公开(公告)号：KR101621593B1

公开(公告)日：2016-05-16

申请号：KR1020130059760

申请日：2013-05-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마구치,다츠야 ,  니이노,레이지

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/31

CPC classification number: B05D1/60

Abstract: 본발명의과제는, 기판에폴리이미드막을성막하는데 있어서, 제어가용이하며, 또한절연막으로서적용가능한폴리이미드막을성막하는것이다. 폴리이미드막(1)이생성되는온도로웨이퍼(W)를가열함과함께, 예를들어 PMDA계의제1 모노머를포함하는제1 처리가스와, 비방향족모노머, 예를들어 HMDA계의제2 모노머를포함하는제2 처리가스를웨이퍼(W)에순서대로공급하는사이클을복수회행한다. 그리고이들처리가스를절환할때에, 반응관(32) 내에치환가스를공급하여, 모노머끼리가반응관(32) 내의분위기중에서서로섞이지않도록한다.

公开(公告)号：KR102166224B1

公开(公告)日：2020-10-15

申请号：KR1020170091513

申请日：2017-07-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야츠다,고이치 ,  하야카와,타카시 ,  오쿠노,히로시 ,  니노,레이지 ,  하시모토,히로유키 ,  야마구치,다츠야

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677

公开(公告)号：KR101843615B1

公开(公告)日：2018-03-29

申请号：KR1020150017867

申请日：2015-02-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마구치,다츠야 ,  모리사다,요시노리

IPC: H01L21/312 ,  C23C14/12 ,  H01L21/31

CPC classification number: C09D183/14 ,  B05D1/34 ,  B05D1/60 ,  C08G77/54

Abstract: 비방향족폴리이미드이어도, 양호한내열성을유지한채 성막하는것이가능한중합막의성막방법을제공한다. 제1 모노머를포함하는제1 원료가스와, 제1 모노머와는다른제2 모노머를포함하는제2 원료가스를이용하여, 피처리체의피처리면상에중합막을성막하는중합막의성막방법으로서, 제1 모노머로서, 가수분해기를가진이관능성의비방향족아민을이용하고, 제2 모노머로서, 이관능성의산무수물을이용한다.

Abstract translation: 还提供了能够形成具有良好耐热性的膜的可聚合膜的非芳族聚酰亚胺膜形成方法。 一种使用含有第一单体和含有不同于第一单体的第二单体的第二原料气体的第一原料气体在受试者的待处理表面上形成聚合膜的方法， 作为单体，使用具有水解性基团的官能性非芳香族胺，作为第二单体使用双官能酸酐。

公开(公告)号：KR101585295B1

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：KR1020130056610

申请日：2013-05-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마구치,다츠야 ,  니이노,레이지

IPC: H01L21/312 ,  C23C14/12

CPC classification number: H01L21/02118 ,  B05D1/36 ,  B05D1/60 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76898 ,  Y10T428/31855

Abstract: 본발명은기판에폴리이미드막을성막하는데있어서, 제어가용이하고, 또한양질의폴리이미드막을성막할수 있는성막방법을제공한다. 본발명의일 실시예에따른성막방법은이관능성의산무수물로이루어지는제1 모노머와이관능성의아민으로이루어지는제2 모노머의탈수축합에의해기판의표면에폴리이미드막을성막하는성막방법으로서, 상기기판을처리용기내로반입하는공정과, 상기기판을상기폴리이미드막이생성되는온도로가열하는공정과, 상기제1 모노머를포함하는제1 처리가스를상기기판에공급하는스텝과, 상기제2 모노머를포함하는제2 처리가스를상기기판에공급하는스텝과, 상기양 스텝사이에서상기처리용기내에치환가스를공급하여사익처리용기내의분위기를상기치환가스에의해치환하는스텝을포함하는사이클을복수회행하는공정과, 상기처리용기내를배기하는공정을포함한다.

公开(公告)号：KR1020150099427A

公开(公告)日：2015-08-31

申请号：KR1020150020894

申请日：2015-02-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후지카와,마코토 ,  야마구치,다츠야

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/02

CPC classification number: C09D179/08 ,  B05D1/34 ,  B05D1/60 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/455 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02422

Abstract: 중합막의 성막 온도를 낮추었다고 해도, 중합막과 피처리면과의 밀착성의 저하를 억제하는 것이 가능한 중합막의 성막 방법을 제공한다. 산이무수물을 포함하는 제1 원료 가스와, 디아민을 포함하는 제2 원료 가스를 이용하여, 피처리체의 피처리면 상에 중합막을 성막하는 중합막의 성막 방법으로서, (1) 피처리면에 대하여 피처리면과 중합막과의 밀착성을 향상시키는 밀착 촉진제를 포함하는 가스를 공급하여 표면 처리를 행하는 공정(스텝 1)과, (2)표면 처리가 행하여진 피처리면 상에 제1 원료 가스 및 제2 원료 가스를 공급하여 중합막을 성막하는 공정(스텝 2)을 구비하고, (1) 공정에서의 표면 처리 시, 밀착 촉진제를 포함하는 가스에 더하여, 제1 원료 가스 및 제2 원료 가스 중 적어도 하나를, 더 공급한다.

