公开(公告)号：KR1020090125097A

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：KR1020097019105

申请日：2008-02-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시하라고오스께 ,  이세끼도모히로 ,  다까야나기고오지

IPC: B05D1/40 ,  G03F7/16 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/02104 ,  B05D1/005 ,  G03F7/162 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67017

Abstract: In the coating step, a substrate is rotated at a high speed, and while maintaining the condition, a resist liquid is spouted through a first nozzle onto a central area of the substrate to thereby attain application of the resist liquid onto the substrate. In the subsequent planarizing step, the rotating speed of the substrate is decreased, and the resist liquid on the substrate is planarized by rotating the substrate at a low speed. The spouting of the resist liquid through the first nozzle in the coating step is continued until the middle of the planarizing step. In the discontinuation of the spouting of the resist liquid in the planarizing step, the first nozzle is shifted so as to shift the position of spouting of the resist liquid from the central area of the substrate. Accordingly, the resist liquid can be applied uniformly within the plane of the substrate.

Abstract translation: 在涂布步骤中，基板高速旋转，并且在保持条件的同时，将抗蚀剂液体通过第一喷嘴喷射到基板的中心区域上，从而将抗蚀剂液体施加到基板上。 在随后的平坦化步骤中，基板的旋转速度降低，并且通过以低速旋转基板来平坦化基板上的抗蚀剂液体。 在涂布步骤中通过第一喷嘴喷射抗蚀剂液体直到平坦化步骤的中间。 在平坦化步骤中停止喷射抗蚀剂液体时，第一喷嘴移动，从而从基板的中心区域移动抗蚀剂液体的喷射位置。 因此，抗蚀剂液体可以均匀地施加在基板的平面内。

公开(公告)号：KR1020100092906A

公开(公告)日：2010-08-23

申请号：KR1020100013300

申请日：2010-02-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다까야나기고오지 ,  이세끼도모히로 ,  이찌노가쯔노리 ,  요시하라고오스께

IPC: H01L21/027 ,  B05C5/00

CPC classification number: B05D1/005 ,  G03F7/162 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67017

Abstract: PURPOSE: A coating processing method is provided to efficiently coat coating solutions on a wafer by supplying coating solutions by differently setting a coating solution supply process. CONSTITUTION: In a first process(S1), coating solutions are supplied to the center of a substrate which is rotated with a first rotation number. In a second process(S2), the substrate is rotated with a second rotation number lower than the first rotation number. In a third process(S3), the substrate is rotated with a third rotation number higher than the second rotation number. In a fourth process(S4), the substrate is rotated with a fourth rotation number lower between the second rotation number and the third rotation number. The fourth rotation number is lower than the first rotation number.

Abstract translation: 目的：提供涂布处理方法，通过不同地设置涂布溶液供应过程，通过提供涂布溶液来有效地涂覆在晶片上的涂布溶液。 构成：在第一工序（S1）中，将涂布液供给到以第一转数旋转的基板的中心。 在第二工序（S2）中，基板以比第一转数低的第二转数旋转。 在第三处理（S3）中，基板以比第二转数高的第三转数旋转。 在第四处理（S4）中，基板以第二转数和第三转数之间的第四转数下降。 第四转数低于第一转数。

公开(公告)号：KR101443945B1

公开(公告)日：2014-09-23

申请号：KR1020100013300

申请日：2010-02-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다까야나기고오지 ,  이세끼도모히로 ,  이찌노가쯔노리 ,  요시하라고오스께

IPC: H01L21/027 ,  B05C5/00

CPC classification number: B05D1/005 ,  G03F7/162 ,  H01L21/6715

Abstract: 본 발명의 과제는 보다 적은 공급량으로, 레지스트액 등의 도포액을 웨이퍼 전체면에 효율적으로 도포할 수 있어, 레지스트액 등의 도포액의 소비량을 삭감할 수 있는 도포 처리 방법을 제공하는 것이다.
제1 회전수(V1)로 웨이퍼(W)를 회전시켜, 회전하는 웨이퍼(W)의 대략 중심 상에 도포액을 공급하는 제1 공정(S1)과, 제1 공정(S1) 후에, 제1 회전수(V1)보다도 낮은 제2 회전수(V2)로 웨이퍼(W)를 회전시키는 제2 공정(S2)과, 제2 공정(S2) 후에, 제2 회전수(V2)보다도 높은 제3 회전수(V3)로 웨이퍼(W)를 회전시키는 제3 공정(S3)과, 제3 공정(S3) 후에, 제2 회전수(V2)보다도 높고 제3 회전수(V3)보다도 낮은 제4 회전수(V4)로 웨이퍼(W)를 회전시키는 제4 공정(S4)을 갖는다.

