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    어모퍼스 실리콘막의 성막 방법 및 성막 장치
    2.
    发明公开
    어모퍼스 실리콘막의 성막 방법 및 성막 장치 有权
    形成非晶硅膜的方法和装置

    公开(公告)号：KR1020150082158A

    公开(公告)日：2015-07-15

    申请号：KR1020150090935

    申请日：2015-06-26

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 가키모토아키노부 ,  다카기사토시 ,  이가라시카즈마사

    IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

    CPC classification number: H01L21/02664 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262

    Abstract: (과제) 보다평활한표면을갖고, 그리고, 더한층의박막화를달성하는것이가능한어모퍼스실리콘막의성막방법을제공하는것이다. (해결수단) 하지(base; 2)를가열하고, 가열한하지(2)에아미노실란계가스를공급하여, 하지(2) 표면에시드층(3)을형성하는공정과, 하지(2)를가열하고, 가열한하지(2) 표면의시드층(3)에아미노기를포함하지않는실란계가스를공급하여, 시드층(3) 상에어모퍼스실리콘막(4)을, 층성장하는두께로형성하는공정과, 층성장하는두께로형성된어모퍼스실리콘막(4)을에칭하여, 당해어모퍼스실리콘막(4)의막두께(t)를감소시키는공정을구비한다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种形成非晶硅膜的方法，其具有更平滑的表面并且更薄。 该方法包括：加热基底（2）并向加热的基底（2）供应氨基硅烷基气体以在基底（2）的表面上形成种子层（30）的方法; 将加热的基体（2）的表面上的基底（2），不含氨基的硅烷类气体加热到种子层（3）的工序，在种子层（3）上形成非晶硅膜（4） ）具有层生长厚度; 以及蚀刻形成有层生长厚度的非晶硅膜（4）以降低非晶硅膜（4）的膜厚度（t）的工艺。

    어모퍼스 실리콘막의 성막 방법 및 성막 장치
    4.
    发明公开
    어모퍼스 실리콘막의 성막 방법 및 성막 장치 有权
    形成非晶硅膜的方法和装置

    公开(公告)号：KR1020130011926A

    公开(公告)日：2013-01-30

    申请号：KR1020120075433

    申请日：2012-07-11

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 가키모토아키노부 ,  다카기사토시 ,  이가라시카즈마사

    IPC: H01L21/312 ,  H01L21/205

    CPC classification number: H01L21/02664 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262

    Abstract: PURPOSE: A method and an apparatus for forming an amorphous silicon film are provided to form a thinner amorphous silicon film by etching an amorphous silicon film. CONSTITUTION: Aminosilane gas is supplied to a heated base(2) to form a seed layer(3) on the surface of the base. Silane gas are supplied to a seed layer formed on the heated base to form an amorphous silicon film(4) having a layered thickness. The amorphous silicon film is etched to reduce its thickness(t).

    Abstract translation: 目的：提供一种形成非晶硅膜的方法和装置，通过蚀刻非晶硅膜形成较薄的非晶硅膜。 构成：将氨基硅烷气体供应到加热的基底（2）以在基底的表面上形成种子层（3）。 将硅烷气体供给到形成在加热基底上的种子层，形成层叠厚度的非晶硅膜（4）。 蚀刻非晶硅膜以减小其厚度（t）。

    실리콘막의 형성 방법 및 그 형성 장치
    5.
    发明公开
    실리콘막의 형성 방법 및 그 형성 장치 有权
    用于形成硅膜的方法和装置

    公开(公告)号：KR1020130007430A

    公开(公告)日：2013-01-18

    申请号：KR1020120064087

    申请日：2012-06-15

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 가키모토아키노부 ,  다카기사토시 ,  하세베카즈히데

    IPC: H01L21/3115 ,  H01L21/31

    CPC classification number: C23C16/24 ,  C23C16/045 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

    Abstract: PURPOSE: A method and an apparatus for forming a silicon film are provided to completely prevent voids from being generated in a groove by forming a non-doped Si film on the groove. CONSTITUTION: A method for forming a silicon film is as follows. A non-doped silicon film which does not have impurities is formed. The formed non-doped silicon film is etched. Impurities are doped on the etched non-doped silicon film. A silicon film doped with impurities is formed to bury the doped silicon film therein. [Reference numerals] (a) Temperature(°C); (AA) Loading process; (b) Input(Pa); (BB) Stabilizing process; (CC) First film forming process; (DD,GG) Purge stabilizing process; (EE) Etching process; (FF) Doping process; (HH) Second film forming process; (II) Purge process; (JJ) Unloading process

