公开(公告)号：KR101439717B1

公开(公告)日：2014-09-12

申请号：KR1020127021262

申请日：2011-01-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키아유타 ,  강송윤 ,  모리야츠요시 ,  데라사와노부토시 ,  오카베요시아키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/4404 ,  B29C59/14 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/68757 ,  Y10S156/915

Abstract: 처리 용기 내에 기판을 반입해서 탑재대에 탑재하는 공정과, 적어도 표면부의 주성분이 기판의 피에칭막의 주성분과 동일한 재질인 링 부재를 기판을 둘러싸도록 배치한 상태에서, 기판에 대향하는 가스 공급부로부터 처리 가스를 샤워 형상으로 토출함과 아울러, 처리 가스를 플라즈마화해서 피에칭막을 에칭하는 공정과, 상기 처리 용기 내를 배기로를 거쳐서 진공 배기하는 공정을 포함하도록, 에칭을 실행한다. 이것에 의해, 기판의 둘레 가장자리 부근에서의 플라즈마의 활성종 분포의 불균일함을 억제한다.

公开(公告)号：KR1020120107514A

公开(公告)日：2012-10-02

申请号：KR1020127021262

申请日：2011-01-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키아유타 ,  강송윤 ,  모리야츠요시 ,  데라사와노부토시 ,  오카베요시아키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/4404 ,  B29C59/14 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/68757 ,  Y10S156/915

Abstract: 처리 용기 내에 기판을 반입해서 탑재대에 탑재하는 공정과, 적어도 표면부의 주성분이 기판의 피에칭막의 주성분과 동일한 재질인 링 부재를 기판을 둘러싸도록 배치한 상태에서, 기판에 대향하는 가스 공급부로부터 처리 가스를 샤워 형상으로 토출함과 아울러, 처리 가스를 플라즈마화해서 피에칭막을 에칭하는 공정과, 상기 처리 용기 내를 배기로를 거쳐서 진공 배기하는 공정을 포함하도록, 에칭을 실행한다. 이것에 의해, 기판의 둘레 가장자리 부근에서의 플라즈마의 활성종 분포의 불균일함을 억제한다.