公开(公告)号：KR102103588B1

公开(公告)日：2020-04-22

申请号：KR1020180006591

申请日：2018-01-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고히라타쿠 ,  쿠도진

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

公开(公告)号：KR1020180000692A

公开(公告)日：2018-01-03

申请号：KR1020170079056

申请日：2017-06-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 쿠도진 ,  타카야마와타루 ,  토무라마주

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32816 ,  H01J37/32834 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/022 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67248

Abstract: 고에칭레이트를유지하면서사이드에칭을억제하는것을목적으로한다. 기판의온도가 -35℃이하의극저온환경에있어서, 제 1 고주파전원으로부터제 1 고주파의전력을출력하고, 불화유황함유가스및 수소함유가스를공급하여생성된플라즈마에의해조성이상이한실리콘함유막을적층한적층막을에칭하는에칭처리방법이제공된다.

Abstract translation: 并且在保持高蚀刻速率的同时抑制侧蚀。 在所述基板的低于-35℃的极低温环境的温度，所述第一高频电源的第一输出从高频电源，气体供给含有由含有氢的硅膜中的异常的组合物产生的等离子体的气体的硫含氟化物 提供了一种用于蚀刻层压膜的蚀刻处理方法。

公开(公告)号：KR1020170140078A

公开(公告)日：2017-12-20

申请号：KR1020170066822

申请日：2017-05-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 토무라마주 ,  쿠도진 ,  오오야요시노부

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32 ,  H01L21/324 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32724 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67069 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582

Abstract: 마스크선택비를확보하면서, 실리콘함유막의에칭에있어서마스크의개구의폐색을회피하는것을목적으로한다. 기판의온도가 -35℃이하의극저온환경에있어서, 제 1 고주파전원으로부터제 1 고주파의전력을출력하고, 제 2 고주파전원으로부터상기제 1 고주파보다낮은제 2 고주파의전력을출력하고, 탄소, 수소및 불소를함유하는가스로이루어지는에칭가스에탄소원자수가 3 이상이되는하이드로카본가스를첨가하여플라즈마를생성하고, 실리콘산화막또는조성이상이한실리콘함유막을적층한적층막을에칭하는에칭처리방법이제공된다.

Abstract translation: 本发明的目的是在确保掩模选择比的同时避免在含硅膜的蚀刻中掩模的开口堵塞。 在极低温的环境中的基板的低于-35℃的温度，所述第一高频电源的第一输出从高频电力，并输出第二低的第二高频电力比来自高频电源的第一无线电频率，和碳， 称为生成等离子体以由含有氢和氟添加烃气体的蚀刻气体的气体中的碳原子的蚀刻方法是三异常，并提供了一种通过层叠含硅膜的氧化硅膜或组合物异常薄膜层压材料。