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公开(公告)号：KR1020150128596A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：KR1020150063823
申请日：2015-05-07
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/683 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/67109 , F26B3/20 , H01L21/67028 , H01L21/67051 , H01L21/67075
Abstract: 커버부재에부착된처리액또는그 처리액으로부터발생된결정을제거함으로써, 파티클의발생을방지하도록한다. 기판을유지하는기판유지부(3)와, 기판유지부(3)에유지된기판(W)에대하여처리액을공급하는처리액공급부(7)와, 기판유지부(3)에유지된기판의주연부와대향하도록배치되는링 형상의커버부재(5)를구비하고, 커버부재(5)에는, 커버부재(5)를가열하기위한히터(701)가마련되어있다.
Abstract translation: 通过除去附着在覆盖构件上的处理溶液或由处理溶液产生的晶体来防止颗粒的产生。 本发明包括：保持基板的基板保持单元（3），将处理液供给到保持在基板保持单元（3）上的基板（W）的处理液供给单元（7），以及环状 盖构件（5），其被配置为面对保持在基板保持单元上的基板的周边部分。 在盖构件（5）上形成加热器（701）以加热盖构件（5）。
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公开(公告)号：KR1020170120057A
公开(公告)日：2017-10-30
申请号：KR1020170134117
申请日：2017-10-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/6708 , H01L21/02087 , H01L21/30604 , H01L21/32134 , H01L21/67109 , H01L21/6838
Abstract: 본발명은기판의주연부분을처리액으로처리할때에, 기판의온도를신속하게승강시키는것을과제로한다. 기판처리장치는, 기판(W)을유지하는기판유지부(16)와, 기판의주연부분에제1 처리액을공급하는제1 처리액노즐(61)과, 기판의주연부분에제1 처리액보다낮은온도의제2 처리액을공급하는제2 처리액노즐(62)과, 기판의주연부분에제1 온도의제1 가스를공급하는제1 가스공급수단(51, 53 등)과, 기판에대하여상기제1 가스의공급위치보다반경방향중심측에제1 온도보다낮은제2 온도의제2 가스를공급하는제2 가스공급수단(42, 45 등)을구비하고있다.
Abstract translation: 本发明克服了在用处理溶液处理基板周边部分时快速升高和降低基板温度的问题。 的基板处理装置包括：基板（W）eulyu由基板保持部16，用于提供第一处理溶液到基片的在所述基板的周缘部的周缘部，第一处理的第一处理液喷嘴61所占据 和液体第二处理液喷嘴62，用于在低于所述第一气体供给装置，用于在所述衬底的周缘部中的第一温度供给第一气体的温度（51，53等）供给第二处理溶液， 和第二气体供给装置（42，45等），以提供第一较低温度的第二气体高于第二温度的径向中心比所述第一气体的供给位置到所述衬底。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020120082432A
公开(公告)日：2012-07-23
申请号：KR1020127011054
申请日：2010-09-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 피트리안토
IPC: H01L21/3205 , H01L21/306
CPC classification number: G03F7/427 , H01L21/02079 , H01L21/31111 , H01L21/31133
Abstract: 반도체 장치 제조에서 실리콘 함유 반사 방지 코팅(SiARC)층을 포함하는 막 구조를 재작업하기 위한 방법이 제공된다. 이 방법은 막 스택 상에 SiARC층을 포함하는 막 스택 및 SiARC층 상에 형성된 레지스트 패턴을 포함하는 기판을 제공하는 단계를 포함한다. 이 방법은, SiARC층으로부터 레지스트 패턴을 제거하는 단계, SiARC층을 개질하기 위해 오존(O
3 ) 가스를 포함하는 처리 가스에 SiARC층을 노출하는 단계, 저농도 플루오르화수소산(DHF)액으로 개질 SiARC층을 처리하는 단계 및 기판으로부터 개질 SiARC층을 원심력에 의해 제거하는 단계를 더 포함한다.-
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公开(公告)号：KR101789111B1
公开(公告)日：2017-10-23
申请号：KR1020120152923
申请日：2012-12-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/6708 , H01L21/02087 , H01L21/30604 , H01L21/32134 , H01L21/67109 , H01L21/6838
Abstract: 본발명은기판의주연부분을처리액으로처리할때에, 기판의온도를신속하게승강시키는것을과제로한다. 기판처리장치는, 기판(W)을유지하는기판유지부(16)와, 기판의주연부분에제1 처리액을공급하는제1 처리액노즐(61)과, 기판의주연부분에제1 처리액보다낮은온도의제2 처리액을공급하는제2 처리액노즐(62)과, 기판의주연부분에제1 온도의제1 가스를공급하는제1 가스공급수단(51, 53 등)과, 기판에대하여상기제1 가스의공급위치보다반경방향중심측에제1 온도보다낮은제2 온도의제2 가스를공급하는제2 가스공급수단(42, 45 등)을구비하고있다.
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公开(公告)号：KR1020130076735A
公开(公告)日：2013-07-08
申请号：KR1020120152923
申请日：2012-12-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/6708 , H01L21/02087 , H01L21/30604 , H01L21/32134 , H01L21/67109 , H01L21/6838
Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus and a substrate processing method are provided to rapidly raise the temperature of a substrate by appropriately supplying a first and a second gas. CONSTITUTION: A substrate holding part maintains a substrate. A first processing solution nozzle (61) supplies a first processing solution to the periphery part of the substrate. A second processing solution nozzle (62) supplies a second processing solution to the periphery part of the substrate. A first gas supply device (51) supplies a first gas to the periphery part of the substrate. A second gas supply device (42) supplies a second gas to the substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种基板处理装置和基板处理方法，通过适当地供给第一和第二气体来快速提高基板的温度。 构成：基板保持部维持基板。 第一处理溶液喷嘴（61）将第一处理溶液供应到基板的周边部分。 第二处理溶液喷嘴（62）将第二处理溶液供应到基板的周边部分。 第一气体供给装置（51）将第一气体供给到基板的周边部。 第二气体供给装置（42）将第二气体供给到基板。
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