Abstract translation: 本发明提供即使聚合成膜温度降低也能够抑制聚合膜和目标表面之间的粘附性降低的聚合膜形成方法。 聚合成膜方法使用含有酸酐的第一基础气体和含有二胺的第二基础气体在目标体的目标表面上形成聚合膜，其包括：（1）提供含有粘合剂的气体的工序（工序1） 催化剂，其改善目标表面和聚合膜与目标表面之间的粘合性，以在目标表面上进行表面处理; 和（2）将第一基础气体和第二基础气体供给到进行了表面处理的目标表面以形成聚合膜的方法（步骤2）。 在工序（1）的表面处理中，除了含有粘合催化剂的气体以外，还供给第一基础气体和第二基础气体中的至少一个。

公开(公告)号：KR1020150097398A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：KR1020150017867

申请日：2015-02-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마구치,다츠야 ,  모리사다,요시노리

IPC: H01L21/312 ,  C23C14/12 ,  H01L21/31

CPC classification number: C09D183/14 ,  B05D1/34 ,  B05D1/60 ,  C08G77/54 ,  C23C14/12 ,  H01L21/31

Abstract: 비방향족 폴리이미드이어도, 양호한 내열성을 유지한 채 성막하는 것이 가능한 중합막의 성막 방법을 제공한다. 제1 모노머를 포함하는 제1 원료 가스와, 제1 모노머와는 다른 제2 모노머를 포함하는 제2 원료 가스를 이용하여, 피처리체의 피처리면 상에 중합막을 성막하는 중합막의 성막 방법으로서, 제1 모노머로서, 가수분해기를 가진 이관능성의 비방향족 아민을 이용하고, 제2 모노머로서, 이관능성의 산무수물을 이용한다.

Abstract translation: 本发明提供即使对于非芳族聚酰胺也能保持令人满意的耐热性能而能够形成膜的聚合成膜方法。 聚合成膜方法使用含有第一单体的第一基础气体和含有与第一单体不同的第二单体的第二基础气体，以在目标体的目标表面上形成聚合薄膜。 使用具有水解剂的二官能非芳香族胺作为第一单体，二官能酸酐用于第二单体。

公开(公告)号：KR1020130133130A

公开(公告)日：2013-12-06

申请号：KR1020130056610

申请日：2013-05-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마구치,다츠야 ,  니이노,레이지

IPC: H01L21/312 ,  C23C14/12

CPC classification number: H01L21/02118 ,  B05D1/36 ,  B05D1/60 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76898 ,  Y10T428/31855

Abstract: The present invention provides a film forming method capable of forming a polyimide film with high quality on a substrate and easily controlling the formation of the polyimide layer. The film forming method according to one embodiment of the present invention forms the polyimide layer on the surface of the substrate by the dehydration condensation of a first monomer which is made of bifunctional acid anhydride and a second monomer which is made of bifunctional amine. The film forming method includes the steps of: inputting the substrate to a processing container; heating the substrate at a temperature at which the polyimide film is formed; performing a cycle of supplying a first processing gas with the first monomer to the substrate, supplying a second processing gas with the second monomer to the substrate, and replacing the atmosphere of the processing container with a replacement gas by supplying the replacement gas to the processing container several times; and discharging the gas from the processing chamber. [Reference numerals] (AA) 1 cycle;(BB) Time

Abstract translation: 本发明提供能够在基板上形成高质量的聚酰亚胺膜并容易控制聚酰亚胺层的形成的成膜方法。 根据本发明的一个实施方案的成膜方法通过由双官能酸酐制成的第一单体和由双官能胺制成的第二单体的脱水缩合在基材的表面上形成聚酰亚胺层。 成膜方法包括以下步骤：将基材输入加工容器; 在形成聚酰亚胺膜的温度下加热基板; 执行将第一处理气体与第一单体供应到基板的循环，将第二处理气体与第二单体供应到基板，并且通过将替换气体供给到处理中来替换处理容器的气体， 容器数次; 并从处理室排出气体。 （标号）（AA）1个循环;（BB）时间

公开(公告)号：KR102232637B1

公开(公告)日：2021-03-25

申请号：KR1020180026846

申请日：2018-03-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후지카와,마코토 ,  니이노,레이지 ,  하시모토,히로유키 ,  야마구치,다츠야 ,  노자와,슈지

