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公开(公告)号：KR102198727B1
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：KR1020160175601
申请日：2016-12-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/3205 , H01L21/56 , H01L21/687
Abstract: 보호막형성방법이제공된다. 이방법에서는, 복수의오목형상이형성된기판의표면위에유기금속가스또는유기반금속가스를포함하는원료가스가공급되어, 상기기판의표면위에상기원료가스를흡착시킨다. 그리고, 상기복수의오목형상을포함하는상기기판의표면위에산화가스가공급되어, 상기기판의표면위에흡착된상기원료가스를산화하여, 상기복수의오목형상사이의평탄영역위에상기원료가스에포함되는유기금속또는유기반금속의산화막을성막한다. 상기원료가스흡착공정및 상기산화공정은, 1분간 90회이상 300회이하의반복주기로반복하여행하여진다.
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公开(公告)号：KR1020170077047A
公开(公告)日：2017-07-05
申请号：KR1020160175601
申请日：2016-12-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/3205 , H01L21/56 , H01L21/687
Abstract: 보호막형성방법이제공된다. 이방법에서는, 복수의오목형상이형성된기판의표면위에유기금속가스또는유기반금속가스를포함하는원료가스가공급되어, 상기기판의표면위에상기원료가스를흡착시킨다. 그리고, 상기복수의오목형상을포함하는상기기판의표면위에산화가스가공급되어, 상기기판의표면위에흡착된상기원료가스를산화하여, 상기복수의오목형상사이의평탄영역위에상기원료가스에포함되는유기금속또는유기반금속의산화막을성막한다. 상기원료가스흡착공정및 상기산화공정은, 1분간 90회이상 300회이하의반복주기로반복하여행하여진다.
Abstract translation: 提供了一种形成保护膜的方法。 在该方法中，将含有有机金属气体或油性金属气体的原料气体供给至形成有多个凹形状的基板的表面上，使原料气体吸附于基板的表面。 向包含多个凹形状的基板的表面供给氧化性气体，使吸附在基板表面上的原料气体氧化，以便在多个凹形状之间的平坦区域中包含在原料气体中 形成有机金属或油基金属的氧化物膜。 原料气体吸附工序和氧化工序以90次以上且300次以下的重复频率重复进行1分钟。
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公开(公告)号：KR101626799B1
公开(公告)日：2016-06-02
申请号：KR1020120109842
申请日：2012-10-04
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/31 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4405 , C23C16/4404
Abstract: (과제) 처리용기내의처리공간에접하는석영제의부재의표면에대한카본막의밀착성을향상시켜파티클의발생을억제할수 있는성막장치의운용방법을제공한다. (해결수단) 석영제의처리용기(8) 내에서보유지지(保持) 수단(22)에보유지지된복수의피처리체(W)의표면에카본막을성막하는성막공정을행하도록한 성막장치의운용방법에있어서, 처리용기내의처리공간에접하는석영제의부재의표면에카본막의밀착성을향상시키는밀착막(70)을형성하는밀착막형성공정을행하도록한다. 이에따라, 처리용기내의처리공간에접하는석영제의부재의표면에대한카본막의밀착성을향상시켜파티클의발생을억제한다.
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公开(公告)号：KR101501038B1
公开(公告)日：2015-03-10
申请号：KR1020120030450
申请日：2012-03-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/31 , H01L21/316 , H01L21/318
CPC classification number: H01L21/02164 , C23C16/345 , C23C16/402 , H01L21/0217 , H01L21/022 , H01L21/02271 , H01L21/67309 , H01L23/562 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: (과제) 실리콘 산화물막과 실리콘 질화물막과의 적층수를 늘려도, 이들 막을 적층한 적층 구조가 형성되는 기판의 휘어짐의 증대를 억제하는 것이 가능한 실리콘 산화물막 및 실리콘 질화물막의 적층 방법을 제공하는 것이다.
