公开(公告)号：KR101744625B1

公开(公告)日：2017-06-08

申请号：KR1020150021607

申请日：2015-02-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 토무라마주 ,  와타나베히카루 ,  카토타카히코 ,  혼다마사노부

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/311 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32724 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/76897

Abstract: 산화실리콘으로구성된제 1 영역을질화실리콘으로구성된제 2 영역에대하여선택적으로에칭하는에칭방법이제공된다. 이에칭방법은공정(a)과공정(b)을포함한다. 공정(a)에서는, 플루오르카본가스의플라즈마에피처리체가노출되고, 제 2 영역상에제 1 영역상에형성되는보호막보다두꺼운보호막이형성된다. 공정(b)에서는, 플루오르카본가스의플라즈마에의해제 1 영역이에칭된다. 공정(a)에서는, 피처리체의온도가 60 ℃이상 250 ℃이하의온도로설정된다.

Abstract translation: 提供了一种蚀刻方法，用于相对于由氮化硅构成的第二区域选择性地蚀刻由氧化硅构成的第一区域。 该方法包括步骤（a）和（b）。 在步骤（a）中，碳氟化合物气体的等离子表面处理过的物质被暴露，并且形成比在第二区域上的第一区域上形成的保护膜更厚的保护膜。 在步骤（b）中，碳氟化合物气体释放到等离子体中的区域1被蚀刻。 在步骤（a）中，待处理物体的温度设定为60℃以上且250℃以下的温度。

公开(公告)号：KR1020170136448A

公开(公告)日：2017-12-11

申请号：KR1020170067525

申请日：2017-05-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 카토타카히코 ,  첸웨이팅

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/67069 ,  C23C16/45525 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32834 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6833

Abstract: 가스를치환하는시간을단축하는것이다. 처리용기내에있어서기판에가스를공급하여정해진처리를행하는처리공간과, 상기처리공간과연통하고상기처리공간의압력보다정해진비율작은압력을가지는배기공간을가지는기판처리장치에있어서의기판처리방법으로서, 상기기판에제 1 가스를공급하는제 1 공정과, 상기제 1 공정후, 상기기판에상기제 1 가스와는상이한제 2 가스를공급하는제 2 공정을가지고, 상기기판의단부로부터상기처리공간과상기배기공간과의경계까지의거리를 L, 상기제 2 가스의흐름에수직이되는공간단면적을 S(x), 상기제 2 가스의공급유량을 Q, 상기처리공간의압력을 P, 상기제 2 가스에대한상기제 1 가스의확산계수를 D로했을때, 하기의수식 (3)에의해산출되는페클레수(Pe)가 1보다커지도록, 상기제 2 공정에있어서의상기기판의단부로부터상기처리공간과상기배기공간과의경계까지의거리(L), 상기제 2 가스의흐름에수직이되는공간단면적(S(x)) 및상기제 2 가스의공급유량(Q) 중적어도어느하나를조정하는것을특징으로하는기판처리방법에의해상기과제를해결한다. [수 3]

Abstract translation: 从而缩短更换气体的时间。 和用于通过向基板供给气体进行规定的处理，在处理容器内，处理空间和该通信和在该基板处理装置的基板处理方法具有具有比所述处理空间的压力来确定小的压力的比值的排气空间的处理空间 向所述基板供应第一气体的第一步骤和在所述第一步骤之后向所述基板供应不同于所述第一气体的第二气体的第二步骤， （X），第二气体的供给流量为Q，处理空间的压力为P，第二气体的流量为P 2时，使一个大于一个页面克利数（PE）是由公式计算出的第一气体到气体到d，在第二步骤中在衬底的端部的扩展因子（3）所示： 处理空间和排气空间之间的边界 截面积（与第二气体流量垂直的S（x））和第二气体的供给流量（Q） 从而解决上述问题。 [第3]

公开(公告)号：KR1020150098197A

公开(公告)日：2015-08-27

申请号：KR1020150021607

申请日：2015-02-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 토무라마주 ,  와타나베히카루 ,  카토타카히코 ,  혼다마사노부

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/311 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32724 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/3065

Abstract: 산화 실리콘으로 구성된 제 1 영역을 질화 실리콘으로 구성된 제 2 영역에 대하여 선택적으로 에칭하는 에칭 방법이 제공된다. 이 에칭 방법은 공정(a)과 공정(b)을 포함한다. 공정(a)에서는, 플루오르카본 가스의 플라즈마에 피처리체가 노출되고, 제 2 영역 상에 제 1 영역 상에 형성되는 보호막보다 두꺼운 보호막이 형성된다. 공정(b)에서는, 플루오르카본 가스의 플라즈마에 의해 제 1 영역이 에칭된다. 공정(a)에서는, 피처리체의 온도가 60 ℃ 이상 250 ℃ 이하의 온도로 설정된다.

Abstract translation: 本发明提供了一种用于相对于由氮化硅构成的第二区域选择性地蚀刻由氧化硅组成的第一区域的蚀刻方法。 蚀刻方法包括方法（a）和方法（b）。 在工序（a）中，将被处理物暴露于碳氟化合物气体的等离子体中，在第二区域形成有比形成在第一区域上的保护膜更厚的保护膜。 在方法（b）中，第一区域被氟碳气体的等离子体蚀刻。 在（a）的处理中，待处理物体的温度设定在60〜250℃的范围内。