公开(公告)号：KR1020130082122A

公开(公告)日：2013-07-18

申请号：KR1020130002971

申请日：2013-01-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와타마나부 ,  우메하라나오유키 ,  엔도히로키

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32155 ,  H01J37/32165 ,  H05H2001/4675 ,  H05H2001/4682

Abstract: PURPOSE: A plasma processing device is provided to improve the controllability of an RF bias function and the reliability of a plasma process. CONSTITUTION: A plasma processing device generates plasma by RF discharge of process gas in a processing space between a first and a second electrode installed to be opposed to each other within a vacuum exhaustible processing container that contains a target substrate to be carried in and out. The plasma processing device performs a desired process on the substrate held on the first electrode under the plasma. The plasma processing device includes a first RF power supply (35), a second RF power supply (36), a third RF power supply (38), and a filter circuit (86). The first RF power supply applies a first RF having a first frequency to the first electrode. The second RF power supply applies a second RF having a second frequency to the first electrode. The third RF power supply applies a third RF having a third frequency to the first electrode. The filter circuit is connected between the second electrode and a member having a ground potential. [Reference numerals] (43,42,40) Matching unit; (60) Processing gas supply source; (76) Exhaust device; (83) DC power controller; (86) Filter; (88) Control unit

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置，以提高RF偏置功能的可控性和等离子体处理的可靠性。 构成：等离子体处理装置通过在包含要携带的目标基板的真空可消耗处理容器内的彼此相对安装的第一和第二电极之间的处理空间中的处理空间的RF放电来产生等离子体。 等离子体处理装置在等离子体下的保持在第一电极上的基板上进行所需的处理。 等离子体处理装置包括第一RF电源（35），第二RF电源（36），第三RF电源（38）和滤波器电路（86）。 第一RF电源向第一电极施加具有第一频率的第一RF。 第二RF电源向第一电极施加具有第二频率的第二RF。 第三RF电源向第一电极施加具有第三频率的第三RF。 滤波电路连接在第二电极和具有接地电位的部件之间。 （附图标记）（43,42,40）匹配单元; （60）加工气体供应源; （76）排气装置; （83）直流电源控制器; （86）过滤器; （88）控制单元

公开(公告)号：KR1020170041142A

公开(公告)日：2017-04-14

申请号：KR1020160127704

申请日：2016-10-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나가미코이치 ,  우메하라나오유키 ,  야마다노리카즈

IPC: H01J37/32 ,  H03H7/38 ,  H05H1/46

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32183 ,  H05H2001/4682

Abstract: 고주파전원의부하측의임피던스의변동에따라적응적또한고속으로고주파의주파수를조정한다. 일실시형태의방법에서는, 제 1 기간에있어서의파워보다상기제 1 기간과교호로반복되는제 2 기간에있어서의파워가작아지도록설정된변조고주파의출력이플라즈마처리장치의고주파전원에의해개시된다. 이어서, 과거의제 1 기간내의제 1 부기간의고주파전원의부하측의임피던스의이동평균값, 및, 과거의제 1 기간내의제 2 부기간의고주파전원의부하측의임피던스의이동평균값이취득된다. 이어서, 제 1 부기간의변조고주파의주파수및 제 2 부기간의변조고주파의주파수가이동평균값에따라설정된다.

Abstract translation: 高频的频率根据高频电源的负载侧的阻抗的变化自适应且高速地进行调整。 在该方法的一个实施方案中，所述高频率的所述调制输出将电源设置为更小在第一时段，第二时段，重复在所述第一时段和交替比由高频电力的等离子体处理装置开始功率 。 然后，获得第一之间的高频电源负载侧的肿胀过去第一期间的移动平均值的阻抗，和高频电源的2个肿胀过去的周期之间的负载侧的阻抗的第一移动平均值。 然后，根据移动平均值设置第一本书和第二本书之间的调制高频的频率和第二本书之间的调制高频的频率。

公开(公告)号：KR101996986B1

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：KR1020147016218

申请日：2012-12-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  가부시키가이샤 다이헨

Inventor： 우메하라나오유키 ,  오오타니류지 ,  이토슌이치 ,  세이카즈타카 ,  니시다토모마사

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

公开(公告)号：KR102033180B1

公开(公告)日：2019-10-16

申请号：KR1020130002971

申请日：2013-01-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와타마나부 ,  우메하라나오유키 ,  엔도히로키

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

公开(公告)号：KR1020140102686A

公开(公告)日：2014-08-22

申请号：KR1020147016218

申请日：2012-12-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  가부시키가이샤 다이헨

Inventor： 우메하라나오유키 ,  오오타니류지 ,  이토슌이치 ,  세이카즈타카 ,  니시다토모마사

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01J37/32577 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32155 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32935 ,  H01J2237/24564 ,  H01J2237/327 ,  H01J2237/334 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4682

Abstract: 3 주파 인가 방식에서 반사파 파워 모니터링을 고정밀도로 행하고, 또한 과대한 반사파 파워에 대한 각 RF 급전계의 제어를 확실하게 행한다. 이 플라즈마 처리 장치에서, 제 1, 제 2 및 제 3 RF 파워 모니터(94, 96, 98)는, 제 1, 제 2 및 제 3 고주파 급전 라인(88, 90, 92) 상을 제 1, 제 2 및 제 3 고주파 전원(36, 38, 40)으로부터 부하측을 향해 각각 전반하는 고주파(진행파)의 파워와, 부하측으로부터 제 1, 제 2 및 제 3 고주파 전원(36, 38, 40)을 향해 각각 전반하는 고주파(반사파)의 파워를 동시에 모니터링한다. 주제어부(82)는, RF 파워 모니터(94, 96, 98)로부터 수신되는 모니터 정보에 기초하여 3 계통의 고주파 전원(36, 38, 40), 및 정합기(32, 44, 46)를 통괄적으로 제어한다.

Abstract translation: 在等离子体处理装置中，第一至第三RF功率监视器94,94和98被配置为监视从第一至第三传播到第一至第三高频电源线88,90和92的高频功率（行波功率） 分别向负载侧的高频电源36,38和40以及在第一高频电源线88,90和92从负载侧向第一至第三传播的高频功率（反射波功率） 高频电源36,38和40分别同时进行。 主控制器82被配置为基于从RF功率监视器94,96和98发送的监视信息来控制高频电源36,38和40以及匹配装置42,44和46。