(해결 수단) 기판(W) 상에, 실리콘 산화물막(1-1)과 실리콘 질화물막(2-1)을 적층하는 실리콘 산화물막(1-1) 및 실리콘 질화물막(2-1)의 적층 방법으로서, 실리콘 질화물막(2)을 성막하는 가스 중에, 붕소를 첨가한다.-
公开(公告)号：KR101474758B1
公开(公告)日：2014-12-19
申请号：KR1020120030451
申请日：2012-03-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/22
CPC classification number: H01L21/0217 , C23C16/45563 , C23C16/4583 , H01L21/02164 , H01L21/02271
Abstract: (과제) 처리실내에로(爐) 내온도경사를설정하지않아도, 종형피(被)처리체보트의상단에쌓인실리콘웨이퍼로의성막량과, 하단에쌓인피처리체로의성막량과의불균일을억제하는것이가능한종형배치식성막장치를제공하는것. (해결수단) 복수의실리콘웨이퍼(W)에대해일괄하여성막을행하는처리실(101)과, 실리콘웨이퍼(W)를가열하는가열장치(131)와, 처리실(101)의내부를배기하는배기기구(130)와, 처리실(101)을수용하는수용용기(102)와, 수용용기(102)의내부에, 처리에사용되는가스를공급하는가스공급기구(120)와, 처리실(101)의측벽에설치된복수의가스도입공(101a)을구비하고, 처리에사용되는가스를, 복수의가스도입공(101a)을개재하여, 처리실(101)의내부에복수의실리콘웨이퍼(W)의처리면에대하여평행한흐름으로공급하면서, 처리실(101) 내에로 내온도경사를설정하지않고, 복수의실리콘웨이퍼(W)에대해일괄하여성막을행한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101536226B1
公开(公告)日：2015-07-13
申请号：KR1020120107180
申请日：2012-09-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/24 , C23C16/0272 , C23C16/045 , C23C16/45523 , C30B25/02 , C30B29/06 , H01L21/02167 , H01L21/02271 , H01L21/02312 , H01L21/67109
Abstract: (과제) 비교적저온에서도매입특성이양호하고, 또한표면러프니스의정밀도도향상하는어모퍼스상태의불순물함유의실리콘막과같은박막을형성하는것이가능한박막의형성방법을제공한다. (해결수단) 진공배기가가능하게이루어진처리용기(14) 내에서피(被)처리체(W)의표면에시드막(88)과불순물함유의실리콘막(90)을형성하는박막의형성방법에있어서, 처리용기내로아미노실란계가스와고차실란중 적어도어느한쪽의가스로이루어지는시드막용원료가스를공급하여시드막을형성하는제1 스텝과, 처리용기내로실란계가스와불순물함유가스를공급하여어모퍼스상태의상기불순물함유의실리콘막을형성하는제2 스텝을갖는다.
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公开(公告)号：KR1020150075066A
公开(公告)日：2015-07-02
申请号：KR1020150081222
申请日：2015-06-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/02 , H01L21/314
CPC classification number: C23C16/24 , C23C16/0272 , C23C16/045 , C23C16/45523 , C30B25/02 , C30B29/06 , H01L21/02167 , H01L21/02271 , H01L21/02312 , H01L21/67109
Abstract: (과제) 비교적저온에서도매입특성이양호하고, 또한표면러프니스의정밀도도향상하는어모퍼스상태의불순물함유의실리콘막과같은박막을형성하는것이가능한박막의형성방법을제공한다. (해결수단) 진공배기가가능하게이루어진처리용기(14) 내에서피(被)처리체(W)의표면에시드막(88)과불순물함유의실리콘막(90)을형성하는박막의형성방법에있어서, 처리용기내로아미노실란계가스와고차실란중 적어도어느한쪽의가스로이루어지는시드막용원료가스를공급하여시드막을형성하는제1 스텝과, 처리용기내로실란계가스와불순물함유가스를공급하여어모퍼스상태의상기불순물함유의실리콘막을형성하는제2 스텝을갖는다.
