公开(公告)号：KR1020140101695A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：KR1020140015298

申请日：2014-02-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 카네코카즈시 ,  마츠모토나오키 ,  코야마코지 ,  후나자키카즈노리 ,  카토히데오 ,  이시바시키요타카

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32935 ,  H01J37/32192 ,  H03L5/02 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/463 ,  H05H2001/4682

Abstract: Provided is a plasma processing apparatus capable of ensuring stable plasma processing. A plasma generation device is provided to generate plasma in a processing vessel by using an RF generated through a microwave generator (41) provided in the plasma processing apparatus. The microwave generator (41) includes a magnetron (42) to oscillate the RF, a detection unit (54a) to detect power of a traveling wave directed to a load, a detection unit (54b) to detect power of a wave reflected from the load, and a voltage control circuit (53a) to control voltage supplied to the magnetron (42) by a high voltage power source (43). The voltage control circuit (53a) includes a load control device to supply a voltage having a power corresponding to a sum of the power of the traveling wave detected by the detection unit (54a) and a power calculated based on the power of the reflected wave detected by the detection unit (54b) to the magnetron (42).

Abstract translation: 提供能够确保稳定的等离子体处理的等离子体处理装置。 提供了一种等离子体产生装置，通过使用通过设置在等离子体处理装置中的微波发生器（41）产生的RF来在处理容器中产生等离子体。 微波发生器（41）包括用于振荡RF的磁控管（42），用于检测指向负载的行波的功率的检测单元（54a），用于检测从所述波长反射的波的功率的检测单元 以及通过高压电源（43）控制提供给磁控管（42）的电压的电压控制电路（53a）。 电压控制电路（53a）包括负载控制装置，用于提供具有与由检测单元（54a）检测到的行波的功率之和相对应的功率的电压和基于反射波的功率计算的功率 由检测单元（54b）检测到磁控管（42）。

公开(公告)号：KR1020170042480A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：KR1020160128497

申请日：2016-10-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 카네코카즈시 ,  코야마코지

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32229 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/32266 ,  H01J37/32302 ,  H01J37/32311 ,  H01J37/32935 ,  H01J2237/327

Abstract: 진행파의파워의검출정밀도및 반사파의파워의검출정밀도를향상시킨다. 일실시형태에있어서의플라즈마처리장치에서는, 마이크로파생성부와서큘레이터의제 1 포트를접속시키는제 1 도파관에제 1 방향성결합기가마련되어있다. 제 1 방향성결합기에는제 1 검출기가접속되어있다. 서큘레이터의제 2 포트는제 2 도파관을개재하여플라즈마생성부에접속되어있다. 또한, 서큘레이터의제 3 포트와더미로드를접속시키는제 3 도파관에제 2 방향성결합기가마련되어있다. 제 2 방향성결합기에는제 2 검출기가접속되어있다.

Abstract translation: 提高行波功率的检测精度和反射波功率的检测精度。 在等离子体处理装置的一个实施例中，第一定向耦合器设置在连接微波产生单元和循环器的第一端口的第一波导中。 第一检测器连接到第一定向耦合器。 并且循环器的第二端口经由第二波导连接到等离子体产生部分。 此外，在连接循环器的第三端口和伪杆的第三波导中设置第二定向耦合器。 第二个检测器连接到第二个定向耦合器。

公开(公告)号：KR102224542B1

公开(公告)日：2021-03-08

申请号：KR1020140015298

申请日：2014-02-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 카네코카즈시 ,  마츠모토나오키 ,  코야마코지 ,  후나자키카즈노리 ,  카토히데오 ,  이시바시키요타카

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

Abstract: 안정된플라즈마처리를보다확실히행할수 있는플라즈마처리장치를제공한다. 플라즈마처리장치에포함되는마이크로파발생기(41)에의해발생시킨고주파를이용하여처리용기내에플라즈마를발생시키는플라즈마발생기구를구비한다. 마이크로파발생기(41)는, 고주파를발진하는마그네트론(42)과, 부하측으로진행하는진행파의전력을측정하는검출기(54a)와, 부하측으로부터반사되는반사파의전력을측정하는검출기(54b)와, 고압전원(43)에의해마그네트론(42)에공급되는전압을제어하는전압제어회로(53a)를포함한다. 전압제어회로(53a)는, 검출기(54a)에의해측정된진행파전력에, 검출기(54b)에의해측정된반사파전력에기초하여산출된전력을더한전력에상당하는전압을마그네트론(42)에공급하도록제어하는로드제어기구를포함한다.

公开(公告)号：KR1020150032662A

公开(公告)日：2015-03-27

申请号：KR1020147032420

申请日：2013-06-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  코야마코지 ,  오즈토시히사 ,  요시무라쇼타

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/3065 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32449 ,  C23F4/00 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/3065

Abstract: 플라즈마 처리 장치(1)는, 처리 용기(2)로 도입된 처리 가스를 플라즈마화함으로써, 처리 용기(2)의 내부에 수용된 웨이퍼(W)를 처리한다. 플라즈마 처리 장치(1)는 중앙 도입부(55)와 주변 도입부(61)와 유량 조정부와 제어부(49)를 구비한다. 중앙 도입부(55)는 Ar 가스, He 가스 및 에칭 가스 중 적어도 어느 하나를 포함하는 처리 가스를 웨이퍼(W)의 중앙부로 도입한다. 주변 도입부(61)는 처리 가스를 웨이퍼(W)의 주변부로 도입한다. 유량 조정부는, 중앙 도입부(55)로부터 웨이퍼(W)의 중앙부로 도입되는 처리 가스의 유량과, 주변 도입부(61)로부터 웨이퍼(W)의 주변부로 도입되는 처리 가스의 유량을 조정한다. 제어부(49)는, 처리 가스에 포함되는 Ar 가스에 대한 He 가스의 분압비가 소정값 이상이 되도록, 유량 조정부로 조정되는 처리 가스의 유량을 제어한다.