公开(公告)号：KR101052106B1

公开(公告)日：2011-07-26

申请号：KR1020077005583

申请日：2005-08-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 토미타히로시 ,  아사이류지

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67248 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67184

Abstract: 본 발명은 가열플레이트의 온도측정방법, 기판처리장치 및 가열플레이트의 온도측정용의 컴퓨터 프로그램에 관한 것으로서, 온도검출부 (41)과 기억부(42)와 콘트롤러(42)를 구비한 와이어레스 웨이퍼 (Ww)에 의해 기판 (W)을 열처리하는 가열플레이트 (34)의 온도를 측정함에 있어, 용이하게 또한 고정밀도로 온도를 측정할 수 있고, 측정작업에 의한 가동효율의 저하를 억제한다. 와이어레스 웨이퍼용 캐리어 (Cw)내의 위치에서 와이어레스 웨이퍼 (Ww)의 콘트롤러 (42)에 온도측정개시지령이 출력되고, 이것에 의해 와이어레스 웨이퍼 (Ww)가 온도검출을 개시하여, 온도검출값의 시계열 데이터를 기억부(42)내에 격납한다. 한편, 와이어레스 웨이퍼 (Ww)는 미리 결정되어진 반송경로에 따라서 가열유니트에 반송된다. 그리고 와이어레스 웨이퍼 (Ww)가 가열플레이트 (34)에 재치되기까지의 반송시간과, 기억부(42)내의 온도검출값의 시계열 데이터에 의거하여 와이어레스 웨이퍼 (Ww)가 가열플레이트 (34)에 재치된 후의 온도검출값의 시계열 데이터가 취출되는 기술을 제공한다.

公开(公告)号：KR101787514B1

公开(公告)日：2017-10-18

申请号：KR1020110067163

申请日：2011-07-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다하라시게루 ,  니시무라에이이치 ,  야마시타후미코 ,  토미타히로시 ,  오이와토쿠히사 ,  오쿠치히사시 ,  오무라미츠히로

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02071

Abstract: (과제) 사이드에칭에의한패턴가늘어짐을억제하면서, 드라이처리에의해패턴측벽에퇴적된금속을포함하는퇴적물을효율좋게제거할수 있는플라즈마처리방법및 반도체장치의제조방법을제공한다. (해결수단) 기판에형성된금속층을플라즈마에칭하는공정을거쳐적층구조중에금속층을갖는패턴을형성한후, 금속층을구성하는금속을포함하여패턴의측벽부에퇴적된퇴적물을제거하는플라즈마처리방법으로서, 금속층의측벽부에당해금속의산화물또는염화물을형성하는보호층형성공정과, 불소원자를포함하는가스의플라즈마를작용시켜퇴적물을제거하는퇴적물제거공정과, 보호층형성공정및 퇴적물제거공정후, 수소를포함하는플라즈마를작용시켜금속의산화물또는염화물을환원하는환원공정을구비하고있다.

Abstract translation: （任务），一种方法可有效地除去在所述等离子体处理的存款包括金属的图案侧壁上通过干法沉积和用于制造半导体装置，同时通过侧面蚀刻抑制负载图案更精细的方法。 [解决问题的手段]在通过这个过程被称为金属层以形成在衬底的等离子体，以形成具有在所述叠层结构的金属层的图案，在图案的侧壁除去积累沉积物，包括金属构成金属层的等离子体处理方法 然后，与形成保护层，以形成金属氧化物和金属层的过程的这样的侧壁部分的酰氯与含有氟原子沉淀以除去沉淀的过程中，保护层形成工序和所述沉积物移除步骤的气体的等离子体反应 以及通过施加包含氢的等离子体来还原金属的氧化物或氯化物的还原工艺。

公开(公告)号：KR1020070084145A

公开(公告)日：2007-08-24

申请号：KR1020077010609

申请日：2005-11-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카무라코우지 ,  토미타히로시 ,  이와나가슈지 ,  아라키신이치로

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67248 ,  H01L22/12

Abstract: A thermal plate is divided into a plurality of sections. An accumulated values of temperature change of each section when a substrate is placed on the thermal plate in a normal state not having an extraneous matter is collected. According to the accumulated value during normal state, a Malanobis reference space in the judgment analysis method is created. During actual thermal treatment, an accumulated value of temperature change of each section when a substrate is placed on the thermal plate is detected. According to the accumulated value during the treatment and the Mahalanobis reference space obtained in advance, the Mahalanobis distance for the accumulated value during treatment is calculated. By comparing the calculated Mahalanobis distance to a predetermined threshold value, it is judged whether the thermal plate has any extraneous matter.

