公开(公告)号：KR101704059B1

公开(公告)日：2017-02-07

申请号：KR1020110125773

申请日：2011-11-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아리마히로시 ,  요시하라고오스께 ,  요시다유우이찌 ,  곤도오요시히로

IPC: G03F7/26 ,  G03F7/30 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40

Abstract: 기판의면내에서균일성높게패턴을형성할수 있는현상장치를제공하는것이다. 표면에레지스트가도포되고, 노광된후의기판을수평으로보유지지하는기판보유지지부와, 상기기판의표면에현상액을공급하고, 상기레지스트를현상하기위한현상액공급부와, 기판상에있어서미리설정되어있는특정영역에, 현상액을가열하여현상액과레지스트의반응의정도를높이기위해, 기판재료의파장흡수영역을포함하는복사광을조사하는복사광조사부와, 기판의표면에세정액을공급하여현상액을제거하는세정액공급부를구비하도록현상장치를구성한다.

Abstract translation: 要解决的问题：提供能够以高均匀性在基板表面内形成图案的显影装置。解决方案：显影装置包括：用于水平保持其表面已被涂覆的基板的基板保持单元 与抗蚀剂和暴露; 显影液供给单元，用于将显影液供给到所述基板的表面并显影所述抗蚀剂; 辐射光照射单元，其对包含基板的材料的波长吸收区域的辐射光照射在基板上的预定的某一区域，以便加热显影溶液并增强显影液和抗蚀剂之间的反应程度; 以及用于将清洗液供给到基板的表面以除去显影液的清洗液供给单元。

公开(公告)号：KR101387771B1

公开(公告)日：2014-04-21

申请号：KR1020090068611

申请日：2009-07-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마모또다로오 ,  요시다유우이찌 ,  요시하라고오스께

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/302

Abstract: 본 발명은, 세정·건조 시간의 단축을 도모할 수 있는 동시에, 줄무늬와 같은 건조 결함 제거를 도모할 수 있도록 한 현상 처리 방법 및 현상 처리 장치를 제공한다.
이를 해결하기 위해, 노광된 반도체 웨이퍼(W)의 표면으로 현상액을 공급하여 현상을 행한 후에, 웨이퍼의 표면에 순수를 공급하여 세정을 행하는 현상 처리 방법에 있어서, 웨이퍼를 수평으로 유지한 스핀 척을 연직축 주위로 회전시키면서 웨이퍼의 중심부 상방에서 린스 노즐(58)로부터 순수를 공급하는 동시에, 린스 노즐에 인접하는 디퓨저(53)에 의해 웨이퍼의 회전에 의해 발생하는 기류(A)를 순수의 액막(F)으로 유도 확산시키고, 린스 노즐과 디퓨저를 평행 상태로 하여 웨이퍼의 중심부로부터 웨이퍼의 외주연을 향하여 직경 방향으로 동시에 이동시켜 웨이퍼의 세정 및 건조를 행한다.
반도체 웨이퍼, 현상액, 기류, 노즐, 건조

公开(公告)号：KR101308320B1

公开(公告)日：2013-09-17

申请号：KR1020080073872

申请日：2008-07-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마모또다로오 ,  다께구찌히로후미 ,  오오꼬우찌아쯔시 ,  요시하라고오스께

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/6715 ,  G03F7/3021

Abstract: 본 발명은 레지스트가 도포되고, 노광된 후의 기판을 현상하는데 있어서 안정적으로 기판에 현상액을 공급하는 것이다.
기판을 보유 지지하는 기판 보유 지지부를 통해 상기 기판을 연직축 주위로 회전시키면서, 제1 현상액 노즐로부터 현상액을 띠 형상으로, 또한 그 띠 형상 영역의 일단측이 기판의 중앙을 향하도록 기판의 표면에 있어서의 중앙부 및 주연부의 한쪽에 공급하고, 현상액의 공급 위치를 이동시킴으로써, 기판의 표면에 현상액의 액막을 형성하는 공정과, 상기 현상액의 액막의 건조를 방지하기 위해, 제2 현상액 노즐로부터 상기 기판의 중심부에 원 형상 또는 제1 현상액 노즐로부터 공급되는 현상액보다도 길이가 짧은 띠 형상으로 현상액을 공급하는 동시에 상기 기판 보유 지지부를 통해 기판을 연직축 주위로 회전시켜, 그 현상액을 원심력에 의해 기판의 주연부로 신전(伸展)시키는 공정을 실시하고, 처리에 따라서 현상액 노즐을 구분하여 사용한다.
웨이퍼, 현상액, 현상 장치, 현상액 노즐, 구동 기구

公开(公告)号：KR1020100103413A

公开(公告)日：2010-09-27

申请号：KR1020100022148

申请日：2010-03-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시다유우이찌 ,  아리마히로시 ,  야마모또다로오 ,  요시하라고오스께

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67748 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6715 ,  G03F7/0025 ,  G03F7/405 ,  G03F7/70875

Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus, a substrate processing method, a coating and developing apparatus, a coating and developing method, and a storage media are provided to prevent the generation development defects by uniformly supplying a developing solution on a substrate. CONSTITUTION: A substrate(W) is undergone through an exposure process. A heating plate(31) heats the exposed substrate. A surface processing solution atomization unit(60) atomizes a surface processing solution in order to improve the wettability of the substrate. A cooling unit(15) cools the heat substrate. The surface processing solution supplying unit supplies the atomized surface processing solution to the substrate.

