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    도포 처리 방법, 도포 처리 장치 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체
    1.
    发明公开
    도포 처리 방법, 도포 처리 장치 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체 有权
    涂布方法，涂布应用装置和计算机可读存储介质

    公开(公告)号：KR1020090125097A

    公开(公告)日：2009-12-03

    申请号：KR1020097019105

    申请日：2008-02-28

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 요시하라고오스께 ,  이세끼도모히로 ,  다까야나기고오지

    IPC: B05D1/40 ,  G03F7/16 ,  H01L21/027

    CPC classification number: H01L21/02104 ,  B05D1/005 ,  G03F7/162 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67017

    Abstract: In the coating step, a substrate is rotated at a high speed, and while maintaining the condition, a resist liquid is spouted through a first nozzle onto a central area of the substrate to thereby attain application of the resist liquid onto the substrate. In the subsequent planarizing step, the rotating speed of the substrate is decreased, and the resist liquid on the substrate is planarized by rotating the substrate at a low speed. The spouting of the resist liquid through the first nozzle in the coating step is continued until the middle of the planarizing step. In the discontinuation of the spouting of the resist liquid in the planarizing step, the first nozzle is shifted so as to shift the position of spouting of the resist liquid from the central area of the substrate. Accordingly, the resist liquid can be applied uniformly within the plane of the substrate.

    Abstract translation: 在涂布步骤中，基板高速旋转，并且在保持条件的同时，将抗蚀剂液体通过第一喷嘴喷射到基板的中心区域上，从而将抗蚀剂液体施加到基板上。 在随后的平坦化步骤中，基板的旋转速度降低，并且通过以低速旋转基板来平坦化基板上的抗蚀剂液体。 在涂布步骤中通过第一喷嘴喷射抗蚀剂液体直到平坦化步骤的中间。 在平坦化步骤中停止喷射抗蚀剂液体时，第一喷嘴移动，从而从基板的中心区域移动抗蚀剂液体的喷射位置。 因此，抗蚀剂液体可以均匀地施加在基板的平面内。

    도포 처리 방법, 도포 처리 장치 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체
    2.
    发明授权
    도포 처리 방법, 도포 처리 장치 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체 有权
    涂层处理方法，涂层处理装置和计算机可读存储介质

    公开(公告)号：KR101332138B1

    公开(公告)日：2013-11-21

    申请号：KR1020080094497

    申请日：2008-09-26

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 요시하라고오스께 ,  이세끼도모히로 ,  다까야나기고오지

    IPC: H01L21/027

    CPC classification number: G03F7/162

    Abstract: 본 발명은 기판을 회전시킨 상태에서 그 기판의 중심부에 노즐로부터 도포액을 토출하여 기판 상에 도포액을 도포하는 제1 공정과, 그 후 기판의 회전을 감속하고 계속하여 기판을 회전시키는 제2 공정과, 그 후 기판의 회전을 가속하여 기판 상의 도포액을 건조시키는 제3 공정을 갖고, 제1 공정 직전에는 제1 속도의 일정 속도로 기판을 회전시키고 있으며, 제1 공정에 있어서는 개시 전에 제1 속도였던 기판의 회전을 개시 후에 그 속도가 연속적으로 변동되도록 점차 가속시키고, 종료 시에는 기판의 회전의 가속도를 점차 감소시켜 기판의 회전을 제1 속도보다 빠른 제2 속도로 수렴되도록 기판의 회전 속도를 제어한다.
    중심부, 노즐, 도포액, 회전 속도, 토출

    도포 처리 방법
    3.
    发明公开
    도포 처리 방법 有权
    涂料加工方法

    公开(公告)号：KR1020100092906A

    公开(公告)日：2010-08-23

    申请号：KR1020100013300

    申请日：2010-02-12

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 다까야나기고오지 ,  이세끼도모히로 ,  이찌노가쯔노리 ,  요시하라고오스께

