公开(公告)号：KR100593256B1

公开(公告)日：2006-06-26

申请号：KR1020027008049

申请日：2000-12-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고미야다로 ,  오사다하츠오 ,  호사카시게토시 ,  요네나가도미히로 ,  도모야스마사유키

IPC: H01L21/00

Abstract: 본 발명은 처리 조건에 상관없이 균일한 배기를 실현할 수 있는 가스 처리 장치와, 상기 가스 처리 장치를 구성하는 가스 처리실과, 상기 가스 처리실에 장착된 배플(21) 플레이트와, 상기 배플 플레이트의 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 배플 플레이트는 공급된 가스에 의해 화학 처리가 실시되는 처리 공간과, 상기 처리 공간과 인접해 있으며 화학 처리에 의해 발생된 배기 가스를 배기시키는 기능을 하는 덕트 사이의 격벽으로서 작용한다. 배플 플레이트상의 위치에 따라 변하는 배플 플레이트의 양 측면상의 압력의 차이로 인해, 배플 홀(23)은 배플 플레이트상의 다수 위치에 배치된다.

公开(公告)号：KR1020020063253A

公开(公告)日：2002-08-01

申请号：KR1020027008049

申请日：2000-12-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고미야다로 ,  오사다하츠오 ,  호사카시게토시 ,  요네나가도미히로 ,  도모야스마사유키

IPC: H01L21/00

Abstract: 본 발명은 처리 조건에 상관없이 균일한 배기를 실현할 수 있는 가스 처리 장치와, 상기 가스 처리 장치를 구성하는 가스 처리실과, 상기 가스 처리실에 장착된 배플(21) 플레이트와, 상기 배플 플레이트의 제조 방법과, 상기 배플 플레이트의 제조 장치를 제공한다. 본 발명의 배플 플레이트는 공급된 가스에 의해 화학 처리가 실시되는 처리 공간과, 상기 처리 공간과 인접해 있으며 화학 처리에 의해 발생된 배기 가스를 배기시키는 기능을 하는 덕트 사이의 격벽으로서 작용한다. 배플 플레이트상의 위치에 따라 변하는 배플 플레이트의 양 측면상의 압력의 차이로 인해, 배플 홀(23)은 배플 플레이트상의 다수 위치에 배치된다.