Abstract translation: 目的：提供基板处理装置，基板处理方法，涂覆和显影装置，涂覆和显影方法以及存储介质，以通过将显影液均匀地供应到基板上来防止发生发展缺陷。 构成：基片（W）经过曝光过程。 加热板（31）加热暴露的基板。 表面处理溶液雾化单元（60）使表面处理溶液雾化，以提高基材的润湿性。 冷却单元（15）冷却热衬底。 表面处理液供给部将该雾化表面处理液供给到基板。

公开(公告)号：KR1020090125097A

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：KR1020097019105

申请日：2008-02-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시하라고오스께 ,  이세끼도모히로 ,  다까야나기고오지

IPC: B05D1/40 ,  G03F7/16 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/02104 ,  B05D1/005 ,  G03F7/162 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67017

Abstract: In the coating step, a substrate is rotated at a high speed, and while maintaining the condition, a resist liquid is spouted through a first nozzle onto a central area of the substrate to thereby attain application of the resist liquid onto the substrate. In the subsequent planarizing step, the rotating speed of the substrate is decreased, and the resist liquid on the substrate is planarized by rotating the substrate at a low speed. The spouting of the resist liquid through the first nozzle in the coating step is continued until the middle of the planarizing step. In the discontinuation of the spouting of the resist liquid in the planarizing step, the first nozzle is shifted so as to shift the position of spouting of the resist liquid from the central area of the substrate. Accordingly, the resist liquid can be applied uniformly within the plane of the substrate.

Abstract translation: 在涂布步骤中，基板高速旋转，并且在保持条件的同时，将抗蚀剂液体通过第一喷嘴喷射到基板的中心区域上，从而将抗蚀剂液体施加到基板上。 在随后的平坦化步骤中，基板的旋转速度降低，并且通过以低速旋转基板来平坦化基板上的抗蚀剂液体。 在涂布步骤中通过第一喷嘴喷射抗蚀剂液体直到平坦化步骤的中间。 在平坦化步骤中停止喷射抗蚀剂液体时，第一喷嘴移动，从而从基板的中心区域移动抗蚀剂液体的喷射位置。 因此，抗蚀剂液体可以均匀地施加在基板的平面内。

公开(公告)号：KR1020090103806A

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：KR1020090026165

申请日：2009-03-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시하라고오스께 ,  요시하라겐따로

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/162 ,  H01L21/6715 ,  G03F7/16 ,  B05B1/24 ,  B05B15/40 ,  H01L21/67017

Abstract: PURPOSE: A resist solution supply apparatus is provided to reduce the defect of a substrate after spreading the resist solution. CONSTITUTION: The resist solution supply apparatus(200) supplies the resist liquid to the spreading nozzle which discharges the resist liquid into a substrate. The resist solution supply apparatus includes the resist liquid supply source(201), the supply tube(202), the heating means(210), and the cooling means(214). The resist liquid supply source stores the resist liquid. The supply tube supplies the resist solution by the spreading nozzle from the resist liquid supply source. The heating means is installed in the resist liquid supply source side of the supply tube. The heating means heats the resist liquid among the supply tube in the temperature of the predetermined higher than room temperature. The cooling means is installed on the spreading nozzle of the supply tube. The cooling means cools the resist liquid among the supply tube to room temperature.

Abstract translation: 目的：提供抗蚀剂溶液供应装置，以在扩散抗蚀剂溶液之后减少基底的缺陷。 构成：抗蚀剂溶液供给装置（200）将抗蚀剂液体供给到将抗蚀剂液体排出到基板中的扩散喷嘴。 抗蚀剂溶液供给装置包括抗蚀剂液体供给源（201），供给管（202），加热装置（210）和冷却装置（214）。 抗蚀剂液体供应源存储抗蚀剂液体。 供给管由抗蚀剂液体供给源通过扩散喷嘴供给抗蚀剂溶液。 加热装置安装在供给管的抗蚀液供给源侧。 加热装置在预定高于室温的温度下加热供应管中的抗蚀剂液体。 冷却装置安装在供给管的扩散喷嘴上。 冷却装置将供应管中的抗蚀剂液体冷却至室温。

公开(公告)号：KR101332138B1

公开(公告)日：2013-11-21

申请号：KR1020080094497

申请日：2008-09-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시하라고오스께 ,  이세끼도모히로 ,  다까야나기고오지

