公开(公告)号：KR1020070057148A

公开(公告)日：2007-06-04

申请号：KR1020077003454

申请日：2005-08-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 첸리 ,  감바라히로미츠 ,  티안카이즈홍 ,  니시즈카데츠야 ,  노자와도시히사

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32211 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32192

Abstract: A plasma processing system for treating a substrate includes a processing chamber including a first chamber portion configured to receive a first gas for providing a plasma space, and a second chamber portion configured to receive a second gas for providing a process space having process chemistry to treat the substrate. A substrate holder is coupled to the second chamber portion of the processing chamber, and configured to support the substrate proximate the process space, and a plasma source is coupled to the first chamber portion of the processing chamber, and configured to form a plasma in the plasma space. A grid is located between the plasma space and the process space, and configured to permit the diffusion of the plasma between the plasma space and the process space in order to form the process chemistry from the process gas.

Abstract translation: 用于处理衬底的等离子体处理系统包括处理室，该处理室包括构造成容纳用于提供等离子体空间的第一气体的第一室部分和被配置为接收第二气体的第二室部分，用于提供具有处理化学物质的处理空间以处理 底物。 衬底保持器联接到处理室的第二室部分，并且被配置成在接近处理空间的位置支撑衬底，并且等离子体源耦合到处理室的第一室部分，并且被配置成在处理室中形成等离子体 等离子体空间 栅格位于等离子体空间和处理空间之间，并且被配置为允许等离子体在等离子体空间和处理空间之间的扩散，以便从工艺气体形成工艺化学物质。

公开(公告)号：KR101185682B1

公开(公告)日：2012-09-24

申请号：KR1020077003455

申请日：2005-08-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 첸리 ,  티안카이즈홍 ,  마츠모토나오키

IPC: H01L21/3065 ,  C23F1/00 ,  B31D3/00

CPC classification number: H01J37/32522 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222

Abstract: SWP(surface wave plasma) 소스와 플라즈마 공간 사이의 결합을 향상시키기 위한 방법 및 시스템이 설명된다. SWP 소스는, 공진기 플레이트를 가진 슬롯 안테나와 같은, EM(electromagnetic)파 론처를 구비하는데, 이 경우, 공진기 플레이트와 플라즈마 사이의 플라즈마 대향 표면에서는, 모드 스크램블러가 이용되어 플라즈마로의 결합을 향상시킨다.
SWP, 결합, 플라즈마 프로세싱 시스템, 플라즈마 공간, 프로세스 공간, 공정 화학 물질, 가스 주입 그리드, 모드 스크램블러, 공간 균일성

公开(公告)号：KR100863842B1

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：KR1020077004160

申请日：2005-07-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 티안카이즈홍 ,  이시바시기요타카 ,  기타가와쥰이치 ,  노자와도시히사

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32211

Abstract: 본 발명은 전정 쪽에 개구부를 갖고, 또한 내부가 진공 가능하게 된 처리 용기와, 피처리체를 탑재하기 위해 상기 처리 용기 내에 마련된 탑재대와, 상기 개구부에 기밀하게 장착된 마이크로파를 투과하는 유전체로 이루어지는 탑 플레이트와, 상기 탑 플레이트 상에 마련된 상기 처리 용기 내를 향하여 플라즈마 발생용의 마이크로파를 방사하는 복수의 마이크로파 방사 구멍을 갖는 평면 안테나 부재와, 상기 평면 안테나 부재 상에 마련된 상기 마이크로파의 파장을 단축하기 위한 지파재와, 상기 탑 플레이트의 하면에 마련된 당해 하면을 복수의 영역으로 구획하고, 또한 당해 복수의 영역 사이의 마이크로파의 간섭을 억제하는 마이크로파 간섭 억제부를 구비한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치이다.

公开(公告)号：KR1020070060079A

公开(公告)日：2007-06-12

申请号：KR1020077003455

申请日：2005-08-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 첸리 ,  티안카이즈홍 ,  마츠모토나오키

IPC: H01L21/3065 ,  C23F1/00 ,  B31D3/00

CPC classification number: H01J37/32522 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222

Abstract: A method and system for improving the coupling between a surface wave plasma (SWP) source and a plasma space is described. The surface wave plasma source comprises an electromagnetic wave launcher, such as a slot antenna having a resonator plate, wherein at a plasma surface between the resonator plate and the plasma, a mode scrambler is utilized to improve coupling to the plasma.

Abstract translation: 描述了用于改善表面波等离子体（SWP）源和等离子体空间之间的耦合的方法和系统。 表面波等离子体源包括电磁波发射器，例如具有谐振器板的缝隙天线，其中在谐振器板和等离子体之间的等离子体表面处，使用模式扰频器来改善与等离子体的耦合。

公开(公告)号：KR1020070044465A

公开(公告)日：2007-04-27

申请号：KR1020077004160

申请日：2005-07-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 티안카이즈홍 ,  이시바시기요타카 ,  기타가와쥰이치 ,  노자와도시히사

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32211

Abstract: 본 발명은 전정 쪽에 개구부를 갖고, 또한 내부가 진공 가능하게 된 처리 용기와, 피처리체를 탑재하기 위해 상기 처리 용기 내에 마련된 탑재대와, 상기 개구부에 기밀하게 장착된 마이크로파를 투과하는 유전체로 이루어지는 탑 플레이트와, 상기 탑 플레이트 상에 마련된 상기 처리 용기 내를 향하여 플라즈마 발생용의 마이크로파를 방사하는 복수의 마이크로파 방사 구멍을 갖는 평면 안테나 부재와, 상기 평면 안테나 부재 상에 마련된 상기 마이크로파의 파장을 단축하기 위한 지파재와, 상기 탑 플레이트의 하면에 마련된 당해 하면을 복수의 영역으로 구획하고, 또한 당해 복수의 영역 사이의 마이크로파의 간섭을 억제하는 마이크로파 간섭 억제부를 구비한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치이다.