公开(公告)号：KR101332138B1

公开(公告)日：2013-11-21

申请号：KR1020080094497

申请日：2008-09-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시하라고오스께 ,  이세끼도모히로 ,  다까야나기고오지

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/162

Abstract: 본 발명은 기판을 회전시킨 상태에서 그 기판의 중심부에 노즐로부터 도포액을 토출하여 기판 상에 도포액을 도포하는 제1 공정과, 그 후 기판의 회전을 감속하고 계속하여 기판을 회전시키는 제2 공정과, 그 후 기판의 회전을 가속하여 기판 상의 도포액을 건조시키는 제3 공정을 갖고, 제1 공정 직전에는 제1 속도의 일정 속도로 기판을 회전시키고 있으며, 제1 공정에 있어서는 개시 전에 제1 속도였던 기판의 회전을 개시 후에 그 속도가 연속적으로 변동되도록 점차 가속시키고, 종료 시에는 기판의 회전의 가속도를 점차 감소시켜 기판의 회전을 제1 속도보다 빠른 제2 속도로 수렴되도록 기판의 회전 속도를 제어한다.
중심부, 노즐, 도포액, 회전 속도, 토출

公开(公告)号：KR101184820B1

公开(公告)日：2012-09-24

申请号：KR1020100103185

申请日：2010-10-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다께구찌히로후미 ,  이세끼도모히로 ,  요시다유우이찌 ,  요시하라고오스께

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/3021

Abstract: A pretreatment process, carried out prior to a developing process, spouts pure water, namely, a diffusion-assisting liquid for assisting the spread of a developer over the surface of a wafer, through a cleaning liquid spouting nozzle onto a central part of the wafer to form a puddle of pure water. The developer is spouted onto the central part of the wafer for prewetting while the wafer is rotated at a high rotating speed to spread the developer over the surface of the wafer. The developer dissolves the resist film partly and produces a solution. The rotation of the wafer is reversed, for example, within 7 s in which the solution is being produced to reduce the water-repellency of the wafer by spreading the solution over the entire surface of the wafer. Then, the developer is spouted onto the rotating wafer to spread the developer on the surface of the wafer.

公开(公告)号：KR101444974B1

公开(公告)日：2014-09-26

申请号：KR1020097019105

申请日：2008-02-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시하라고오스께 ,  이세끼도모히로 ,  다까야나기고오지

IPC: B05D1/40 ,  G03F7/16 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/02104 ,  B05D1/005 ,  G03F7/162 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/6715

Abstract: 도포 공정에 있어서, 고속으로 기판을 회전시키고, 그 상태로 기판의 중심부에 제1 노즐로부터 레지스트액을 토출하여, 기판 상에 레지스트액을 도포한다. 계속해서, 평탄화 공정에 있어서, 기판의 회전을 감속하여, 저속으로 기판을 회전시켜, 기판 상의 레지스트액을 평탄화한다. 이때 도포 공정에 있어서의 제1 노즐에 의한 레지스트액의 토출은 평탄화 공정의 도중까지 계속해서 행하고, 그 평탄화 공정에 있어서 레지스트액의 토출을 종료시킬 때에는, 제1 노즐을 이동시켜 레지스트액의 토출 위치를 기판의 중심부로부터 이동시킨다. 본 발명에 따르면, 기판 면내에 균일하게 레지스트액을 도포할 수 있다.
도포 처리 장치, 레지스트액, 스핀 척, 노즐, 웨이퍼

公开(公告)号：KR1020110044707A

公开(公告)日：2011-04-29

申请号：KR1020100103185

申请日：2010-10-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다께구찌히로후미 ,  이세끼도모히로 ,  요시다유우이찌 ,  요시하라고오스께

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/3021 ,  H01L21/0274 ,  G03F7/32 ,  G03F7/70341

Abstract: PURPOSE: A developing device, developing method, and storage medium are provided to uniformly develop the entire substrate, thereby reducing defects during developing. CONSTITUTION: A substrate supporting unit(11) horizontally supports a substrate(W). A rotation device(13) rotates the substrate supporting unit around a vertical axis. A diffusion assisting solution nozzle supplies a diffusion assisting solution to the substrate to assist the diffusion of a developing solution. A developing solution nozzle(30) supplies the developing solution to the substrate. The developing solution nozzle is connected to a developing solution supply source(31) or a developing solution supply system(32) through a developing solution supply pipe(30a).

Abstract translation: 目的：提供显影装置，显影方法和存储介质以均匀地显影整个基板，从而减少显影过程中的缺陷。 构成：基板支撑单元（11）水平地支撑基板（W）。 旋转装置（13）使基板支撑单元绕垂直轴旋转。 扩散辅助溶液喷嘴向扩散辅助溶液提供辅助溶液以帮助显影液的扩散。 显影溶液喷嘴（30）将显影液供应到基底。 显影液喷嘴通过显影液供给管（30a）与显影液供给源（31）或显影液供给系统（32）连接。

公开(公告)号：KR1020090033079A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：KR1020080094497

申请日：2008-09-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요시하라고오스께 ,  이세끼도모히로 ,  다까야나기고오지

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/162

Abstract: A coating treatment method, a coating treatment apparatus, and the computer-readable storage medium are provided to reduce the usage of the resist film by coating the resister layer thin. A coating treatment method includes the first step of coating the coating solutions on a substrate(W); the second step of rotating the substrate; the third step of drying the coating solutions. A coating processing device(30) comprises a rotating holders(130), a nozzle(143), and a controller(160). The substrate is settled by the rotating holders. The coating solution is sprayed on the top of the substrate by the nozzle. The controller performs the first or third steps through the rotating holders.

Abstract translation: 提供涂布处理方法，涂布处理装置和计算机可读存储介质，以通过涂覆薄层来减少抗蚀剂膜的使用。 涂布处理方法包括将涂布溶液涂布在基材（W）上的第一步骤。 旋转基板的第二步骤; 干燥涂层溶液的第三步。 涂料处理装置（30）包括旋转保持器（130），喷嘴（143）和控制器（160）。 基板由旋转支架固定。 通过喷嘴将涂布溶液喷涂在基材的顶部。 控制器通过旋转支架执行第一或第三步。