公开(公告)号：KR1020140071916A

公开(公告)日：2014-06-12

申请号：KR1020130148269

申请日：2013-12-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하타케야마신이치 ,  사토요시토모 ,  타시로카즈유키 ,  키시타나오후미

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/02282 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/0273

Abstract: Provided are a periphery coating apparatus which can efficiently form a coating layer with sufficiently uniform thickness, on only the periphery of a substrate, a periphery coating method and a storage medium for the same. A periphery coating unit performs a scan in control which rotates a wafer (W) and moves a resist solution nozzle (27) from the outside of the periphery (Wb) of the wafer (W) to the periphery (Wc) of the wafer (W) while discharging a resist solution from the resist solution nozzle (27), and a scan out control which rotates the wafer (W) and moves the resist solution nozzle (27) from the periphery (Wc) of the wafer (W) to the outside of the periphery (Wb) of the wafer (W) while discharging the resist solution from the resist solution nozzle (27). When the scan out control is carried out, the resist solution nozzle (27) is moved at a velocity (V2) which is lower than a velocity (V3) at which the resist solution moves to the periphery (Wc) of the wafer (W).

Abstract translation: 本发明提供一种能够有效地形成具有足够均匀厚度的涂层的外围涂布装置，仅在基板的周围，周边涂布方法和用于其的存储介质。 周边涂布单元执行扫描，其使晶片（W）旋转并使抗蚀剂溶液喷嘴（27）从晶片（W）的周边（Wb）的外侧移动到晶片的周边（Wc）（Wc） 在从抗蚀剂溶液喷嘴（27）排出抗蚀剂溶液的同时，将晶片（W）旋转并将抗蚀剂溶液喷嘴（27）从晶片（W）的周边（Wc）移动到所述扫描输出控制器 在从抗蚀剂溶液喷嘴（27）排出抗蚀剂溶液的同时，在晶片（W）的外周（Wb）的外侧。 当执行扫描输出控制时，抗蚀剂溶液喷嘴（27）以比抗蚀剂溶液移动到晶片（W）的周边（Wc）的速度（V3）低的速度（V2）移动 ）。

公开(公告)号：KR1020170126459A

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：KR1020177024364

申请日：2016-02-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하시모토타카후미 ,  하타케야마신이치 ,  시바타나오키 ,  요시하라코우스케

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  B05C11/08 ,  B05D3/04

CPC classification number: B05D1/005 ,  B05C11/08 ,  B05D3/104 ,  G03F7/091 ,  G03F7/162 ,  G03F7/2028 ,  H01L21/027 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67253

Abstract: 기판상에도포액을도포하는도포처리방법은, 용제에의해기판의중앙부에제 1 액막을형성하고당해용제에의해기판의외주부에제 1 액막보다막 두께가두꺼운환 형상의제 2 액막을형성하는용제액막형성공정과, 기판을제 1 회전속도로회전시키면서도포액을기판의중심부에공급하는도포액공급공정과, 도포액을공급하면서기판을제 1 회전속도보다빠른제 2 회전속도로회전시켜도포액을기판상에확산시키는도포액확산공정을가진다.

Abstract translation: 用于涂布涂布液在基片上，形成根据权利要求1的第一第二液体膜比所述带状膜的厚环液膜上通过本领域溶剂的基板的外周边上以形成由溶剂基片的中心部分的液体薄膜涂布法 溶剂液体膜形成步骤，快速权利要求在涂布液供给工序的第二旋转速度和基板旋转而同时在基片的中心比所述第一旋转速度在第一旋转速度旋转的基板供给涂敷液供给涂布液 并将涂料液体扩散到基材上。

公开(公告)号：KR1020160088225A

公开(公告)日：2016-07-25

申请号：KR1020150176978

申请日：2015-12-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하시모토다카후미 ,  하타케야마신이치 ,  시바타나오키

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

CPC classification number: G03F7/16

Abstract: 기판에대한처리액의도포상태의균일성을높일수 있는액 처리방법, 액처리장치및 액처리용기록매체를제공한다. 도포유닛 U1은, 웨이퍼(W)를회전시키는회전보유지지부(20)와, 웨이퍼(W)의표면(Wa) 상에처리액(R)을공급하는노즐(32)과, 웨이퍼(W)에대한노즐(32)의위치를제어하는제어부(60)를구비한다. 액처리방법은, 웨이퍼(W)를제1 회전수ω1로회전시키면서, 웨이퍼(W)의회전중심 CL1로부터편심된위치에서웨이퍼(W)의표면(Wa)에처리액(R)의공급을개시하고, 처리액(R)의공급위치를회전중심 CL1측으로이동시키는것, 처리액(R)의공급위치가회전중심 CL1에도달한후, 제1 회전수ω1보다도큰 제2 회전수ω2로웨이퍼(W)를회전시킴으로써, 처리액(R)을웨이퍼(W)의외주측에도포확산하는것을포함한다.