    IPC: H01L21/027 ,  B05C5/00

    CPC classification number: B05D1/005 ,  G03F7/162 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67017

    Abstract: PURPOSE: A coating processing method is provided to efficiently coat coating solutions on a wafer by supplying coating solutions by differently setting a coating solution supply process. CONSTITUTION: In a first process(S1), coating solutions are supplied to the center of a substrate which is rotated with a first rotation number. In a second process(S2), the substrate is rotated with a second rotation number lower than the first rotation number. In a third process(S3), the substrate is rotated with a third rotation number higher than the second rotation number. In a fourth process(S4), the substrate is rotated with a fourth rotation number lower between the second rotation number and the third rotation number. The fourth rotation number is lower than the first rotation number.

    Abstract translation: 目的：提供涂布处理方法，通过不同地设置涂布溶液供应过程，通过提供涂布溶液来有效地涂覆在晶片上的涂布溶液。 构成：在第一工序（S1）中，将涂布液供给到以第一转数旋转的基板的中心。 在第二工序（S2）中，基板以比第一转数低的第二转数旋转。 在第三处理（S3）中，基板以比第二转数高的第三转数旋转。 在第四处理（S4）中，基板以第二转数和第三转数之间的第四转数下降。 第四转数低于第一转数。

    액처리 장치, 액처리 방법, 및 레지스트 도포 방법
    5.
    发明授权
    액처리 장치, 액처리 방법, 및 레지스트 도포 방법 有权
    液体加工设备液体加工方法和耐蚀涂层方法

    公开(公告)号：KR101633518B1

    公开(公告)日：2016-06-24

    申请号：KR1020100018873

    申请日：2010-03-03

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 다까야나기고오지 ,  기시따나오후미

    IPC: H01L21/027

    CPC classification number: H01L21/67051

    Abstract: 본발명의과제는기판의회전수를높게하고또한처리컵내의배기를저배기량으로행해도배기류의역류를억제하여, 기판으로의미스트의재부착을저감시킬수 있는액처리장치및 액처리방법을제공하는것이다. 하강기류가형성되어있는처리컵(33)에서회전하고있는웨이퍼(W)에대해레지스트액을도포하는레지스트도포장치에있어서, 처리컵(33)의스핀척(31)에보유지지된웨이퍼(W)의외주근방에간극을통해당해웨이퍼(W)를둘러싸도록환 형상으로설치되고, 그내주면의종단면형상이외측으로팽창되는것처럼만곡되어하방으로신장되는상측가이드부(70)와, 상기웨이퍼(W)의주연부하방으로부터외측하방으로경사진경사벽(41) 및이 경사벽(41)에연속하여, 하방으로수직으로신장되는수직벽(42)으로구성된하측가이드부(45)를구비한다.

    도포 처리 방법
    6.
    发明授权
    도포 처리 방법 有权
    涂料加工方法

    公开(公告)号：KR101443945B1

    公开(公告)日：2014-09-23

    申请号：KR1020100013300

    申请日：2010-02-12

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 다까야나기고오지 ,  이세끼도모히로 ,  이찌노가쯔노리 ,  요시하라고오스께

    IPC: H01L21/027 ,  B05C5/00

    CPC classification number: B05D1/005 ,  G03F7/162 ,  H01L21/6715

    Abstract: 본 발명의 과제는 보다 적은 공급량으로, 레지스트액 등의 도포액을 웨이퍼 전체면에 효율적으로 도포할 수 있어, 레지스트액 등의 도포액의 소비량을 삭감할 수 있는 도포 처리 방법을 제공하는 것이다.
    제1 회전수(V1)로 웨이퍼(W)를 회전시켜, 회전하는 웨이퍼(W)의 대략 중심 상에 도포액을 공급하는 제1 공정(S1)과, 제1 공정(S1) 후에, 제1 회전수(V1)보다도 낮은 제2 회전수(V2)로 웨이퍼(W)를 회전시키는 제2 공정(S2)과, 제2 공정(S2) 후에, 제2 회전수(V2)보다도 높은 제3 회전수(V3)로 웨이퍼(W)를 회전시키는 제3 공정(S3)과, 제3 공정(S3) 후에, 제2 회전수(V2)보다도 높고 제3 회전수(V3)보다도 낮은 제4 회전수(V4)로 웨이퍼(W)를 회전시키는 제4 공정(S4)을 갖는다.

