公开(公告)号：KR101697285B1

公开(公告)日：2017-01-17

申请号：KR1020100085685

申请日：2010-09-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다마사노부 ,  하나오카히데토시 ,  히라노타이치 ,  미무라타카노리 ,  이와타마나부 ,  오카죠타케토시

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/4405 ,  H01J37/32862

Abstract: ESC의외주부에퇴적된 CF 베이스며 Si 및 Al를함유하는숄더퇴적물을효율적으로제거하는챔버내 클리닝방법을제공한다. O가스와 F 함유가스와의혼합가스를 ESC(24)의외주부(24a)를향하여압력 400 ~ 800 mTorr로공급하고, 상기혼합가스로부터생성된플라즈마를 ESC(24)의외주부(24a)에선택적으로조사하고또한, ESC(24)의외주부(24a) 이외의상부표면에마스킹가스로서 O단가스를공급하고, ESC(24)의외주부(24a) 이외의상부표면의 F 래디컬에의한피폭을방지하면서상기외주부(24a)에부착된숄더퇴적물(50)을분해, 제거한다.

Abstract translation: 提供一种能够有效地除去沉积在ESC外周上的含有Si和Al的CF系肩层沉积物的室清洗方法。 在约400mTorr至约800mTorr的压力下，向ESC24的外周边24a供应O 2气体和F气体的混合气体; 从混合气体产生的等离子体照射到ESC24的外周24a上; 作为掩模气体的O 2单体气体除外周边24a供给到ESC24的上表面; 并且附着在外周24a上的肩部沉积物50被分解除去，同时防止除了外周边24a之外的ESC 24的顶面暴露于F基。

公开(公告)号：KR1020110025142A

公开(公告)日：2011-03-09

申请号：KR1020100085685

申请日：2010-09-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 혼다마사노부 ,  하나오카히데토시 ,  히라노타이치 ,  미무라타카노리 ,  이와타마나부 ,  오카죠타케토시

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/4405 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826

Abstract: PURPOSE: A chamber cleaning method is provided to efficiently remove deposits attached to the outer surface of an electrostatic chuck by selectively radiating plasma generated from mixed gas to the outer surface of the electrostatic chuck. CONSTITUTION: Mixed gas of O2 gas and F containing gas is supplied to an outer surface(24a) of an ESC(24) with 400 to 800 mTorr. Plasma generated from the mixed gas is selectively radiated to the outer surface of the ESC. O2 gas is supplied to the upper surface except for the outer surface of the ESC as masking gas. A shoulder deposit(50) is decomposed and removed from the outer surface while preventing the upper surface except for the outer surface of the ESC from being exposed to F radical.

Abstract translation: 目的：提供一种室内清洁方法，通过从静电卡盘的外表面选择性地辐射从混合气体产生的等离子体，有效地除去附着在静电吸盘外表面的沉积物。 构成：将含有O 2气体和F气体的混合气体供给到具有400至800mTorr的ESC（24）的外表面（24a）。 从混合气体产生的等离子体选择性地辐射到ESC的外表面。 向作为掩蔽气体的ESC的外表面以外的上表面供给氧气。 肩部沉积物（50）从外表面分解除去，同时防止ESC的外表面以外的上表面暴露于F基团。

公开(公告)号：KR1020130082122A

公开(公告)日：2013-07-18

申请号：KR1020130002971

申请日：2013-01-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와타마나부 ,  우메하라나오유키 ,  엔도히로키

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32155 ,  H01J37/32165 ,  H05H2001/4675 ,  H05H2001/4682

Abstract: PURPOSE: A plasma processing device is provided to improve the controllability of an RF bias function and the reliability of a plasma process. CONSTITUTION: A plasma processing device generates plasma by RF discharge of process gas in a processing space between a first and a second electrode installed to be opposed to each other within a vacuum exhaustible processing container that contains a target substrate to be carried in and out. The plasma processing device performs a desired process on the substrate held on the first electrode under the plasma. The plasma processing device includes a first RF power supply (35), a second RF power supply (36), a third RF power supply (38), and a filter circuit (86). The first RF power supply applies a first RF having a first frequency to the first electrode. The second RF power supply applies a second RF having a second frequency to the first electrode. The third RF power supply applies a third RF having a third frequency to the first electrode. The filter circuit is connected between the second electrode and a member having a ground potential. [Reference numerals] (43,42,40) Matching unit; (60) Processing gas supply source; (76) Exhaust device; (83) DC power controller; (86) Filter; (88) Control unit

