公开(公告)号：KR1020140016920A

公开(公告)日：2014-02-10

申请号：KR1020137026122

申请日：2012-03-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니시즈카데츠야

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144

Abstract: 본 발명은, 마스크 패턴으로 피복된 질화규소(SiN)막에 피처를 플라즈마 에칭하기 위한 처리 방법을 제공한다. 이 처리 방법은, SiN막과 이 SiN막 상의 마스크 패턴을 포함하는 필름 스택을 기판 상에 마련하는 공정과, 탄소-불소-함유 가스, O
2 가스 및 선택적으로 HBr 가스를 포함하는 제1 플라즈마에 상기 필름 스택을 노출시키고, 탄소-불소-함유 가스, O
2 가스, 규소-불소-함유 가스 및 선택적으로 HBr 가스를 포함하는 제2 플라즈마에 상기 필름 스택을 노출시킴으로써, 상기 마스크 패턴을 상기 SiN막에 전사하는 공정을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020140016900A

公开(公告)日：2014-02-10

申请号：KR1020137024225

申请日：2012-02-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니시즈카데츠야

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H05H1/46

Abstract: 본 발명은, 마스크 패턴으로 피복된 질화규소(SiN)막에 피처를 플라즈마 에칭하기 위한 처리 방법을 제공한다. 이 처리 방법은, SiN막과 이 SiN막 상의 마스크 패턴을 포함하는 필름 스택을 기판 상에 마련하는 공정과, HBr 가스, O
2 가스 및 탄소-불소-함유 가스를 포함하는 프로세스 가스로부터 플라즈마를 형성하는 공정과, 상기 기판에 펄스형 RF 바이어스 파워를 인가하는 공정, 그리고 상기 필름 스택을 상기 플라즈마에 노출시킴으로써 상기 마스크 패턴을 상기 SiN막에 전사하는 공정을 포함한다.

公开(公告)号：KR101811910B1

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：KR1020137024225

申请日：2012-02-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니시즈카데츠야

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/31144

Abstract: 본발명은, 마스크패턴으로피복된질화규소(SiN)막에피처를플라즈마에칭하기위한처리방법을제공한다. 이처리방법은, SiN막과이 SiN막상의마스크패턴을포함하는필름스택을기판상에마련하는공정과, HBr 가스, O가스및 탄소-불소-함유가스를포함하는프로세스가스로부터플라즈마를형성하는공정과, 상기기판에펄스형 RF 바이어스파워를인가하는공정, 그리고상기필름스택을상기플라즈마에노출시킴으로써상기마스크패턴을상기 SiN막에전사하는공정을포함한다.

Abstract translation: 本发明提供了一种用于等离子体蚀刻涂覆有掩模图案的氮化硅（SiN）膜中的特征的处理方法。 该处理方法包括一个步骤，HBr气体，O气体，并且碳是提供一种薄膜堆栈，其中包括的SiN膜和基板上的SiN膜的掩模图案，从含有含含氟气体的工艺气体形成等离子 通过将薄膜叠层暴露于等离子体，将脉冲型RF偏压功率施加至基板，并将掩模图案转移至SiN薄膜。

公开(公告)号：KR100896552B1

公开(公告)日：2009-05-07

申请号：KR1020077028057

申请日：2007-03-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니시즈카데츠야

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/32137 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32449 ,  H01J2237/334

Abstract: 본 발명은, 처리 가스의 플라즈마를 이용한 에칭처리를 행하는 방법에 관한 것이다. 이 에칭처리는, 기판(101)과, 이 기판 상에 형성된 베이스막(102,103)과, 이 베이스막 상에 형성된 에칭 대상막(104)을 갖는 피처리체(W)에 대하여 행해진다. 처리 가스로서, 염소함유 가스 및 산소함유 가스로 이루어지는 주에칭 가스와, 질소함유 가스를 이용한다. 이 에칭방법은, 플라즈마의 발광스펙트럼으로부터 구해지는 N
2
+ 의 강도와 N
2 의 강도의 비 N
2
+ /N
2 가 0.6 이상이 되도록 하는 조건에서 에칭을 행하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020150117227A

公开(公告)日：2015-10-19

申请号：KR1020150050226

申请日：2015-04-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카바히로유키 ,  니시즈카데츠야 ,  마츠모토나오키 ,  아이타미치타카 ,  미나카와다카시 ,  다카하시가즈키 ,  요시카와준 ,  후쿠도메모토시 ,  미하라나오키 ,  곤도히로유키

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/3222

Abstract: [과제] 피처리체상에서의가스의체류를억제하는플라즈마처리장치를제공한다. [해결수단] 플라즈마처리장치는, 처리용기, 배치대, 중앙도입부및 주변도입부를갖고있다. 중앙도입부는, 배치대의상측에설치되어있으며, 배치대의중심을지나는축선을따라서상기배치대를향해가스를도입한다. 주변도입부는, 높이방향에서, 중앙도입부와배치대의상면의사이에설치되어있다. 또한, 주변도입부는측벽을따라서형성되어있다. 주변도입부는, 축선에대하여둘레방향으로배열된복수의가스토출구를제공하고있다. 주변도입부의복수의가스토출구는, 축선에근접함에따라서배치대로부터멀어지도록뻗어있다.