Abstract translation: 提供液体处理方法，液体处理装置和用于液体处理的记录介质，其可以提高处理液体在基板上的涂布状态的均匀性。 涂布单元U1包括旋转保持器（20），其构造成使晶片（W）旋转;喷嘴（32），其构造成将处理液体（R）提供给晶片（W）的表面（Wa）;以及控制器 被配置为控制喷嘴（32）相对于晶片（W）的位置。 液体处理方法包括：在离开晶片（W）的旋转中心CL1的偏心位置处开始向晶片（W）的表面（Wa）供应处理液体（R），并将位置移动 在以第一旋转速度ω1旋转晶片（W）的同时向处于中心CL1供给处理液体（R）的晶片（W） 在供给处理液（R）的晶片（W）上的位置到达旋转中心CL1之后，以比第一旋转速度ω1高的第二旋转速度ω2旋转晶片（W），从而允许 处理液体（R）朝向晶片（W）的外周扩散。

公开(公告)号：KR1020160071330A

公开(公告)日：2016-06-21

申请号：KR1020150174905

申请日：2015-12-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하시모토다카후미 ,  하타케야마신이치 ,  시바타나오키 ,  요시하라고오스케 ,  구보타미노루 ,  이데히로유키

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  G03F7/00 ,  G03F7/16

CPC classification number: G05B15/02 ,  B05D1/005 ,  B05D3/042 ,  B05D3/0466 ,  B05D3/104 ,  G03F7/162 ,  H01L21/6715

Abstract: 기판상에도포액을도포할때에, 도포액의공급량을소량으로억제하면서, 기판면내에서균일하게도포액을도포한다. 웨이퍼상에도포액을도포하는방법이며, 웨이퍼상에도포액의용제를공급하여, 상기웨이퍼의외주부에용제의액막을환 형상으로형성하고, 웨이퍼를제1 회전속도로회전시키면서도포액을웨이퍼의중심부에공급하고(시간 t∼t), 웨이퍼를제1 회전속도보다도빠른제2 회전속도로회전시켜도포액을기판상에확산시킨다(시간 t∼t). 용제의공급은, 도포액이용제의액막에접촉하기전까지계속해서행해진다(시간 t∼t).

Abstract translation: 本发明通过涂布液均匀地涂布基板的表面，同时在涂布液体的同时抑制涂布液的供给量少。 本发明涉及用涂布液涂覆晶片的表面的方法。 该方法通过将涂布液的原料供给到晶片，以环状形成在晶片的外周部分上的原料的液膜; 在第一旋转速度（时间t_1〜t_2）旋转晶片的同时将涂布液供给到晶片的中心部分; 并以比第一转速（时刻t_4〜t_5）更快的第二转速转动晶片，将涂布液涂布在基板的表面。 连续进行原料的供给，直到涂布液与液膜接触（时刻t_0〜t_3）。

公开(公告)号：KR101251748B1

公开(公告)日：2013-04-05

申请号：KR1020100128494

申请日：2010-12-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시하라고우스케 ,  하타케야마신이치

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/16

Abstract: 본 발명은 기판의 전체면에 각종 도포액을 도포할 때에, 기판의 전체면을 도포액으로 피복하는 데 필요한 도포액의 액량을 삭감할 수 있는 도포 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
회전하는 기판의 표면에 도포액을 공급하고, 공급된 도포액을 기판의 외주측으로 확산시킴으로써, 기판의 표면에 도포액을 도포하는 도포 처리 방법에 있어서, 회전하는 기판의 표면에 도포액을 공급하는 공급 위치를, 외주측으로 확산되는 도포액의 이동에 따라 외주측으로 이동시키면서, 도포액을 기판의 표면에 공급하는 공급 공정(S17)을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020110095122A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：KR1020100128494

申请日：2010-12-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시하라고우스케 ,  하타케야마신이치

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/16

CPC classification number: H01L21/0274 ,  G03F7/161 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/70691

Abstract: PURPOSE: A coating process method, computer readable recording medium, and coating process apparatus are provided to reduce an amount of resist solutions for coating the surface of a wafer by preventing the resist solutions from splashing. CONSTITUTION: A cassette arrangement stand(10) is installed in a cassette station(2). A plurality of cassettes is arranged on the cassette arrangement stand in a row. A wafer transfer device(12) transfers a wafer from the cassette. A process station(3) includes five process device groups. The cassette station, the process station, and an interface station(4) are integrally connected.

Abstract translation: 目的：提供涂布处理方法，计算机可读记录介质和涂布处理装置，以通过防止抗蚀剂溶液飞溅来减少用于涂覆晶片表面的抗蚀剂溶液的量。 构成：盒式放映架（10）安装在盒式电台（2）中。 多个盒子一排地布置在盒装置支架上。 晶片传送装置（12）从盒传送晶片。 处理站（3）包括五个处理设备组。 盒式磁带站，处理站和接口站（4）被整体连接。