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置，以提高RF偏置功能的可控性和等离子体处理的可靠性。 构成：等离子体处理装置通过在包含要携带的目标基板的真空可消耗处理容器内的彼此相对安装的第一和第二电极之间的处理空间中的处理空间的RF放电来产生等离子体。 等离子体处理装置在等离子体下的保持在第一电极上的基板上进行所需的处理。 等离子体处理装置包括第一RF电源（35），第二RF电源（36），第三RF电源（38）和滤波器电路（86）。 第一RF电源向第一电极施加具有第一频率的第一RF。 第二RF电源向第一电极施加具有第二频率的第二RF。 第三RF电源向第一电极施加具有第三频率的第三RF。 滤波电路连接在第二电极和具有接地电位的部件之间。 （附图标记）（43,42,40）匹配单元; （60）加工气体供应源; （76）排气装置; （83）直流电源控制器; （86）过滤器; （88）控制单元

公开(公告)号：KR101247833B1

公开(公告)日：2013-03-26

申请号：KR1020117031581

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스기모토마사루 ,  히나타구니히코 ,  고바야시노리유키 ,  고시미즈치시오 ,  오타니류지 ,  기비가즈오 ,  사이토마사시 ,  마츠모토나오키 ,  오오야요시노부 ,  이와타마나부 ,  야노다이스케 ,  야마자와요헤이 ,  하나오카히데토시 ,  하야미도시히로 ,  야마자키히로키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.

Abstract translation: 根据本发明，上部电极34和下部电极，作为用于在晶片（W）进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置的上部电极34，以产生16及其表面之间的处理气体等离子体 表面的磁偏压V达到可以获得适当溅射效果的程度

公开(公告)号：KR1020120107520A

公开(公告)日：2012-10-02

申请号：KR1020127021941

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스기모토마사루 ,  히나타구니히코 ,  고바야시노리유키 ,  고시미즈치시오 ,  오타니류지 ,  기비가즈오 ,  사이토마사시 ,  마츠모토나오키 ,  오오야요시노부 ,  이와타마나부 ,  야노다이스케 ,  야마자와요헤이 ,  하나오카히데토시 ,  하야미도시히로 ,  야마자키히로키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.

公开(公告)号：KR1020120009515A

公开(公告)日：2012-01-31

申请号：KR1020117031581

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스기모토마사루 ,  히나타구니히코 ,  고바야시노리유키 ,  고시미즈치시오 ,  오타니류지 ,  기비가즈오 ,  사이토마사시 ,  마츠모토나오키 ,  오오야요시노부 ,  이와타마나부 ,  야노다이스케 ,  야마자와요헤이 ,  하나오카히데토시 ,  하야미도시히로 ,  야마자키히로키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.

公开(公告)号：KR1020120009512A

公开(公告)日：2012-01-31

申请号：KR1020117031569

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스기모토마사루 ,  히나타구니히코 ,  고바야시노리유키 ,  고시미즈치시오 ,  오타니류지 ,  기비가즈오 ,  사이토마사시 ,  마츠모토나오키 ,  오오야요시노부 ,  이와타마나부 ,  야노다이스케 ,  야마자와요헤이 ,  하나오카히데토시 ,  하야미도시히로 ,  야마자키히로키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/3342 ,  H01L21/31138

Abstract: 본 발명에 따르면, 상부 전극(34) 및 하부 전극(16) 사이에 처리 가스인 플라즈마를 생성하여 웨이퍼(W)에 플라즈마 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치로서, 상부 전극(34)에, 그 표면에 대한 적절한 스퍼터 효과를 얻을 수 있는 정도로 그 표면의 자기 바이어스 전압 V
dc 의 절대값이 커지고, 또한 상부 전극(34)에 있어서의 플라즈마 시스의 두께가, 소망하는 축소화 플라즈마가 형성되는 정도로 두껍게 되도록 하는 직류 전압을 인가하는 가변 직류 전원(50)을 더 구비한다.

