도포 처리 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 도포 처리 장치
    1.
    发明公开
    도포 처리 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 도포 처리 장치 审中-实审
    涂层处理方法,计算机存储介质和涂层处理设备

    公开(公告)号:KR1020160071330A

    公开(公告)日:2016-06-21

    申请号:KR1020150174905

    申请日:2015-12-09

    Abstract: 기판상에도포액을도포할때에, 도포액의공급량을소량으로억제하면서, 기판면내에서균일하게도포액을도포한다. 웨이퍼상에도포액을도포하는방법이며, 웨이퍼상에도포액의용제를공급하여, 상기웨이퍼의외주부에용제의액막을환 형상으로형성하고, 웨이퍼를제1 회전속도로회전시키면서도포액을웨이퍼의중심부에공급하고(시간 t∼t), 웨이퍼를제1 회전속도보다도빠른제2 회전속도로회전시켜도포액을기판상에확산시킨다(시간 t∼t). 용제의공급은, 도포액이용제의액막에접촉하기전까지계속해서행해진다(시간 t∼t).

    Abstract translation: 本发明通过涂布液均匀地涂布基板的表面,同时在涂布液体的同时抑制涂布液的供给量少。 本发明涉及用涂布液涂覆晶片的表面的方法。 该方法通过将涂布液的原料供给到晶片,以环状形成在晶片的外周部分上的原料的液膜; 在第一旋转速度(时间t_1〜t_2)旋转晶片的同时将涂布液供给到晶片的中心部分; 并以比第一转速(时刻t_4〜t_5)更快的第二转速转动晶片,将涂布液涂布在基板的表面。 连续进行原料的供给,直到涂布液与液膜接触(时刻t_0〜t_3)。

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