公开(公告)号：KR1020120037502A

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：KR1020127004868

申请日：2010-08-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오즈토시히사 ,  마츠모토나오키 ,  츠카모토타카시 ,  다카이카즈토

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137

Abstract: (과제) 기판 표면에 있어서의 플라즈마 처리의 균일성을 향상시킨다.
(해결 수단) 처리 용기(2)에 도입된 처리 가스를 플라즈마화시켜 기판(W)을 처리하는 플라즈마 처리 장치(1)에 있어서, 처리 용기(2)에 수납된 기판(W)의 중심부에 도입되는 처리 가스의 도입량과, 처리 용기(2)에 수납된 기판(W)의 주변부에 도입되는 처리 가스의 도입량의 비가, 플라즈마 처리 중에 변화한다. 본 발명에 의하면, 기판(W)의 중심부와 주변부의 에칭 레이트(ER) 등의 편차를 작게 할 수 있다. 이 때문에, 기판(W) 표면에 있어서의 플라즈마 처리의 균일성이 향상된다.

公开(公告)号：KR1020150022703A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：KR1020140108856

申请日：2014-08-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오즈토시히사 ,  요시무라쇼타 ,  오오타케히로토 ,  카리우코스케 ,  츠카모토타카시

IPC: H01L21/3065 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/4941 ,  H01L21/32137 ,  H01L29/66795

Abstract: 반도체 디바이스를 제조하는 방법이 제공된다. 이 방법은, 기판, 이 기판으로부터 돌출되고 또한 간극을 구획 형성하도록 설치된 실리콘제의 영역, 이 영역을 덮도록 형성된 금속층, 이 금속층 상에 형성된 다결정 실리콘층, 및 이 다결정 실리콘층 상에 형성된 유기 마스크를 포함하는 피처리체가 수용된 처리 용기 내에서, HBr 가스 및 Cl
2 가스를 포함하는 처리 가스를 여기시키는 공정을 포함하고, Cl
2 가스는, 처리 가스 중의 HBr 가스의 유량에 대하여 5% 이상 10% 이하의 유량으로 공급된다.

Abstract translation: 在本发明中提供的是可以抑制多晶硅层残留在要去除的区域中的半导体器件制造方法，并且还抑制对下层金属层的损伤的发生。 该方法包括在容纳包含基板的待处理物体的处理容器中激发含有HBr气体和Cl_2气体的工艺气体的工序; 从基板突出并安装以分隔和形成间隙的硅材料区域; 形成为覆盖该区域的金属层; 形成在所述金属层上的多晶硅层; 以及形成在多晶硅层上的有机掩模。 相对于处理气体中的HBr气体的流量，以5-10％的流量供给Cl_2气体。

公开(公告)号：KR101386552B1

公开(公告)日：2014-04-17

申请号：KR1020127004868

申请日：2010-08-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오즈토시히사 ,  마츠모토나오키 ,  츠카모토타카시 ,  다카이카즈토

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137

Abstract: (과제) 기판 표면에 있어서의 플라즈마 처리의 균일성을 향상시킨다.
(해결 수단) 처리 용기(2)에 도입된 처리 가스를 플라즈마화시켜 기판(W)을 처리하는 플라즈마 처리 장치(1)에 있어서, 처리 용기(2)에 수납된 기판(W)의 중심부에 도입되는 처리 가스의 도입량과, 처리 용기(2)에 수납된 기판(W)의 주변부에 도입되는 처리 가스의 도입량의 비가, 플라즈마 처리 중에 변화한다. 본 발명에 의하면, 기판(W)의 중심부와 주변부의 에칭 레이트(ER) 등의 편차를 작게 할 수 있다. 이 때문에, 기판(W) 표면에 있어서의 플라즈마 처리의 균일성이 향상된다.