公开(公告)号：KR1020180000692A

公开(公告)日：2018-01-03

申请号：KR1020170079056

申请日：2017-06-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 쿠도진 ,  타카야마와타루 ,  토무라마주

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32816 ,  H01J37/32834 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/022 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67248

Abstract: 고에칭레이트를유지하면서사이드에칭을억제하는것을목적으로한다. 기판의온도가 -35℃이하의극저온환경에있어서, 제 1 고주파전원으로부터제 1 고주파의전력을출력하고, 불화유황함유가스및 수소함유가스를공급하여생성된플라즈마에의해조성이상이한실리콘함유막을적층한적층막을에칭하는에칭처리방법이제공된다.

Abstract translation: 并且在保持高蚀刻速率的同时抑制侧蚀。 在所述基板的低于-35℃的极低温环境的温度，所述第一高频电源的第一输出从高频电源，气体供给含有由含有氢的硅膜中的异常的组合物产生的等离子体的气体的硫含氟化物 提供了一种用于蚀刻层压膜的蚀刻处理方法。