Abstract translation: [主题]提供一种等离子体处理装置，其抑制加工对象上的气体停留。 [等离子体处理装置]包括处理容器，排列台，中央导入部以及周围的引导部。 中心引导部分安装在排列台的上部，并将气体沿着与排列台的中心相交的轴线与排列台一起引入。 周围引导部分在高度方向上安装在中心引入部分和布置台的上部之间。 此外，周围的引入部分与侧壁一起形成。 周围引入部分沿着轴线的周向设置多个排气孔。 随着排气孔越靠近轴线，周围导入部分的气体排放孔越靠近布置台。

公开(公告)号：KR1020080014816A

公开(公告)日：2008-02-14

申请号：KR1020077028057

申请日：2007-03-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니시즈카데츠야

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/32137 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32449 ,  H01J2237/334

Abstract: A method for performing etching process by using plasma of a processing gas. The etching process is performed to a body (W) to be processed, which has a substrate (101), base films (102, 103) formed on the substrate, and a film (104) which is to be etched and is formed on the base films. As the processing gas, a main etching gas composed of a chlorine containing gas and an oxygen containing gas, and a nitrogen containing gas is used. The etching method is characterized in that etching is performed under the conditions where the ratio N2+/N2 of the strength of N2+ obtained from the plasma emission spectrum to the strength of N2 is 0.6 or higher.

Abstract translation: 通过使用处理气体的等离子体进行蚀刻处理的方法。 对被处理体（W）进行蚀刻处理，该主体（W）具有基板（101），形成在基板上的基膜（102,103）和被蚀刻的膜（104），形成在 基片。 作为处理气体，使用由含氯气体和含氧气体构成的主蚀刻气体和含氮气体。 蚀刻方法的特征在于，在从等离子体发射光谱获得的N 2强度与N 2的强度的比N 2 + / N 2为0.6以上的条件下进行蚀刻。

公开(公告)号：KR1020070057148A

公开(公告)日：2007-06-04

申请号：KR1020077003454

申请日：2005-08-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 첸리 ,  감바라히로미츠 ,  티안카이즈홍 ,  니시즈카데츠야 ,  노자와도시히사

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32211 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32192

Abstract: A plasma processing system for treating a substrate includes a processing chamber including a first chamber portion configured to receive a first gas for providing a plasma space, and a second chamber portion configured to receive a second gas for providing a process space having process chemistry to treat the substrate. A substrate holder is coupled to the second chamber portion of the processing chamber, and configured to support the substrate proximate the process space, and a plasma source is coupled to the first chamber portion of the processing chamber, and configured to form a plasma in the plasma space. A grid is located between the plasma space and the process space, and configured to permit the diffusion of the plasma between the plasma space and the process space in order to form the process chemistry from the process gas.

Abstract translation: 用于处理衬底的等离子体处理系统包括处理室，该处理室包括构造成容纳用于提供等离子体空间的第一气体的第一室部分和被配置为接收第二气体的第二室部分，用于提供具有处理化学物质的处理空间以处理 底物。 衬底保持器联接到处理室的第二室部分，并且被配置成在接近处理空间的位置支撑衬底，并且等离子体源耦合到处理室的第一室部分，并且被配置成在处理室中形成等离子体 等离子体空间 栅格位于等离子体空间和处理空间之间，并且被配置为允许等离子体在等离子体空间和处理空间之间的扩散，以便从工艺气体形成工艺化学物质。

公开(公告)号：KR101148442B1

公开(公告)日：2012-05-21

申请号：KR1020077003454

申请日：2005-08-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 첸리 ,  감바라히로미츠 ,  티안카이즈홍 ,  니시즈카데츠야 ,  노자와도시히사

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32211 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32192