Abstract translation: 根据本发明，上部电极34和下部电极，作为用于在晶片（W）进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置的上部电极34，以产生16及其表面之间的处理气体等离子体 表面的磁偏压V达到可以获得适当溅射效果的程度

公开(公告)号：KR1020090103751A

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：KR1020090024901

申请日：2009-03-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카야마히로유키 ,  혼다마사노부 ,  마스자와겐지 ,  이와타마나부

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01L21/67069

Abstract: PURPOSE: An electrode structure and substrate processing apparatus are provided to increase the electron density at the peripheral part of the substrate. CONSTITUTION: An electrode structure and substrate processing apparatus is arranged within the process chamber. The electrode structure is faced to the substrate mounted in the main chuck within the process chamber. The electrode structure includes the inner electrode(34), and the outer electrode(35). The inside electrode is faced to the central part of a substrate. The outer electrode is faced to the peripheral part of a substrate. In the inner electrode, the first DC power supplies are connected. The second DC power supplies are connected to the outer electrode. The outer electrode has the first plane(35a), and the second face(35b) inclined to the first plane.

Abstract translation: 目的：提供电极结构和衬底处理装置，以增加衬底周边部分的电子密度。 构成：在处理室内设置电极结构和基板处理装置。 电极结构面对安装在处理室内的主卡盘中的基板。 电极结构包括内电极（34）和外电极（35）。 内部电极面对基板的中心部分。 外电极面向基板的周边部分。 在内部电极中，连接第一直流电源。 第二直流电源连接到外电极。 外电极具有第一平面（35a），第二面（35b）倾斜于第一平面。

公开(公告)号：KR1020070020329A

公开(公告)日：2007-02-20

申请号：KR1020077001691

申请日：2005-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스기모토마사루 ,  히나타구니히코 ,  고바야시노리유키 ,  고시미즈치시오 ,  오타니류지 ,  기비가즈오 ,  사이토마사시 ,  마츠모토나오키 ,  오오야요시노부 ,  이와타마나부 ,  야노다이스케 ,  야마자와요헤이 ,  하나오카히데토시 ,  하야미도시히로 ,  야마자키히로키 ,  사토마나부

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32532 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138

Abstract: 본 발명에 따르면, 피처리 기판이 수용되고, 진공 배기 가능한 처리 용기와, 처리 용기 내에 대향하여 배치되는 제 1 전극 및 피처리 기판을 지지하는 제 2 전극과, 상기 제 1 전극에 상대적으로 주파수가 높은 제 1 고주파 전력을 인가하는 제 1 고주파 전력 인가 유닛과, 상기 제 2 전극에 상대적으로 주파수가 낮은 제 2 고주파 전력을 인가하는 제 2 고주파 전력 인가 유닛과, 상기 제 1 전극에 직류 전압을 인가하는 직류 전원과, 상기 처리 용기 내에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 유닛과, 상기 직류 전원으로부터 상기 제 1 전극으로의 인가 전압, 인가 전류 및 인가 전력 중 어느 하나를 제어하는 제어 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치가 제공된다.

公开(公告)号：KR1020150068312A

公开(公告)日：2015-06-19

申请号：KR1020140176014

申请日：2014-12-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 키시히로키 ,  미야가와마사아키 ,  키타바타토시노리 ,  이와타마나부

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01J37/32642 ,  H01J37/32715

Abstract: 포커스링의소모에수반하는틸팅변동의진행을억제하는것이다. 플라즈마처리장치는, 피처리체를플라즈마처리하기위한챔버와, 챔버의내부에설치되고, 피처리체가재치되는재치면을가지는재치대와, 재치면에재치된피처리체를둘러싸도록재치대에설치된포커스링으로서, 재치면보다낮은제 1 평탄부와, 제 1 평탄부보다높고, 또한피처리체의피처리면보다높지않은제 2 평탄부와, 제 2 평탄부및 피처리체의피처리면보다높은제 3 평탄부가내주측으로부터외주측을향해차례로형성된포커스링을구비했다.

Abstract translation: 本发明抑制由聚焦环的消耗引起的倾斜变化的进展。 等离子体处理装置包括用于处理具有等离子体的物体的室，安装在所述室中并具有安装所述物体的安装表面的安装台和安装在所述安装台上以围绕所述物体的所述聚焦环 安装在安装表面上。 聚焦环包括比安装表面低的第一平坦部分，比第一平坦部分高的第二平坦部分，并且不高于物体的处理表面，并且第三环高于 第二平面部分和物体的处理表面，其从内周侧到外周侧依次形成。