ,  아이까와가쯔요시 ,  이시이가쯔또시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45578 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45574

Abstract: PURPOSE: A vertical plasma processing apparatus for processing a semiconductor is provided to increase the generation efficiency of plasma by setting the pressure of a plasma generation region within 0.5-0.7 torr. CONSTITUTION: In a vertical plasma processing apparatus for processing a semiconductor, the ceiling of quartz is arranged on the ceiling of a reaction container(4). A manifold(8) supports the bottom of the reaction container. The wafer boat(12) of quartz is raised through the opening of the bottom of the manifold. The wafer boat is loaded on the table through a heat reserving cover(14) A rotary shaft(20) is installed in the end of the arm(26) which is supported by a lifting mechanism(25).

Abstract translation: 目的：提供一种用于处理半导体的垂直等离子体处理装置，通过将等离子体产生区域的压力设定在0.5-0.7乇内来提高等离子体的生成效率。 构成：在用于加工半导体的垂直等离子体处理装置中，石英的天花板布置在反应容器（4）的顶板上。 歧管（8）支撑反应容器的底部。 石英的晶片舟（12）通过歧管底部的开口升高。 晶圆舟通过储热盖（14）装载在台上。旋转轴（20）安装在由提升机构（25）支撑的臂（26）的端部。

公开(公告)号：KR1020090013093A

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：KR1020080074350

申请日：2008-07-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다까하시도시끼

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67757 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32779

Abstract: A batch type plasma processing apparatus is provided to achieve high throughput by using the radio frequency power for the high frequency power for the plasma generation which is connected to one side of the first and the second electrode. The batch type plasma processing apparatus(2) comprises the closed end and the open end part. The treatment vessel has the process area between opening end and the closed end. The treatment vessel comprises the insulating main body(4). The loading unit(30) transfers the holder to or from the treatment vessel. The cover part(26) which is arranged to the loading mechanism and closely closes the open end is formed. The gas supply system supplies the process gas within the treatment vessel(3) and the exhaust system exhausts the treatment vessel. The first electrode is arranged in the closed end of the treatment vessel and the second electrode is arranged in the cover part.

Abstract translation: 提供了一种批量型等离子体处理装置，通过使用连接到第一和第二电极的一侧的用于等离子体产生的高频功率的射频功率来实现高吞吐量。 批式等离子体处理装置（2）包括封闭端和开口端部。 处理容器具有开口端和封闭端之间的处理区域。 处理容器包括绝缘主体（4）。 装载单元（30）将保持器传送到处理容器或从处理容器传送。 形成安装在装载机构上并紧密封闭开口端的盖部分26。 供气系统在处理容器（3）内提供处理气体，排气系统排出处理容器。 第一电极布置在处理容器的封闭端，第二电极布置在盖部分中。

公开(公告)号：KR101122964B1

公开(公告)日：2012-03-15

申请号：KR1020070033092

申请日：2007-04-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다까하시도시끼 ,  후꾸시마고오헤이 ,  오리또고오이찌 ,  사또오쥰

IPC: H01L21/203

CPC classification number: C23C16/45578 ,  C23C16/345 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45574

Abstract: 반도체 처리용 종형 플라즈마 처리 장치는 간격을 두고 적층된 복수의 피처리 기판을 수납하는 처리 영역과, 처리 영역으로부터 벗어난 마진 공간을 갖는 처리 용기를 포함한다. 피처리 기판을 처리할 때, 처리 가스 공급계로부터의 처리 영역에 대한 처리 가스의 공급과, 블럭 가스 공급계로부터의 마진 공간에 대한 블럭 가스의 공급을 동시에 행함으로써 마진 공간으로의 처리 가스의 유입을 억제한다.
플라즈마 처리 장치, 처리 가스 공급계, 블럭 가스, 매니폴드, 웨이퍼 보트

公开(公告)号：KR100980126B1

公开(公告)日：2010-09-03

申请号：KR1020060072425

申请日：2006-08-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  오까다미쯔히로 ,  주파오화 ,  오가와쥰 ,  김채호 ,  후꾸시마고오헤이 ,  다까하시도시끼 ,  사또오쥰

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/205

Abstract: 실란계 가스를 포함하는 제1 처리 가스와, 질화 가스, 산질화 가스 및 산화 가스로 이루어지는 군으로부터 선택된 가스를 포함하는 제2 처리 가스와, 퍼지 가스를 선택적으로 공급 가능한 처리 영역 내에서 피처리 기판 상에 CVD에 의해 실리콘 함유 절연막을 형성한다. 이 성막 방법은 제1 내지 제4 공정을 교대로 구비한다. 제1, 제2, 제3 및 제4 공정에 있어서, 각각 제1 처리 가스, 퍼지 가스, 제2 처리 가스 및 퍼지 가스를 공급하고, 나머지 2개의 가스의 공급을 정지한다. 제1 공정 내지 제4 공정에 걸쳐서, 개방도 조정용 밸브가 배치된 배기 통로를 거쳐서 처리 영역 내부를 계속적으로 진공 배기한다. 제1 공정에 있어서의 밸브의 개방도를 제2 및 제4 공정에 있어서의 밸브의 개방도의 5 내지 95 ％로 설정한다.
웨이퍼 보트, 승강 기구, 가스 분산 노즐, 가스 여기부, 배기구, 밸브구

公开(公告)号：KR1020090023251A

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：KR1020080084805

申请日：2008-08-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마쯔우라히로유끼 ,  다까하시도시끼 ,  후꾸시마고오헤이

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67712 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32458

Abstract: A plasma processing apparatus is provided to prevent the generation of particle and to improve the electron density by using the activating device for plasma. The vertical plasma processing apparatus performs the plasma processing about the processed article of the plural sheets. The vertical plasma processing apparatus comprises the activating device(60) for making the process gas plasma. The activating device is installed in the treatment vessel(14) corresponding to the process area. The activating device comprises the plasma-generating box(64), and the ICP electrode(66) and radio frequency power. The plasma-generating box forms the generation region of plasma in the process area. The ICP electrode is arranged in the plasma-generating box.

Abstract translation: 提供等离子体处理装置，以通过使用等离子体激活装置来防止颗粒的产生和提高电子密度。 垂直等离子体处理装置对多个片材的处理物进行等离子体处理。 垂直等离子体处理装置包括用于制造处理气体等离子体的激活装置（60）。 激活装置安装在对应于处理区域的处理容器（14）中。 激活装置包括等离子体产生箱（64）和ICP电极（66）和射频功率。 等离子体发生箱在过程区域中形成等离子体的产生区域。 ICP电极布置在等离子体发生箱中。