Abstract translation: 提供即使在相对低的温度下形成具有优异的嵌入性能的含有非晶质杂质的硅膜的薄膜的薄膜形成方法来提高表面粗糙度的精度。 在能够进行真空排气的处理容器（14）的处理对象体（W）的表面上形成种子膜（88）和杂质含有硅膜（90）的薄膜形成方法包括：第一 将由氨基硅烷类气体和高级硅烷的至少一种气体形成的种子膜原料气供给到处理容器中以形成种子膜的步骤; 以及将硅烷类气体和含杂质气体供给到处理容器中以形成非晶质杂质的硅膜的第二工序。
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公开(公告)号：KR1020130035913A
公开(公告)日：2013-04-09
申请号：KR1020120107180
申请日：2012-09-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/24 , C23C16/0272 , C23C16/045 , C23C16/45523 , C30B25/02 , C30B29/06 , H01L21/02167 , H01L21/02271 , H01L21/02312 , H01L21/67109
Abstract: PURPOSE: A method and an apparatus for forming a thin film are provided to improve step coverage by forming a boron-doped amorphous silicon film in a seed layer. CONSTITUTION: A source gas for a seed is supplied into a process chamber. The source gas includes an aminosilane based gas and a multi-functional silane gas. A seed layer(88) is formed on the surface of an insulating layer. The silane gas and an impurity-containing gas are supplied into the process chamber. An amorphous impurity-containing silicon layer(90) is formed. [Reference numerals] (2) Insulating layer(underlayer); (88) Seed layer; (90) Amorphous impurity-containing silicon layer;
Abstract translation: 目的：提供一种用于形成薄膜的方法和装置，以通过在种子层中形成硼掺杂的非晶硅膜来改善步骤覆盖。 构成：种子的源气体被供应到处理室中。 源气体包括氨基硅烷基气体和多官能硅烷气体。 种子层（88）形成在绝缘层的表面上。 将硅烷气体和含杂质的气体供给到处理室中。 形成含非晶质杂质的硅层（90）。 （附图标记）（2）绝缘层（底层）; （88）种子层; （90）含非晶态杂质的硅层;
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公开(公告)号：KR1020130046352A
公开(公告)日：2013-05-07
申请号：KR1020120109844
申请日：2012-10-04
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/31 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4404 , C23C16/4405 , H01L21/02115 , H01L21/02271
Abstract: PURPOSE: A film forming apparatus and a method for operating the same are provided to perform a carbon film forming process on a plurality of object surfaces and to maintain a tolerance pre-coating film. CONSTITUTION: A carbon film(74) is formed on a plurality of object surfaces. An unnecessary carbon film in a process chamber is removed. A cleaning process is performed using cleaning gas. A supporting device holds and supports the object. A tolerance pre-coating film(70) having tolerance against the cleaning gas is formed. [Reference numerals] (70) Tolerance pre-coating film(Silicon film); (72) Pre-coating film; (74) Carbon film; (AA) Atmosphere side; (BB) Processing container inside
Abstract translation: 目的：提供一种成膜装置及其操作方法，用于对多个物体表面进行碳膜形成处理，并维持公差预涂膜。 构成：在多个物体表面上形成碳膜（74）。 去除处理室中不必要的碳膜。 使用清洁气体进行清洁处理。 支撑装置保持和支撑物体。 形成对清洁气体具有耐受性的公差预涂膜（70）。 （附图标记）（70）耐磨预涂膜（硅膜）; （72）预涂膜; （74）碳膜; （AA）气氛侧; （BB）处理容器内
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公开(公告)号：KR1020130046351A
公开(公告)日：2013-05-07
申请号：KR1020120109842
申请日：2012-10-04
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/31 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4405 , C23C16/4404
Abstract: PURPOSE: A film forming apparatus and a method for operating the same are provided to improve the adhesion of a carbon film and to prevent the generation of particles. CONSTITUTION: A carbon film(74) is formed on a plurality of object surfaces. A supporting device holds and supports the object. A film forming process is performed in a process chamber(8) of quartz. An adhesion film(70) is formed on the surface of the quartz. The adhesion film improves the adhesion of the carbon film. [Reference numerals] (70) Adhesion film(silicon film); (72) Pre-coating film; (74) Carbon film; (AA) Atmosphere side; (BB) Processing container inside
Abstract translation: 目的：提供一种成膜装置及其操作方法，以改善碳膜的粘附性并防止产生颗粒。 构成：在多个物体表面上形成碳膜（74）。 支撑装置保持和支撑物体。 在石英的处理室（8）中进行成膜工艺。 在石英的表面上形成粘合膜（70）。 粘附膜改善了碳膜的粘合性。 （附图标记）（70）粘合膜（硅膜） （72）预涂膜; （74）碳膜; （AA）气氛侧; （BB）处理容器内
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