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  C23C16/44

Abstract: 본발명은, 종형의반응용기내에서선반형상으로유지된복수의기판에대하여성막처리를행하는데 있어서, 기판의중심부의막 두께와주연부의막 두께를각각제어할수 있는기술을제공하는것이다. 반응용기(11) 내에서의기판(W)의유지영역의후방에설치된, 상기성막가스를토출하는성막가스토출부(41)와, 기판(W)의유지영역의전방에설치된, 성막가스를배기하는배기구(15)와, 기판유지구(21)를종축의주위로회전시키기위한회전기구(34)와, 성막가스토출부(41)로부터토출되는성막가스의온도보다도반응용기(11) 내를낮은온도로가열하는가열부(24)를구비하는장치를구성한다. 성막가스토출부(41)에서, 제1 토출구(43)는토출된성막가스가반응용기(11) 내의가스강온용부재에충돌해서강온되도록, 제2 토출구(42)는토출된성막가스가가스강온용부재에충돌하지않도록, 각각상이한방향으로개구된다.

公开(公告)号：KR101843616B1

公开(公告)日：2018-03-29

申请号：KR1020150025820

申请日：2015-02-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스기타,깃페이 ,  야마구치,다츠야 ,  모리사다,요시노리 ,  후지카와,마코토

IPC: B29C71/02 ,  C08J5/18 ,  C08L79/08

CPC classification number: C09D179/08 ,  B05D1/60 ,  B05D3/0254 ,  C08G73/105 ,  C08G73/1071 ,  C23C16/30 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/67109

Abstract: 본발명은중합막의내약품성을향상시키는것이가능하고, 또한, 중합막의내약품성을향상시키기위해새로운처리장치를별도로필요로하지않는중합막의내약품성개선방법을제공한다. 본발명의일 실시예에따른중합막의내약품성개선방법은피처리체의표면위에성막되어, 약품에의해처리되는중합막의내약품성을개선하는중합막의내약품성개선방법으로서, 상기중합막의내약품성을개선하는처리를, 상기중합막을성막한성막장치의처리실로부터상기피처리체를반출하지않고, 상기처리실내에서상기중합막의성막처리에연속해서행한다.

Abstract translation: 本发明提供一种改进聚合膜的耐化学性的方法，该方法可以提高聚合膜的耐化学性，并且不需要新的处理装置来提高聚合膜的耐化学性。 根据本发明的一个实施方案中聚合膜的改进方法和耐化学性被沉积在对象片，的改进方法和耐化学性的聚合物膜的表面上，以改善耐化学性，聚合膜是通过将药物处理，改善耐化学性，聚合膜 从处理室中的聚合物膜的膜形成过程开始连续进行，而不从其中形成聚合物膜的成膜装置的处理室输出处理对象。

公开(公告)号：KR1020150101940A

公开(公告)日：2015-09-04

申请号：KR1020150025820

申请日：2015-02-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스기타,깃페이 ,  야마구치,다츠야 ,  모리사다,요시노리 ,  후지카와,마코토

IPC: B29C71/02 ,  C08J5/18 ,  C08L79/08

CPC classification number: C09D179/08 ,  B05D1/60 ,  B05D3/0254 ,  C08G73/105 ,  C08G73/1071 ,  C23C16/30 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/67109 ,  C08J7/08 ,  C08J5/18 ,  C08L79/08 ,  C08L2203/206

Abstract: 본 발명은 중합막의 내약품성을 향상시키는 것이 가능하고, 또한, 중합막의 내약품성을 향상시키기 위해 새로운 처리 장치를 별도로 필요로 하지 않는 중합막의 내약품성 개선 방법을 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 중합막의 내약품성 개선 방법은 피처리체의 표면 위에 성막되어, 약품에 의해 처리되는 중합막의 내약품성을 개선하는 중합막의 내약품성 개선 방법으로서, 상기 중합막의 내약품성을 개선하는 처리를, 상기 중합막을 성막한 성막 장치의 처리실로부터 상기 피처리체를 반출하지 않고, 상기 처리실 내에서 상기 중합막의 성막 처리에 연속해서 행한다.

Abstract translation: 本发明提供了提高聚合膜的耐化学性的方法，其不需要单独的加工装置来提高聚合膜的耐化学性。 根据本发明的实施方案，提高聚合膜的耐化学性的方法提高了在待处理物体的表面上形成的并通过化学处理加工的聚合膜的耐化学性，其中改进 通过在处理室中形成聚合膜而不从形成聚合膜的成膜设备的处理室中取出待处理物体的工艺来连续进行聚合膜的耐化学性。