Abstract translation: 热板被分成多个部分。 当基板被放置在不具有外来物质的正常状态下的热板上时，每个部分的温度变化的累积值被收集。 根据正常状态下的累积值，建立了判断分析方法中的马诺比斯参考空间。 在实际的热处理中，检测在将基板置于热板上时各部分的温度变化的累计值。 根据治疗期间的累积值和预先获得的马氏距离参考空间，计算治疗期间累积值的马氏距离。 通过将计算的马氏距离与预定阈值进行比较，判断热板是否具有任何外来物质。

公开(公告)号：KR1020120005964A

公开(公告)日：2012-01-17

申请号：KR1020110067163

申请日：2011-07-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다하라시게루 ,  니시무라에이이치 ,  야마시타후미코 ,  토미타히로시 ,  오이와토쿠히사 ,  오쿠치히사시 ,  오무라미츠히로

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02071 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H05H1/46

Abstract: PURPOSE: A plasma processing method and a semiconductor device manufacturing method are provided to suppress pattern thinning effects due to a side etching process, thereby effectively eliminating sediment including metal deposited on a lateral wall of a pattern. CONSTITUTION: A susceptor supporting table(4) for placing a wafer(W) within a vacuum processing chamber(2) is installed. A susceptor(5) comprising a lower electrode is installed on the upper part of the susceptor supporting table. A refrigerant chamber(7) is installed in the inside of the susceptor supporting table. A focus ring(15) is arranged in the upper end peripheral part of the susceptor. An upper electrode(21) is arranged in the upper part of the vacuum processing chamber while placing an insulating material(22) between the upper electrode and vacuum processing chamber. An exhaust pipe(31) is connected to the bottom part of the vacuum processing chamber.

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理方法和半导体器件制造方法，以抑制由于侧面蚀刻工艺引起的图案变薄效应，从而有效地消除沉积在图案的侧壁上的金属沉积物。 构成：安装用于将晶片（W）放置在真空处理室（2）内的基座支撑台（4）。 包括下电极的感受体（5）安装在基座支撑台的上部。 制冷剂室（7）安装在基座支撑台的内部。 在基座的上端部周边设有聚焦环（15）。 上电极（21）设置在真空处理室的上部，同时在上电极和真空处理室之间放置绝缘材料（22）。 排气管（31）连接到真空处理室的底部。

公开(公告)号：KR1020070050954A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：KR1020077005583

申请日：2005-08-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 토미타히로시 ,  아사이류지

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67248 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/67103

Abstract: 본 발명은 가열플레이트의 온도측정방법, 기판처리장치 및 가열플레이트의 온도측정용의 컴퓨터 프로그램에 관한 것으로서, 온도검출부 (41)과 기억부(42)와 콘트롤러(42)를 구비한 와이어레스 웨이퍼 (Ww)에 의해 기판 (W)을 열처리하는 가열플레이트 (34)의 온도를 측정함에 있어, 용이하게 또한 고정밀도로 온도를 측정할 수 있고, 측정작업에 의한 가동효율의 저하를 억제한다. 와이어레스 웨이퍼용 캐리어 (Cw)내의 위치에서 와이어레스 웨이퍼 (Ww)의 콘트롤러 (42)에 온도측정개시지령이 출력되고, 이것에 의해 와이어레스 웨이퍼 (Ww)가 온도검출을 개시하여, 온도검출값의 시계열 데이터를 기억부(42)내에 격납한다. 한편, 와이어레스 웨이퍼 (Ww)는 미리 결정되어진 반송경로에 따라서 가열유니트에 반송된다. 그리고 와이어레스 웨이퍼 (Ww)가 가열플레이트 (34)에 재치되기까지의 반송시간과, 기억부(42)내의 온도검출값의 시계열 데이터에 의거하여 와이어레스 웨이퍼 (Ww)가 가열플레이트 (34)에 재치된 후의 온도검출값의 시계열 데이터가 취출되는 기술을 제공한다.