    액처리 장치
    7.
    发明公开
    액처리 장치 有权
    液体加工设备

    公开(公告)号：KR1020140103880A

    公开(公告)日：2014-08-27

    申请号：KR1020140088815

    申请日：2014-07-15

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 다까야나기고오지 ,  기시따나오후미

    IPC: H01L21/027

    CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/0273

    Abstract: The present invention provides a solution processing apparatus and a solution processing method capable of restraining a reverse flow of an exhaust gas flow to reduce mist reattaching to the substrate, even when the number of rotations of the substrate is increased and gas in the processing cup is exhausted at a low exhaust rate. A resist coating device for coating a resist solution on a wafer (W) which is rotated in the processing cup (33) formed with a downstream therein, includes an upper guide part (70) having an annual shape to surround the corresponding wafer (W) around a peripheral outer portion of the wafer (W) held and supported in a spin chuck (31) of the processing cup (33), and including an inner peripheral surface having a longitudinal-section shape curved to bulge outward and extending downward; and a lower guide part (45) including an inclined wall (41) inclined to an outer side downward from a lower portion of a peripheral portion of the wafer (W) and a vertical wall (42) vertically bulges downward followed by the inclined wall (41).

    Abstract translation: 本发明提供一种解决方案处理装置和解决方案处理方法，其能够抑制废气流的逆流以减少对基板的雾化重新附着，即使当基板的旋转数增加并且处理杯中的气体为 以低排气率排出。 一种用于将抗蚀剂溶液涂覆在其上形成有下游的处理杯（33）中旋转的晶片（W）上的抗蚀涂层装置，包括具有年度形状的上引导部分（70），以围绕相应的晶片（W ）保持并支撑在处理杯（33）的旋转卡盘（31）中的晶片（W）的外周部分周围，并且包括具有弯曲成向外凸出并向下延伸的纵截面形状的内周面; 以及包括从所述晶片（W）的周边部分的下部向下倾斜的外侧的倾斜壁（41）和垂直壁（42）的下引导部分（45）向下垂直地突出，随后是所述倾斜壁 （41）。

    액처리 장치
    8.
    发明授权
    액처리 장치 有权
    液体加工设备

    公开(公告)号：KR101545450B1

    公开(公告)日：2015-08-18

    申请号：KR1020140088815

    申请日：2014-07-15

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 다까야나기고오지 ,  기시따나오후미

    IPC: H01L21/027

    CPC classification number: H01L21/67051

    Abstract: 본발명의과제는기판의회전수를높게하고또한처리컵내의배기를저배기량으로행해도배기류의역류를억제하여, 기판으로의미스트의재부착을저감시킬수 있는액처리장치및 액처리방법을제공하는것이다. 하강기류가형성되어있는처리컵(33)에서회전하고있는웨이퍼(W)에대해레지스트액을도포하는레지스트도포장치에있어서, 처리컵(33)의스핀척(31)에보유지지된웨이퍼(W)의외주근방에간극을통해당해웨이퍼(W)를둘러싸도록환 형상으로설치되고, 그내주면의종단면형상이외측으로팽창되는것처럼만곡되어하방으로신장되는상측가이드부(70)와, 상기웨이퍼(W)의주연부하방으로부터외측하방으로경사진경사벽(41) 및이 경사벽(41)에연속하여, 하방으로수직으로신장되는수직벽(42)으로구성된하측가이드부(45)를구비한다.

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