公开(公告)号：KR101631783B1

公开(公告)日：2016-06-17

申请号：KR1020147023965

申请日：2013-01-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세가와도시오 ,  다다구니히로 ,  야마사키히데아키 ,  오메아라데이빗엘 ,  루싱크게릿제이

IPC: H01L21/24 ,  H01L21/205 ,  H01L21/8242 ,  C23C16/42

CPC classification number: H01L21/76898 ,  C23C16/42 ,  C23C16/45538 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28562 ,  H01L28/91 ,  H01L29/66181

Abstract: 기판상에금속실리사이드층을형성하기위한방법이제공된다. 일실시예에따라, 이방법은프로세스챔버에기판을제공하는단계, 금속전구체(metal precursor)를포함하는증착가스로부터생성된플라즈마에제 1 기판온도로상기기판을노출시키는단계를포함하며, 여기서상기플라즈마노출은자기-제한적프로세스(self-limiting process)에서기판상에컨포멀한금속-함유층(conformal metal-containing layer)을형성한다. 이방법은또한플라즈마없이환원성가스에제 2 기판온도로금속-함유층을노출시키는단계를포함하고, 여기서상기노출시키는단계들은금속실리사이드층을형성하기위해적어도한번교번적으로수행되고, 상기증착가스는환원성가스를포함하지않는다. 이방법은또한높은종횡비들을갖는딥 트랜치들내의컨포멀한금속실리사이드형성을제공한다.

公开(公告)号：KR1020140119776A

公开(公告)日：2014-10-10

申请号：KR1020147023965

申请日：2013-01-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세가와도시오 ,  다다구니히로 ,  야마사키히데아키 ,  오메아라데이빗엘 ,  루싱크게릿제이

IPC: H01L21/24 ,  H01L21/205 ,  H01L21/8242 ,  C23C16/42

CPC classification number: H01L21/76898 ,  C23C16/42 ,  C23C16/45538 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28562 ,  H01L28/91 ,  H01L29/66181

Abstract: 기판 상에 금속 실리사이드 층을 형성하기 위한 방법이 제공된다. 일 실시예에 따라, 이 방법은 프로세스 챔버에 기판을 제공하는 단계, 금속 전구체(metal precursor)를 포함하는 증착 가스로부터 생성된 플라즈마에 제 1 기판 온도로 상기 기판을 노출시키는 단계를 포함하며, 여기서 상기 플라즈마 노출은 자기-제한적 프로세스(self-limiting process)에서 기판 상에 컨포멀한 금속-함유 층(conformal metal-containing layer)을 형성한다. 이 방법은 또한 플라즈마 없이 환원성 가스에 제 2 기판 온도로 금속-함유층을 노출시키는 단계를 포함하고, 여기서 상기 노출시키는 단계들은 금속 실리사이드 층을 형성하기 위해 적어도 한번 교번적으로 수행되고, 상기 증착 가스는 환원성 가스를 포함하지 않는다. 이 방법은 또한 높은 종횡비들을 갖는 딥 트랜치들내의 컨포멀한 금속 실리사이드 형성을 제공한다.