도포 처리 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 도포 처리 장치
    1.
    发明公开
    도포 처리 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 도포 처리 장치 有权
    涂层处理方法,计算机存储介质和涂层处理设备

    公开(公告)号:KR1020110113135A

    公开(公告)日:2011-10-14

    申请号:KR1020110026639

    申请日:2011-03-25

    CPC classification number: H01L21/6715 G03F7/162 H01L21/0274 G03F7/2041

    Abstract: 본 발명의 과제는, 스핀 도포법을 사용하여 도포액을 기판에 도포하는 경우에 있어서, 도포액의 도포량을 소량으로 하면서, 도포액을 기판면 내에 균일하게 도포하는 것이다.
    도포 처리 방법은, 웨이퍼를 가속 회전시킨 상태에서, 그 웨이퍼의 중심부에 노즐로부터 레지스트액을 토출하여, 웨이퍼 상에 레지스트액을 도포하는 도포 공정 S3과, 그 후, 웨이퍼의 회전을 감속하여, 웨이퍼 상의 레지스트액을 평탄화하는 평탄화 공정 S4와, 그 후, 웨이퍼의 회전을 가속하여, 웨이퍼 상의 레지스트액을 건조시키는 건조 공정 S5를 갖는다. 도포 공정 S3에서는, 웨이퍼의 회전의 가속도를 제1 가속도, 상기 제1 가속도보다도 큰 제2 가속도, 상기 제2 가속도보다도 작은 제3 가속도의 순으로 변화시켜, 당해 웨이퍼를 항상 가속 회전시킨다.

    도포 방법 및 도포 장치
    2.
    发明公开
    도포 방법 및 도포 장치 无效
    涂料方法和涂料装置

    公开(公告)号:KR1020110138180A

    公开(公告)日:2011-12-26

    申请号:KR1020110058782

    申请日:2011-06-17

    Abstract: PURPOSE: A coating method and a coating device are provided to adjust the surface tension of pre-wet liquid which is supplied to a substrate before coating liquid, thereby enhancing the coating feature of coating liquid. CONSTITUTION: A first supply pipe(147A) is connected to a first resist nozzle(143A) wherein the first supply pipe is connected to a first resist liquid supply source(146A). A second supply pipe(147B) is connected to a second resist nozzle(143B) wherein the second supply pipe is connected to a second resist liquid supply source(146B). Valves(148A,148B) are installed in the first and second supply pipes respectively. A first pre-wet nozzle(150A) and a second pre-wet nozzle(150B) are placed in a second arm. A supply controller(156) controls the state of supplying pre-wet liquid from the first and second pre-wet nozzles.

    Abstract translation: 目的:提供涂布方法和涂布装置,以调节在涂布液体之前供给到基材的预湿液体的表面张力,从而增强涂布液的涂布特性。 构成:第一供应管(147A)连接到第一抗蚀剂喷嘴(143A),其中第一供应管连接到第一抗蚀剂液体供应源(146A)。 第二供给管(147B)连接到第二抗蚀剂喷嘴(143B),其中第二供应管连接到第二抗蚀剂液体供应源(146B)。 阀(148A,148B)分别安装在第一和第二供给管中。 将第一预湿喷嘴(150A)和第二预湿喷嘴(150B)放置在第二臂中。 供应控制器(156)控制从第一和第二预湿喷嘴供应预湿液体的状态。

    도포 처리 방법
    3.
    发明公开
    도포 처리 방법 有权
    涂料加工方法

    公开(公告)号:KR1020100092906A

    公开(公告)日:2010-08-23

    申请号:KR1020100013300

    申请日:2010-02-12

    CPC classification number: B05D1/005 G03F7/162 H01L21/6715 H01L21/67017

    Abstract: PURPOSE: A coating processing method is provided to efficiently coat coating solutions on a wafer by supplying coating solutions by differently setting a coating solution supply process. CONSTITUTION: In a first process(S1), coating solutions are supplied to the center of a substrate which is rotated with a first rotation number. In a second process(S2), the substrate is rotated with a second rotation number lower than the first rotation number. In a third process(S3), the substrate is rotated with a third rotation number higher than the second rotation number. In a fourth process(S4), the substrate is rotated with a fourth rotation number lower between the second rotation number and the third rotation number. The fourth rotation number is lower than the first rotation number.

    Abstract translation: 目的:提供涂布处理方法,通过不同地设置涂布溶液供应过程,通过提供涂布溶液来有效地涂覆在晶片上的涂布溶液。 构成:在第一工序(S1)中,将涂布液供给到以第一转数旋转的基板的中心。 在第二工序(S2)中,基板以比第一转数低的第二转数旋转。 在第三处理(S3)中,基板以比第二转数高的第三转数旋转。 在第四处理(S4)中,基板以第二转数和第三转数之间的第四转数下降。 第四转数低于第一转数。

    도포 처리 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 도포 처리 장치
    4.
    发明授权
    도포 처리 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 도포 처리 장치 有权
    涂料处理方法计算机存储介质和涂层处理设备

    公开(公告)号:KR101597848B1

    公开(公告)日:2016-02-25

    申请号:KR1020110026639

    申请日:2011-03-25

    CPC classification number: H01L21/6715 G03F7/162

    Abstract: 본발명의과제는, 스핀도포법을사용하여도포액을기판에도포하는경우에있어서, 도포액의도포량을소량으로하면서, 도포액을기판면내에균일하게도포하는것이다. 도포처리방법은, 웨이퍼를가속회전시킨상태에서, 그웨이퍼의중심부에노즐로부터레지스트액을토출하여, 웨이퍼상에레지스트액을도포하는도포공정 S3과, 그후, 웨이퍼의회전을감속하여, 웨이퍼상의레지스트액을평탄화하는평탄화공정 S4와, 그후, 웨이퍼의회전을가속하여, 웨이퍼상의레지스트액을건조시키는건조공정 S5를갖는다. 도포공정 S3에서는, 웨이퍼의회전의가속도를제1 가속도, 상기제1 가속도보다도큰 제2 가속도, 상기제2 가속도보다도작은제3 가속도의순으로변화시켜, 당해웨이퍼를항상가속회전시킨다.

    도포 처리 방법
    5.
    发明授权
    도포 처리 방법 有权
    涂料加工方法

    公开(公告)号:KR101443945B1

    公开(公告)日:2014-09-23

    申请号:KR1020100013300

    申请日:2010-02-12

    CPC classification number: B05D1/005 G03F7/162 H01L21/6715

    Abstract: 본 발명의 과제는 보다 적은 공급량으로, 레지스트액 등의 도포액을 웨이퍼 전체면에 효율적으로 도포할 수 있어, 레지스트액 등의 도포액의 소비량을 삭감할 수 있는 도포 처리 방법을 제공하는 것이다.
    제1 회전수(V1)로 웨이퍼(W)를 회전시켜, 회전하는 웨이퍼(W)의 대략 중심 상에 도포액을 공급하는 제1 공정(S1)과, 제1 공정(S1) 후에, 제1 회전수(V1)보다도 낮은 제2 회전수(V2)로 웨이퍼(W)를 회전시키는 제2 공정(S2)과, 제2 공정(S2) 후에, 제2 회전수(V2)보다도 높은 제3 회전수(V3)로 웨이퍼(W)를 회전시키는 제3 공정(S3)과, 제3 공정(S3) 후에, 제2 회전수(V2)보다도 높고 제3 회전수(V3)보다도 낮은 제4 회전수(V4)로 웨이퍼(W)를 회전시키는 제4 공정(S4)을 갖는다.

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