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/162

Abstract: 본 발명은 기판을 회전시킨 상태에서 그 기판의 중심부에 노즐로부터 도포액을 토출하여 기판 상에 도포액을 도포하는 제1 공정과, 그 후 기판의 회전을 감속하고 계속하여 기판을 회전시키는 제2 공정과, 그 후 기판의 회전을 가속하여 기판 상의 도포액을 건조시키는 제3 공정을 갖고, 제1 공정 직전에는 제1 속도의 일정 속도로 기판을 회전시키고 있으며, 제1 공정에 있어서는 개시 전에 제1 속도였던 기판의 회전을 개시 후에 그 속도가 연속적으로 변동되도록 점차 가속시키고, 종료 시에는 기판의 회전의 가속도를 점차 감소시켜 기판의 회전을 제1 속도보다 빠른 제2 속도로 수렴되도록 기판의 회전 속도를 제어한다.
중심부, 노즐, 도포액, 회전 속도, 토출

公开(公告)号：KR101184820B1

公开(公告)日：2012-09-24

申请号：KR1020100103185

申请日：2010-10-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다께구찌히로후미 ,  이세끼도모히로 ,  요시다유우이찌 ,  요시하라고오스께

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/3021

Abstract: A pretreatment process, carried out prior to a developing process, spouts pure water, namely, a diffusion-assisting liquid for assisting the spread of a developer over the surface of a wafer, through a cleaning liquid spouting nozzle onto a central part of the wafer to form a puddle of pure water. The developer is spouted onto the central part of the wafer for prewetting while the wafer is rotated at a high rotating speed to spread the developer over the surface of the wafer. The developer dissolves the resist film partly and produces a solution. The rotation of the wafer is reversed, for example, within 7 s in which the solution is being produced to reduce the water-repellency of the wafer by spreading the solution over the entire surface of the wafer. Then, the developer is spouted onto the rotating wafer to spread the developer on the surface of the wafer.

公开(公告)号：KR1020120028798A

公开(公告)日：2012-03-23

申请号：KR1020110074338

申请日：2011-07-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하야시신이찌 ,  도오끼유우이찌 ,  미야따아끼라 ,  야마모또유우이찌 ,  요시하라고오스께 ,  마쯔오까노부아끼 ,  에노끼다스구루

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/68

CPC classification number: G03F7/3021 ,  G03F7/162 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/682

Abstract: PURPOSE: A coating/developing apparatus, a method thereof, and a storage medium are provided to process a substrate in the other side unit block when one side unit block is not available, thereby preventing degradation of a processing amount. CONSTITUTION: A carrier block(S1), a processing block, and an interface block(S5) are connected into a straight line shape. An exposure apparatus(S6) for performing a dipping exposure process is connected to the interface block. A loading table(11) loads a carrier(C). A transfer arm(13) extracts a wafer from the carrier through an opening/closing part(12). The transfer arm comprises five wafer maintenance support parts(14) in up and down directions.

Abstract translation: 目的：提供一种涂布/显影装置，其方法和存储介质，以在一侧单元块不可用时处理另一侧单元块中的基板，从而防止处理量的劣化。 构成：承载块（S1），处理块和接口块（S5）被连接成直线形状。 用于进行浸渍曝光处理的曝光装置（S6）连接到界面块。 装载台（11）装载载体（C）。 传送臂（13）通过打开/关闭部分（12）从载体提取晶片。 传送臂在上下方向上包括五个晶片维护支撑部件（14）。

公开(公告)号：KR1020120023534A

公开(公告)日：2012-03-13

申请号：KR1020110074464

申请日：2011-07-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하야시신이찌 ,  도오끼유이찌 ,  미야따아끼라 ,  야마모또유우이찌 ,  요시하라고오스께 ,  마쯔오까노부아끼 ,  에노끼다스구루

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/6715 ,  G03F7/162 ,  G03F7/3021 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/0274

Abstract: PURPOSE: A coating-developing apparatus, a coating-developing method thereof, and a storage medium are provided to prevent degradation of a processing quantity by performing a process with the other side module when one side module is not available by a unit block of a liquid processing system. CONSTITUTION: A processing block(S20) is comprised of a front side heating system block(S2), a liquid processing block(S3), and a rear side heating block(S4). The front side heating system block is arranged toward a washing block(S5) side from a carrier block side. The liquid processing block comprises first to fifth liquid processing unit blocks(B1-B5) for performing a liquid process on a wafer. Each liquid processing unit block is partitioned by a partition wall. The rear side heating block comprises first to third heating processing unit blocks(C1,C2,C3). The wafer is returned to an interface block after exposure treatment.

Abstract translation: 目的：提供一种涂布显影装置，其涂布显影方法和存储介质，以通过在单面模块不可用单面模块获得时通过与另一侧模块进行处理来防止处理量的劣化 液体处理系统。 构成：处理块（S20）包括前侧加热系统块（S2），液体处理块（S3）和后侧加热块（S4）。 前侧加热系统块朝向从承载块侧的洗涤块（S5）侧配置。 液体处理块包括用于在晶片上进行液体处理的第一至第五液体处理单元块（B1-B5）。 每个液体处理单元块由分隔壁分隔。 后侧加热块包括第一至第三加热处理单元块（C1，C2，C3）。 曝光处理后晶片返回界面块。