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    어모퍼스 실리콘막의 성막 방법 및 성막 장치
    1.
    发明公开
    어모퍼스 실리콘막의 성막 방법 및 성막 장치 有权
    形成非晶硅膜的方法和装置

    公开(公告)号：KR1020130011926A

    公开(公告)日：2013-01-30

    申请号：KR1020120075433

    申请日：2012-07-11

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 가키모토아키노부 ,  다카기사토시 ,  이가라시카즈마사

    IPC: H01L21/312 ,  H01L21/205

    CPC classification number: H01L21/02664 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262

    Abstract: PURPOSE: A method and an apparatus for forming an amorphous silicon film are provided to form a thinner amorphous silicon film by etching an amorphous silicon film. CONSTITUTION: Aminosilane gas is supplied to a heated base(2) to form a seed layer(3) on the surface of the base. Silane gas are supplied to a seed layer formed on the heated base to form an amorphous silicon film(4) having a layered thickness. The amorphous silicon film is etched to reduce its thickness(t).

    Abstract translation: 目的：提供一种形成非晶硅膜的方法和装置，通过蚀刻非晶硅膜形成较薄的非晶硅膜。 构成：将氨基硅烷气体供应到加热的基底（2）以在基底的表面上形成种子层（3）。 将硅烷气体供给到形成在加热基底上的种子层，形成层叠厚度的非晶硅膜（4）。 蚀刻非晶硅膜以减小其厚度（t）。

    어모퍼스 실리콘막의 성막 방법 및 성막 장치
    3.
    发明公开
    어모퍼스 실리콘막의 성막 방법 및 성막 장치 有权
    形成非晶硅膜的方法和装置

    公开(公告)号：KR1020150082158A

    公开(公告)日：2015-07-15

    申请号：KR1020150090935

    申请日：2015-06-26

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 가키모토아키노부 ,  다카기사토시 ,  이가라시카즈마사

    IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

    CPC classification number: H01L21/02664 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262

    Abstract: (과제) 보다평활한표면을갖고, 그리고, 더한층의박막화를달성하는것이가능한어모퍼스실리콘막의성막방법을제공하는것이다. (해결수단) 하지(base; 2)를가열하고, 가열한하지(2)에아미노실란계가스를공급하여, 하지(2) 표면에시드층(3)을형성하는공정과, 하지(2)를가열하고, 가열한하지(2) 표면의시드층(3)에아미노기를포함하지않는실란계가스를공급하여, 시드층(3) 상에어모퍼스실리콘막(4)을, 층성장하는두께로형성하는공정과, 층성장하는두께로형성된어모퍼스실리콘막(4)을에칭하여, 당해어모퍼스실리콘막(4)의막두께(t)를감소시키는공정을구비한다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种形成非晶硅膜的方法，其具有更平滑的表面并且更薄。 该方法包括：加热基底（2）并向加热的基底（2）供应氨基硅烷基气体以在基底（2）的表面上形成种子层（30）的方法; 将加热的基体（2）的表面上的基底（2），不含氨基的硅烷类气体加热到种子层（3）的工序，在种子层（3）上形成非晶硅膜（4） ）具有层生长厚度; 以及蚀刻形成有层生长厚度的非晶硅膜（4）以降低非晶硅膜（4）的膜厚度（t）的工艺。

    박막의 형성 방법 및 성막 장치
    7.
    发明公开
    박막의 형성 방법 및 성막 장치 有权
    薄膜成型方法和薄膜成型装置

    公开(公告)号：KR1020150075066A

    公开(公告)日：2015-07-02

    申请号：KR1020150081222

    申请日：2015-06-09

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 가키모토아키노부 ,  엔도아츠시 ,  미야하라타카히로 ,  나카지마시게루 ,  다카기사토시 ,  이가라시카즈마사

    IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02 ,  H01L21/314

    CPC classification number: C23C16/24 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/045 ,  C23C16/45523 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/67109

    Abstract: (과제) 비교적저온에서도매입특성이양호하고, 또한표면러프니스의정밀도도향상하는어모퍼스상태의불순물함유의실리콘막과같은박막을형성하는것이가능한박막의형성방법을제공한다. (해결수단) 진공배기가가능하게이루어진처리용기(14) 내에서피(被)처리체(W)의표면에시드막(88)과불순물함유의실리콘막(90)을형성하는박막의형성방법에있어서, 처리용기내로아미노실란계가스와고차실란중 적어도어느한쪽의가스로이루어지는시드막용원료가스를공급하여시드막을형성하는제1 스텝과, 처리용기내로실란계가스와불순물함유가스를공급하여어모퍼스상태의상기불순물함유의실리콘막을형성하는제2 스텝을갖는다.

    Abstract translation: 提供即使在相对低的温度下形成具有优异的嵌入性能的含有非晶质杂质的硅膜的薄膜的薄膜形成方法来提高表面粗糙度的精度。 在能够进行真空排气的处理容器（14）的处理对象体（W）的表面上形成种子膜（88）和杂质含有硅膜（90）的薄膜形成方法包括：第一 将由氨基硅烷类气体和高级硅烷的至少一种气体形成的种子膜原料气供给到处理容器中以形成种子膜的步骤; 以及将硅烷类气体和含杂质气体供给到处理容器中以形成非晶质杂质的硅膜的第二工序。

    박막의 형성 방법 및 성막 장치
    8.
    发明公开
    박막의 형성 방법 및 성막 장치 有权
    薄膜成型方法和薄膜成型装置

    公开(公告)号：KR1020130035913A

    公开(公告)日：2013-04-09

    申请号：KR1020120107180

    申请日：2012-09-26

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 가키모토아키노부 ,  엔도아츠시 ,  미야하라타카히로 ,  나카지마시게루 ,  다카기사토시 ,  이가라시카즈마사

    IPC: H01L21/205

    CPC classification number: C23C16/24 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/045 ,  C23C16/45523 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/67109

    Abstract: PURPOSE: A method and an apparatus for forming a thin film are provided to improve step coverage by forming a boron-doped amorphous silicon film in a seed layer. CONSTITUTION: A source gas for a seed is supplied into a process chamber. The source gas includes an aminosilane based gas and a multi-functional silane gas. A seed layer(88) is formed on the surface of an insulating layer. The silane gas and an impurity-containing gas are supplied into the process chamber. An amorphous impurity-containing silicon layer(90) is formed. [Reference numerals] (2) Insulating layer(underlayer); (88) Seed layer; (90) Amorphous impurity-containing silicon layer;

    Abstract translation: 目的：提供一种用于形成薄膜的方法和装置，以通过在种子层中形成硼掺杂的非晶硅膜来改善步骤覆盖。 构成：种子的源气体被供应到处理室中。 源气体包括氨基硅烷基气体和多官能硅烷气体。 种子层（88）形成在绝缘层的表面上。 将硅烷气体和含杂质的气体供给到处理室中。 形成含非晶质杂质的硅层（90）。 （附图标记）（2）绝缘层（底层）; （88）种子层; （90）含非晶态杂质的硅层;

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