中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

4 records (took 0.022 seconds)

    액 처리 방법, 액 처리 장치 및 기록 매체
    2.
    发明公开
    액 처리 방법, 액 처리 장치 및 기록 매체 审中-实审
    液体加工方法，液体加工装置和储存介质

    公开(公告)号：KR1020160088225A

    公开(公告)日：2016-07-25

    申请号：KR1020150176978

    申请日：2015-12-11

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 하시모토다카후미 ,  하타케야마신이치 ,  시바타나오키

    IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

    CPC classification number: G03F7/16

    Abstract: 기판에대한처리액의도포상태의균일성을높일수 있는액 처리방법, 액처리장치및 액처리용기록매체를제공한다. 도포유닛 U1은, 웨이퍼(W)를회전시키는회전보유지지부(20)와, 웨이퍼(W)의표면(Wa) 상에처리액(R)을공급하는노즐(32)과, 웨이퍼(W)에대한노즐(32)의위치를제어하는제어부(60)를구비한다. 액처리방법은, 웨이퍼(W)를제1 회전수ω1로회전시키면서, 웨이퍼(W)의회전중심 CL1로부터편심된위치에서웨이퍼(W)의표면(Wa)에처리액(R)의공급을개시하고, 처리액(R)의공급위치를회전중심 CL1측으로이동시키는것, 처리액(R)의공급위치가회전중심 CL1에도달한후, 제1 회전수ω1보다도큰 제2 회전수ω2로웨이퍼(W)를회전시킴으로써, 처리액(R)을웨이퍼(W)의외주측에도포확산하는것을포함한다.

    Abstract translation: 提供液体处理方法，液体处理装置和用于液体处理的记录介质，其可以提高处理液体在基板上的涂布状态的均匀性。 涂布单元U1包括旋转保持器（20），其构造成使晶片（W）旋转;喷嘴（32），其构造成将处理液体（R）提供给晶片（W）的表面（Wa）;以及控制器 被配置为控制喷嘴（32）相对于晶片（W）的位置。 液体处理方法包括：在离开晶片（W）的旋转中心CL1的偏心位置处开始向晶片（W）的表面（Wa）供应处理液体（R），并将位置移动 在以第一旋转速度ω1旋转晶片（W）的同时向处于中心CL1供给处理液体（R）的晶片（W） 在供给处理液（R）的晶片（W）上的位置到达旋转中心CL1之后，以比第一旋转速度ω1高的第二旋转速度ω2旋转晶片（W），从而允许 处理液体（R）朝向晶片（W）的外周扩散。

    도포 처리 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 도포 처리 장치
    3.
    发明公开
    도포 처리 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 도포 처리 장치 审中-实审
    涂层处理方法，计算机存储介质和涂层处理设备

    公开(公告)号：KR1020160071330A

    公开(公告)日：2016-06-21

    申请号：KR1020150174905

    申请日：2015-12-09

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 하시모토다카후미 ,  하타케야마신이치 ,  시바타나오키 ,  요시하라고오스케 ,  구보타미노루 ,  이데히로유키

    IPC: H01L21/027 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  G03F7/00 ,  G03F7/16

    CPC classification number: G05B15/02 ,  B05D1/005 ,  B05D3/042 ,  B05D3/0466 ,  B05D3/104 ,  G03F7/162 ,  H01L21/6715

    Abstract: 기판상에도포액을도포할때에, 도포액의공급량을소량으로억제하면서, 기판면내에서균일하게도포액을도포한다. 웨이퍼상에도포액을도포하는방법이며, 웨이퍼상에도포액의용제를공급하여, 상기웨이퍼의외주부에용제의액막을환 형상으로형성하고, 웨이퍼를제1 회전속도로회전시키면서도포액을웨이퍼의중심부에공급하고(시간 t∼t), 웨이퍼를제1 회전속도보다도빠른제2 회전속도로회전시켜도포액을기판상에확산시킨다(시간 t∼t). 용제의공급은, 도포액이용제의액막에접촉하기전까지계속해서행해진다(시간 t∼t).

    Abstract translation: 本发明通过涂布液均匀地涂布基板的表面，同时在涂布液体的同时抑制涂布液的供给量少。 本发明涉及用涂布液涂覆晶片的表面的方法。 该方法通过将涂布液的原料供给到晶片，以环状形成在晶片的外周部分上的原料的液膜; 在第一旋转速度（时间t_1〜t_2）旋转晶片的同时将涂布液供给到晶片的中心部分; 并以比第一转速（时刻t_4〜t_5）更快的第二转速转动晶片，将涂布液涂布在基板的表面。 连续进行原料的供给，直到涂布液与液膜接触（时刻t_0〜t_3）。

Patent Agency Ranking