Abstract: 기판을 처리하기 위한 플라즈마 프로세싱 시스템은 플라즈마 공간을 제공하기 위해 제 1 가스를 수신하도록 구성된 제 1 챔버 공간 및 기판을 처리하기 위한 공정 화학을 가진 프로세스 공간을 제공하기 위해 제 2 가스를 수신하도록 구성된 제 2 챔버 부분을 포함하는 프로세싱 챔버를 포함한다. 기판 홀더는 프로세싱 챔버의 제 2 챔버 부분에 결합되어 프로세스 공간에 인접한 기판을 지지하도록 구성되고, 플라즈마 소스는 프로세싱 챔버의 제 1 챔버 부분에 결합되어 플라즈마 공간에서 플라즈마를 형성하도록 구성된다. 그리드는 플라즈마 공간과 프로세스 공간 사이에 배치되어, 프로세스 가스로부터 공정 화학을 형성하기 위해, 플라즈마 공간과 프로세스 공간 사이에서 플라즈마 확산을 허용하도록 구성된다.
기판 처리, 플라즈마 프로세싱 시스템, 플라즈마 공간, 프로세스 공간, 공정 화학, 가스 주입 그리드, 공간 균일성

公开(公告)号：KR100872260B1

公开(公告)日：2008-12-05

申请号：KR1020067016347

申请日：2005-02-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시바시기요타카 ,  기타가와준이치 ,  후루이신고 ,  티안카이종 ,  야마시타준 ,  야마모토노부히코 ,  니시즈카데츠야 ,  노자와도시히사 ,  니시모토신야 ,  유아사다마키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32238

Abstract: 본 발명의 목적은 마이크로파를 이용한 플라즈마 처리장치에 있어서, 투과창을 지지하는 지지부와 상기 투과창과의 접점 근방에서, 강한 전계, 고밀도 플라즈마가 발생하는 것을 억제하여, 처리의 질의 향상을 도모하는 데에 있다.
본 발명에 있어서는 마이크로파의 공급에 의해서 발생한 플라즈마에 의해서, 처리용기(2) 내의 웨이퍼(W)에 대하여 처리를 실시하는 플라즈마 처리장치에 있어서, 투과창(20)은 그 하면 중앙 영역에, 투과창(20)과 동일한 재질의 수하부(21)를 갖고 있다. 수하부(21)의 외주면(21a)과, 지지부(6)로부터 이어지는 측벽 내면(5a)과의 사이는 0.5∼10㎜, 더욱 바람직하게는 0.5∼5㎜의 갭 길이를 갖는 간극(d)이 형성되어 있다. 접점(C)에서의 강한 전계, 플라즈마의 발생이 억제되고, 스퍼터된 입자나 라디칼 등이 웨이퍼(W)에 도달하는 양도 억제된다.

Abstract translation: 本发明的目的在于抑制在使用微波的等离子体处理装置中用于支撑透射窗的支撑部和透射窗之间的接触点附近产生强电场和高密度等离子体， 有。

公开(公告)号：KR1020060108773A

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：KR1020067016347

申请日：2005-02-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시바시기요타카 ,  기타가와준이치 ,  후루이신고 ,  티안카이종 ,  야마시타준 ,  야마모토노부히코 ,  니시즈카데츠야 ,  노자와도시히사 ,  니시모토신야 ,  유아사다마키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32238

Abstract: [PROBLEMS] To improve a process quality of a plasma processing apparatus using microwaves, by suppressing generation of a strong magnetic field and a high-density plasma in the vicinity of a contact point of a supporting part, which supports a transmission window, and the transmission window. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] The plasma processing apparatus processes a wafer W in a process container (2) by plasma generated by supplying microwaves. The transmission window (20) has a drooping part (21) made of a same material as that of the transmission window (20) in its lower plane center area. A space d, having a gap length of 0.5-10mm, more preferably, 0.5-5mm, is formed between an outer circumference plane (21a) of the drooping part (21) and a side wall inner plane (5a) continued from the supporting part (6). Generation of the strong magnetic field and the plasma at the contact point C is suppressed, and a quantity of sputtered particles, radicals, etc. reaching the wafer W is suppressed.

Abstract translation: [问题]为了提高使用微波的等离子体处理装置的工艺质量，通过抑制支撑透射窗的支撑部的接触点附近的强磁场和高密度等离子体的产生，以及 传输窗口。 解决问题的方法等离子体处理装置通过供给微波产生的等离子体处理处理容器（2）中的晶片W. 传动窗（20）具有在其下平面中心区域由与透射窗（20）相同材料制成的下垂部分（21）。 在下垂部分（21）的外周平面（21a）和从支撑部分（21）延续的侧壁内平面（5a）之间形成有间隙长度为0.5-10mm，更优选为0.5-5mm的空间d 第（6）部分。 抑制了在接触点C处的强磁场和等离子体的产生，并且抑制了到达晶片W的溅射的粒子，自由基等的量。