Abstract translation: 由具有前庭的开口侧，并且内部穿过阶段的介电材料的发明塔，并安装到在处理容器中提供给所述开口和使能真空处理容器，与该物体的气密微波被处理 一种平面天线部件，其具有平板和多个微波发射孔，用于朝向设置在顶板上的处理容器的内部发射产生微波的等离子体; 以及微波干扰抑制部分，用于将设置在顶板的下表面上的下表面分成多个区域并抑制多个区域之间的微波干扰。

公开(公告)号：KR101148442B1

公开(公告)日：2012-05-21

申请号：KR1020077003454

申请日：2005-08-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 첸리 ,  감바라히로미츠 ,  티안카이즈홍 ,  니시즈카데츠야 ,  노자와도시히사

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32211 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32192

Abstract: 기판을 처리하기 위한 플라즈마 프로세싱 시스템은 플라즈마 공간을 제공하기 위해 제 1 가스를 수신하도록 구성된 제 1 챔버 공간 및 기판을 처리하기 위한 공정 화학을 가진 프로세스 공간을 제공하기 위해 제 2 가스를 수신하도록 구성된 제 2 챔버 부분을 포함하는 프로세싱 챔버를 포함한다. 기판 홀더는 프로세싱 챔버의 제 2 챔버 부분에 결합되어 프로세스 공간에 인접한 기판을 지지하도록 구성되고, 플라즈마 소스는 프로세싱 챔버의 제 1 챔버 부분에 결합되어 플라즈마 공간에서 플라즈마를 형성하도록 구성된다. 그리드는 플라즈마 공간과 프로세스 공간 사이에 배치되어, 프로세스 가스로부터 공정 화학을 형성하기 위해, 플라즈마 공간과 프로세스 공간 사이에서 플라즈마 확산을 허용하도록 구성된다.
기판 처리, 플라즈마 프로세싱 시스템, 플라즈마 공간, 프로세스 공간, 공정 화학, 가스 주입 그리드, 공간 균일성

公开(公告)号：KR100874782B1

公开(公告)日：2008-12-18

申请号：KR1020077007865

申请日：2005-10-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 티안카이즈홍 ,  노자와도시히사

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/511

CPC classification number: C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/32266

Abstract: A microwave plasma processing apparatus which easily ensures uniformity and stability of plasma in response to changes of process conditions and the like. The microwave plasma processing apparatus generates plasma of a process gas in a chamber by microwave and performs plasma processing to a work to be processed by using the plasma. On a plate composed of a conductor covering the outer circumference of a microwave transmitting board, two or more holes for propagating microwave from an edge part of the microwave transmitting board to an inner part of the plate are formed. Volume adjusting mechanisms and adjust the volume of the holes to adjust impedance of each unit when the microwave transmitting board is divided into individual units to which each of the holes belongs, and electric field distribution of the microwave transmitting board is controlled.

Abstract translation: 一种微波等离子体处理设备，其容易确保等离子体响应于工艺条件等的变化的均匀性和稳定性。 微波等离子体处理装置通过微波在腔室内产生处理气体的等离子体，并通过使用等离子体对要处理的工件执行等离子体处理。 在由覆盖微波透过板的外周的导体构成的板上，形成有用于使微波从微波透过板的端部向板内部传播的两个以上的孔。 当微波发射板被分成每个孔所属的单个单元时，调节音量调节机构和调节孔的体积以调节每个单元的阻抗，并控制微波发射板的电场分布。

公开(公告)号：KR1020070088589A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：KR1020077007865

申请日：2005-10-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 티안카이즈홍 ,  노자와도시히사

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/511

CPC classification number: C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/32266

Abstract: A microwave plasma processing apparatus which easily ensures uniformity and stability of plasma in response to changes of process conditions and the like. The microwave plasma processing apparatus (100) generates plasma of a process gas in a chamber by microwave and performs plasma processing to a work to be processed by using the plasma. On a plate (27) composed of a conductor covering the outer circumference of a microwave transmitting board (28), two or more holes (42) for propagating microwave from an edge part to an inner part of the microwave transmitting board (28) are formed. Volume adjusting mechanisms (43, 45) adjust the volume of the holes to adjust impedance of each unit when the microwave transmitting board (28) is divided by unit to which each of the holes (42) belongs, and electric field distribution of the microwave transmitting board (28) is controlled.

Abstract translation: 微波等离子体处理装置，其能够根据工艺条件等的变化容易地确保等离子体的均匀性和稳定性。 微波等离子体处理装置（100）通过微波产生室内的处理气体的等离子体，并通过使用等离子体对待处理的工件进行等离子体处理。 在由覆盖微波发射板（28）的外周的导体构成的板（27）上，用于从微波发射板（28）的边缘部分向内部传播微波的两个或多个孔（42） 形成。 当微波发射板（28）被每个孔（42）所属的单位划分，并且微波的电场分布时，音量调节机构（43,45）调节孔的体积以调节每个单元的阻抗 传输板（28）被控制。