公开(公告)号：KR1020150108780A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：KR1020150036811

申请日：2015-03-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사이토데츠야 ,  오오타도모히로 ,  다카기도시오

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  H01L21/02263 ,  H01L21/324

Abstract: 기판에 대하여 복수 종류의 반응 가스를 순번으로 공급하고, 치환용의 가스를 공급하여 성막 처리를 실행하는 성막 장치는 기판이 탑재되도록 구성된 탑재부와, 탑재부에 대향하는 평탄한 면과, 복수의 가스 공급구를 포함하는 샤워 헤드를 포함한다. 환상 돌기부는 탑재부의 상면과 환상 돌기부 사이에 간극을 형성하도록 샤워 헤드에 마련된다. 복수의 가스 공급부는 샤워 헤드의 상방측에 형성된 천정부에 마련된다. 각각의 가스 공급부는 둘레 방향을 따라서 형성된 가스 토출구를 구비한다. 확산 공간은, 평면에서 보았을 때 확산 공간의 외연이 탑재부에 탑재된 기판의 외연보다 내측에 위치되도록 배치되어 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种成膜装置，其能够相对于基板依次提供多种类型的反应气体，并且通过供给用于替代的气体形成膜，并且包括：形成为允许基板为 安装; 以及具有面向安装部的平面的喷淋头和多个气体供给孔。 在花洒头中制备环形突出部分，以在环形突出部分和安装部分的上表面之间形成间隙。 在形成于淋浴喷头的上侧的顶部配备有多个气体供给部。 每个气体供应部件包括沿圆周方向形成的气体排出孔。 扩散空间布置成允许扩散空间的外边缘比从平面观察时安装在安装部分上的基板的外边缘更靠内侧定位。

公开(公告)号：KR101745074B1

公开(公告)日：2017-06-08

申请号：KR1020150036811

申请日：2015-03-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사이토데츠야 ,  오오타도모히로 ,  다카기도시오

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46

Abstract: 기판에대하여복수종류의반응가스를순번으로공급하고, 치환용의가스를공급하여성막처리를실행하는성막장치는기판이탑재되도록구성된탑재부와, 탑재부에대향하는평탄한면과, 복수의가스공급구를포함하는샤워헤드를포함한다. 환상돌기부는탑재부의상면과환상돌기부사이에간극을형성하도록샤워헤드에마련된다. 복수의가스공급부는샤워헤드의상방측에형성된천정부에마련된다. 각각의가스공급부는둘레방향을따라서형성된가스토출구를구비한다. 확산공간은, 평면에서보았을때 확산공간의외연이탑재부에탑재된기판의외연보다내측에위치되도록배치되어있다.

Abstract translation: 一种成膜装置，用于向基板依次供给多种反应气体，通过供给置换气体而进行成膜处理，其特征在于，具备：安装基板的安装部;与安装部相对的平坦面; 还有一个淋浴头。 环形突起设置在淋浴头上，以便在安装部分的上表面和环形突起之间形成间隙。 多个气体供应单元设置在形成于喷头的上侧的顶部上。 每个气体供应部分具有沿圆周方向形成的气体排出口。 扩散空间布置成当从平面看时扩散空间的外边缘位于安装在支架上的基板的外边缘的内侧。

公开(公告)号：KR1020150127537A

公开(公告)日：2015-11-17

申请号：KR1020150061353

申请日：2015-04-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  가케가와다카시 ,  츠다에이노스케 ,  오오타도모히로

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324

CPC classification number: C23C16/5096 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/455 ,  C23C16/46 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32522

Abstract: 본발명은, 처리용기내에플라즈마를발생시켜기판을처리하는기판처리장치에있어서, 당해처리용기내에서의파티클발생을억제한다. 플라즈마를이용하여웨이퍼를처리하는기판처리장치로서, 웨이퍼를기밀하게수용하는처리용기와, 처리용기내에서기판을탑재하는탑재대를구비한하부전극과, 탑재대상에탑재된기판에대향하여배치되고, 복수의공급구멍이형성된샤워플레이트를구비한상부전극(30)과, 상부전극(30)의외주부를둘러싸는절연부재(40)와, 샤워플레이트를거쳐서상기처리용기내에처리가스를공급하는처리가스공급원과, 절연부재(40)를, 처리용기내의압력에서의처리가스의반응중간체중 적어도하나의포화증기온도이상으로가열하는가열기구가열기구(41)를가진다.

Abstract translation: 本发明涉及能够通过在处理容器中产生等离子体来处理基板的基板处理装置，抑制处理容器中的颗粒的产生。 使用等离子体处理晶片的基板处理装置包括：密封地存储晶片的处理容器; 下部电极，其包括用于将所述基板安装在所述处理容器中的安装杆; 面向所述基板的上电极，安装在所述安装杆上，并且包括具有多个供给孔的喷淋板; 围绕所述上电极（30）的外部的绝缘构件（40）; 处理气体供给源，其通过所述淋浴板向处理容器供给处理气体; 以及加热工具（41），其在比处理容器中的压力处理气体的反应中间体中的温度高于至少一个温度的温度下加热绝缘构件（40）。