    Abstract translation: 目的：提供一种用于形成硅膜的方法和装置，以通过在槽上形成未掺杂的Si膜来完全防止在沟槽中产生空隙。 构成：形成硅膜的方法如下。 形成不含杂质的非掺杂硅膜。 蚀刻形成的非掺杂硅膜。 杂质掺杂在蚀刻的非掺杂硅膜上。 形成掺杂有杂质的硅膜以将掺杂的硅膜埋入其中。 （附图标记）（a）温度（℃）; （AA）装载过程; （b）输入（Pa）; （BB）稳定过程; （CC）第一成膜工艺; （DD，GG）净化稳定过程; （EE）蚀刻工艺; （FF）兴奋剂过程; （HH）第二次成膜工艺; （二）清洗工艺; （JJ）卸载过程

    실리콘막의 형성 방법 및 그의 형성 장치
    6.
    发明公开
    실리콘막의 형성 방법 및 그의 형성 장치 有权
    硅胶膜形成方法和硅胶膜形成装置

    公开(公告)号：KR1020110128145A

    公开(公告)日：2011-11-28

    申请号：KR1020110046713

    申请日：2011-05-18

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 가키모토아키노부 ,  다카기사토시 ,  아리가쥰지 ,  기무라노리후미 ,  하세베카즈히데

    IPC: H01L21/28

    CPC classification number: H01L21/76876 ,  C23C16/045 ,  C23C16/24 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76877

    Abstract: PURPOSE: A method and an apparatus for forming a silicon film are provided to control property deterioration as an electrode of a Si film which is formed by eliminating a native oxide film which is formed in the bottom part of a groove before a first deposition process. CONSTITUTION: A method for forming a silicon film(54) is composed of a first deposition process, an etching process, and a second deposition process. The silicon film is layered in order to bury the groove of a processed body in the first deposition process. An opening of the groove widens by etching the silicon film which is layered by the first deposition process in the etching process. The groove is layered in order to bury the silicon film in the groove in which the opening widens in the second deposition process. The silicon film is formed in the groove of the processed body.

    Abstract translation: 目的：提供一种用于形成硅膜的方法和装置，以控制作为通过消除在第一沉积工艺之前形成在凹槽的底部中的自然氧化膜形成的Si膜的电极的性能劣化。 构成：形成硅膜（54）的方法由第一沉积工艺，蚀刻工艺和第二沉积工艺组成。 层叠硅膜以便在第一沉积工艺中埋入加工体的凹槽。 通过在蚀刻工艺中蚀刻通过第一沉积工艺层叠的硅膜来扩大凹槽的开口。 为了将硅膜埋入其中开口在第二沉积工艺中变宽的凹槽中，将该沟槽分层。 硅膜形成在加工体的槽中。

    박막의 형성 방법 및 성막 장치
    10.
    发明公开
    박막의 형성 방법 및 성막 장치 有权
    薄膜成型方法和薄膜成型装置

    公开(公告)号：KR1020150075066A

    公开(公告)日：2015-07-02

    申请号：KR1020150081222

    申请日：2015-06-09

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 가키모토아키노부 ,  엔도아츠시 ,  미야하라타카히로 ,  나카지마시게루 ,  다카기사토시 ,  이가라시카즈마사

    IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02 ,  H01L21/314

    CPC classification number: C23C16/24 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/045 ,  C23C16/45523 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/67109

    Abstract: (과제) 비교적저온에서도매입특성이양호하고, 또한표면러프니스의정밀도도향상하는어모퍼스상태의불순물함유의실리콘막과같은박막을형성하는것이가능한박막의형성방법을제공한다. (해결수단) 진공배기가가능하게이루어진처리용기(14) 내에서피(被)처리체(W)의표면에시드막(88)과불순물함유의실리콘막(90)을형성하는박막의형성방법에있어서, 처리용기내로아미노실란계가스와고차실란중 적어도어느한쪽의가스로이루어지는시드막용원료가스를공급하여시드막을형성하는제1 스텝과, 처리용기내로실란계가스와불순물함유가스를공급하여어모퍼스상태의상기불순물함유의실리콘막을형성하는제2 스텝을갖는다.

    Abstract translation: 提供即使在相对低的温度下形成具有优异的嵌入性能的含有非晶质杂质的硅膜的薄膜的薄膜形成方法来提高表面粗糙度的精度。 在能够进行真空排气的处理容器（14）的处理对象体（W）的表面上形成种子膜（88）和杂质含有硅膜（90）的薄膜形成方法包括：第一 将由氨基硅烷类气体和高级硅烷的至少一种气体形成的种子膜原料气供给到处理容器中以形成种子膜的步骤; 以及将硅烷类气体和含杂质气体供给到处理容器中以形成非晶质杂质的硅膜的第二工序。

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