公开(公告)号：KR101631783B1

公开(公告)日：2016-06-17

申请号：KR1020147023965

申请日：2013-01-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세가와도시오 ,  다다구니히로 ,  야마사키히데아키 ,  오메아라데이빗엘 ,  루싱크게릿제이

IPC: H01L21/24 ,  H01L21/205 ,  H01L21/8242 ,  C23C16/42

CPC classification number: H01L21/76898 ,  C23C16/42 ,  C23C16/45538 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28562 ,  H01L28/91 ,  H01L29/66181

Abstract: 기판상에금속실리사이드층을형성하기위한방법이제공된다. 일실시예에따라, 이방법은프로세스챔버에기판을제공하는단계, 금속전구체(metal precursor)를포함하는증착가스로부터생성된플라즈마에제 1 기판온도로상기기판을노출시키는단계를포함하며, 여기서상기플라즈마노출은자기-제한적프로세스(self-limiting process)에서기판상에컨포멀한금속-함유층(conformal metal-containing layer)을형성한다. 이방법은또한플라즈마없이환원성가스에제 2 기판온도로금속-함유층을노출시키는단계를포함하고, 여기서상기노출시키는단계들은금속실리사이드층을형성하기위해적어도한번교번적으로수행되고, 상기증착가스는환원성가스를포함하지않는다. 이방법은또한높은종횡비들을갖는딥 트랜치들내의컨포멀한금속실리사이드형성을제공한다.

公开(公告)号：KR1020140119776A

公开(公告)日：2014-10-10

申请号：KR1020147023965

申请日：2013-01-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세가와도시오 ,  다다구니히로 ,  야마사키히데아키 ,  오메아라데이빗엘 ,  루싱크게릿제이

IPC: H01L21/24 ,  H01L21/205 ,  H01L21/8242 ,  C23C16/42

CPC classification number: H01L21/76898 ,  C23C16/42 ,  C23C16/45538 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28562 ,  H01L28/91 ,  H01L29/66181

Abstract: 기판 상에 금속 실리사이드 층을 형성하기 위한 방법이 제공된다. 일 실시예에 따라, 이 방법은 프로세스 챔버에 기판을 제공하는 단계, 금속 전구체(metal precursor)를 포함하는 증착 가스로부터 생성된 플라즈마에 제 1 기판 온도로 상기 기판을 노출시키는 단계를 포함하며, 여기서 상기 플라즈마 노출은 자기-제한적 프로세스(self-limiting process)에서 기판 상에 컨포멀한 금속-함유 층(conformal metal-containing layer)을 형성한다. 이 방법은 또한 플라즈마 없이 환원성 가스에 제 2 기판 온도로 금속-함유층을 노출시키는 단계를 포함하고, 여기서 상기 노출시키는 단계들은 금속 실리사이드 층을 형성하기 위해 적어도 한번 교번적으로 수행되고, 상기 증착 가스는 환원성 가스를 포함하지 않는다. 이 방법은 또한 높은 종횡비들을 갖는 딥 트랜치들내의 컨포멀한 금속 실리사이드 형성을 제공한다.

公开(公告)号：KR1020070008569A

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：KR1020067016437

申请日：2005-02-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오미라데이빗엘 ,  루싱크게릿제이 ,  캐브럴스티븐에이치 ,  딥앤서니 ,  와즈다코리 ,  조우레이몬드

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01J2237/2001

Abstract: A wafer heating assembly is described having a unique heater element for use in a single wafer processing systems. The heating unit includes a carbon wire element encased in a quartz sheath. The heating unit is as contamination-free as the quartz, which permits direct contact to the wafer. The mechanical flexibility of the carbon 'wire' or `braided' structure permits a coil configuration, which permits independent heater zone control across the wafer. The multiple independent heater zones across the wafer can permit temperature gradients to adjust film growth/deposition uniformity and rapid thermal adjustments with film uniformity superior to conventional single wafer systems and with minimum to no wafer warping. The low thermal mass permits a fast thermal response that enables a pulsed or digital thermal process that results in layer-by- layer film formation for improved thin film control. ® KIPO & WIPO 2007

Abstract translation: 描述了具有用于单个晶片处理系统的唯一加热器元件的晶片加热组件。 加热单元包括封装在石英鞘中的碳线元件。 加热单元与石英无污染，允许直接接触晶片。 碳线或“编织”结构的机械灵活性允许线圈配置，其允许跨晶片的独立加热器区域控制。 跨晶片的多个独立的加热器区域可以允许温度梯度调节膜生长/沉积均匀性和快速的热调节，其膜均匀性优于常规单晶片系统，并且最小至无晶片翘曲。 低热质量允许快速的热响应，其实现脉冲或数字热处理，其导致逐层成膜以改善薄膜控制。 ®KIPO＆WIPO 2007

公开(公告)号：KR1020140043781A

公开(公告)日：2014-04-10

申请号：KR1020147000708

申请日：2012-06-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나스만로날드 ,  루싱크게릿제이

IPC: C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45563 ,  C23C16/45568

Abstract: 본원 발명에는 기상 증착 시스템과, 이 기상 증착 시스템에 사용하는 가스 디퓨저 어셈블리가 기재되어 있다. 상기 가스 디퓨저 어셈블리는 가스 디퓨저 매니폴드를 포함하며, 이 가스 디퓨저 매니폴드는, 기판 처리 시스템에 연결되도록 구성되어 있고, 프로세스 가스를 가스 출구로부터 기판의 표면에 실질적으로 수직한 방향으로 기판 처리 시스템 내에 도입하여 기판의 표면 상에 정체 유동 패턴을 생성하도록 배치되어 있는 것이다. 가스 디퓨저 매니폴드는 가스 입구, 정체판 및 확산 부재를 포함한다.