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    실리콘 성막 장치 및 그 사용 방법
    2.
    发明公开
    실리콘 성막 장치 및 그 사용 방법 有权
    硅胶膜形成装置及其使用方法

    公开(公告)号：KR1020100095398A

    公开(公告)日：2010-08-30

    申请号：KR1020100015168

    申请日：2010-02-19

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 노로나오타카 ,  미야하라타카히로

    IPC: H01L21/205

    CPC classification number: C30B25/02 ,  C23C16/0236 ,  C23C16/4404 ,  C30B25/08 ,  C30B25/12 ,  C30B25/14 ,  C30B25/20 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658

    Abstract: PURPOSE: An apparatus for forming a silicon film and a using method thereof are provided to suppress the deterioration of yield of a device due to particle contamination by etching a reactive tube or injector with hydrogen fluoride gas. CONSTITUTION: A quartz reaction tube(1) comprises a process area(1a) for receiving a plurality of objects. A quartz supporting device(21) supports the objects with the laminated state with a vertical space on the process area. A heater(17) surrounds the reaction tube and heats the object on the process area. A gas supply unit supplies process gas to the process area. An exhaust unit suctions the gate to the upper side of the process area and exhausts the reaction tube.

    Abstract translation: 目的：提供一种用于形成硅膜的设备及其使用方法，以通过用氟化氢气体蚀刻反应性管或喷射器来抑制由于颗粒污染导致的器件产量的劣化。 构成：石英反应管（1）包括用于接收多个物体的处理区域（1a）。 石英支撑装置（21）在处理区域上以垂直空间支撑层叠状态的物体。 加热器（17）围绕反应管并加热处理区域上的物体。 气体供应单元向处理区域供应处理气体。 排气单元将浇口吸入处理区域的上侧并排出反应管。

    박막의 형성 방법 및 성막 장치
    4.
    发明公开
    박막의 형성 방법 및 성막 장치 有权
    薄膜成型方法和薄膜成型装置

    公开(公告)号：KR1020150075066A

    公开(公告)日：2015-07-02

    申请号：KR1020150081222

    申请日：2015-06-09

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 가키모토아키노부 ,  엔도아츠시 ,  미야하라타카히로 ,  나카지마시게루 ,  다카기사토시 ,  이가라시카즈마사

    IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02 ,  H01L21/314

    CPC classification number: C23C16/24 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/045 ,  C23C16/45523 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/67109

    Abstract: (과제) 비교적저온에서도매입특성이양호하고, 또한표면러프니스의정밀도도향상하는어모퍼스상태의불순물함유의실리콘막과같은박막을형성하는것이가능한박막의형성방법을제공한다. (해결수단) 진공배기가가능하게이루어진처리용기(14) 내에서피(被)처리체(W)의표면에시드막(88)과불순물함유의실리콘막(90)을형성하는박막의형성방법에있어서, 처리용기내로아미노실란계가스와고차실란중 적어도어느한쪽의가스로이루어지는시드막용원료가스를공급하여시드막을형성하는제1 스텝과, 처리용기내로실란계가스와불순물함유가스를공급하여어모퍼스상태의상기불순물함유의실리콘막을형성하는제2 스텝을갖는다.

    Abstract translation: 提供即使在相对低的温度下形成具有优异的嵌入性能的含有非晶质杂质的硅膜的薄膜的薄膜形成方法来提高表面粗糙度的精度。 在能够进行真空排气的处理容器（14）的处理对象体（W）的表面上形成种子膜（88）和杂质含有硅膜（90）的薄膜形成方法包括：第一 将由氨基硅烷类气体和高级硅烷的至少一种气体形成的种子膜原料气供给到处理容器中以形成种子膜的步骤; 以及将硅烷类气体和含杂质气体供给到处理容器中以形成非晶质杂质的硅膜的第二工序。

    박막의 형성 방법 및 성막 장치
    6.
    发明公开
    박막의 형성 방법 및 성막 장치 有权
    薄膜成型方法和薄膜成型装置

    公开(公告)号：KR1020130035913A

    公开(公告)日：2013-04-09

    申请号：KR1020120107180

    申请日：2012-09-26

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 가키모토아키노부 ,  엔도아츠시 ,  미야하라타카히로 ,  나카지마시게루 ,  다카기사토시 ,  이가라시카즈마사

    IPC: H01L21/205

    CPC classification number: C23C16/24 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/045 ,  C23C16/45523 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/67109

    Abstract: PURPOSE: A method and an apparatus for forming a thin film are provided to improve step coverage by forming a boron-doped amorphous silicon film in a seed layer. CONSTITUTION: A source gas for a seed is supplied into a process chamber. The source gas includes an aminosilane based gas and a multi-functional silane gas. A seed layer(88) is formed on the surface of an insulating layer. The silane gas and an impurity-containing gas are supplied into the process chamber. An amorphous impurity-containing silicon layer(90) is formed. [Reference numerals] (2) Insulating layer(underlayer); (88) Seed layer; (90) Amorphous impurity-containing silicon layer;

    Abstract translation: 目的：提供一种用于形成薄膜的方法和装置，以通过在种子层中形成硼掺杂的非晶硅膜来改善步骤覆盖。 构成：种子的源气体被供应到处理室中。 源气体包括氨基硅烷基气体和多官能硅烷气体。 种子层（88）形成在绝缘层的表面上。 将硅烷气体和含杂质的气体供给到处理室中。 形成含非晶质杂质的硅层（90）。 （附图标记）（2）绝缘层（底层）; （88）种子层; （90）含非晶态杂质的硅层;

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