公开(公告)号：KR100633892B1

公开(公告)日：2006-10-13

申请号：KR1020047012751

申请日：2003-02-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라카미세이시 ,  하나다요시유키

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/20

CPC classification number: C23C16/45574 ,  C23C16/45514 ,  C23C16/45565

Abstract: 본 발명의 가스 샤워 헤드는 기판의 표면에 대향하여 마련됨과 동시에 상기 기판과 대향하는 면에 다수의 구멍부가 형성되고, 가스 공급로로부터 이송되는 복수종의 성막 가스를 이들 구멍부를 거쳐서 상기 기판에 동시에 공급하는 가스 샤워 헤드에 있어서, 복수의 금속부재를 갖고, 해당 복수의 금속부재를 상하에 중첩시킨 상태로 소정의 온도 조건으로 가열함으로써 각 금속부재의 접촉면끼리가 국소적으로 금속 확산 접합되어 있는 샤워 헤드 본체와, 상기 샤워 헤드 본체내의 상기 접촉면을 가로지르도록 관통하고, 또한 성막 가스의 종류마다 각각이 섞이는 일이 없도록 독립하여 형성되는 복수의 가스 유로를 구비한다. 상기 온도 조건은 그 후의 재가열에 의해서, 국소적으로 금속 확산 접합된 부분은 박리 가능한 온도 조건이다.

公开(公告)号：KR100729874B1

公开(公告)日：2007-06-18

申请号：KR1020067012397

申请日：2003-02-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라카미세이시 ,  하나다요시유키

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45574 ,  C23C16/45514 ,  C23C16/45565

Abstract: 본 발명의 가스 샤워 헤드는 기판의 표면에 대향하여 마련됨과 동시에 상기 기판과 대향하는 면에 다수의 구멍부가 형성되고, 가스 공급로로부터 이송되는 복수종의 성막 가스를 이들 구멍부를 거쳐서 상기 기판에 동시에 공급하는 가스 샤워 헤드에 있어서, 복수의 금속부재를 갖고, 해당 복수의 금속부재를 상하에 중첩시킨 상태로 소정의 온도 조건으로 가열함으로써 각 금속부재의 접촉면끼리가 국소적으로 금속 확산 접합되어 있는 샤워 헤드 본체와, 상기 샤워 헤드 본체내의 상기 접촉면을 가로지르도록 관통하고, 또한 성막 가스의 종류마다 각각이 섞이는 일이 없도록 독립하여 형성되는 복수의 가스 유로를 구비한다. 상기 온도 조건은 그 후의 재가열에 의해서, 국소적으로 금속 확산 접합된 부분은 박리 가능한 온도 조건이다.

公开(公告)号：KR101187516B1

公开(公告)日：2012-10-02

申请号：KR1020087028045

申请日：2007-05-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하나다요시유키

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L21/67207 ,  G06T7/001 ,  G06T2207/30148 ,  H01L21/67288 ,  H01L21/681 ,  H01L21/68742

Abstract: 본 발명에 따른 대조 장치는, 결함검사부(72), 기준 패턴 기억부(74), 패턴 대조부(76), 대조 결과 처리부(78), 및 출력부(80)를 구비한다. 검사부(72)는, 처리 시스템에서 처리된 반도체 웨이퍼 등의 피처리체를 검사하여, 그 표면에 발생한 결함의 분포 패턴을 얻는다. 기억부(74)는, 처리 시스템에 있어서 피처리체와 접촉 또는 접근하는 특정 부분의 특징적 형상을 나타내는 기준 패턴을 미리 기억한다. 대조부(76)는, 검사부(72)에서 얻은 결함의 분포 패턴과, 기억부(74)에 기억된 기준 패턴을 대조한다. 대조 결과 처리부(78)는, 대조부(76)에서의 대조에 근거하여, 양쪽 패턴의 일치도를 구한다. 출력부(80)는, 구해진 일치도를 디스플레이(80A) 등을 통해서 출력한다.

公开(公告)号：KR1020080015467A

公开(公告)日：2008-02-19

申请号：KR1020077030560

申请日：2007-05-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하나다요시유키

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/52 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45574 ,  H01L21/68742 ,  Y10T29/49826

Abstract: A gas introduction device which can quickly and simultaneously perform the start and stop of gas supply from each gas ejection hole. The gas introduction device (24) placed in a processing container (22), from which gas can be discharged, is provided with a gas introduction head body (110) facing the inside of the processing container. The gas introduction head body (110) is provided with a supply gas channel (112) in which supply gas flows, an exhaust gas channel (114), a control gas channel (116) in which control gas flows, and gas ejection holes (28) provided in that surface of the gas introduction head body that faces the processing container. Further, a gas introduction head body (18) is provided with pure fluid logic elements (118) communicating with the supply gas channel, the exhaust gas channel, and the control gas channel and corresponding to the gas ejection holes.

Abstract translation: 一种气体引入装置，其可以快速并且同时地执行从每个气体喷射孔的气体供应的启动和停止。 放置在可从其排出气体的处理容器（22）中的气体引入装置（24）设置有面向处理容器内部的气体引入头本体（110）。 气体导入头本体110具有供给气体流入的供给气体通路112，排气通道114，控制气体流动的控制气体通路116和气体喷出孔 28），其设置在气体导入头主体的面向处理容器的表面。 此外，气体引入头本体（18）设置有与供气通道，排气通道和控制气体通道连通且对应于气体喷射孔的纯流体逻辑元件（118）。

公开(公告)号：KR1020060079804A

公开(公告)日：2006-07-06

申请号：KR1020067012397

申请日：2003-02-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라카미세이시 ,  하나다요시유키

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45574 ,  C23C16/45514 ,  C23C16/45565

Abstract: A gas shower head installed opposedly to the surface of a substrate, having a large number of hole parts in the surface thereof opposed to the substrate, and feeding multiple types of film forming gases fed from a gas feed passage simultaneously to the substrate through the hole parts, comprising a shower head body having a plurality of metal members with contact faces locally joined to each other by metal diffusion by heating the plurality of the metal members under specified temperature conditions in the stacked state in vertical direction and a plurality of gas flow passages passing through the inside of the shower head body so as to cross the contact faces and formed independently of each other for each type of the film forming gases so that these film forming gases are not mixed with each other, wherein the temperature conditions are such that the locally jointed portions by metal diffusion can be separated from each other by a reheating performed later.

Abstract translation: 一种与基板表面相对安装的气体喷头，在与基板相对的表面上具有大量孔部，并且通过孔将同时从气体供给通道供给的多种成膜气体供给到基板 部件，包括具有多个金属构件的淋浴喷头主体，所述多个金属构件具有通过金属扩散而彼此局部接合的接触面，所述金属构件通过在垂直方向上的堆叠状态的特定温度条件下加热所述多个金属构件，并且多个气体流动通道 通过淋浴头本体的内部，以便穿过接触面，并且对于每一种成膜气体彼此独立地形成，使得这些成膜气体彼此不混合，其中温度条件使得 通过金属扩散的局部接合部分可以通过稍后进行的再加热而彼此分离。

公开(公告)号：KR100964044B1

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：KR1020077030560

申请日：2007-05-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하나다요시유키

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/52 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45574 ,  H01L21/68742 ,  Y10T29/49826

Abstract: 각 가스 분사로부터의 가스의 공급 개시 및 공급 정지를 신속하고 또한 동시에 실행하는 것이 가능한 가스 도입 장치를 제공한다. 배기 가능하게 이루어진 처리 용기(22)에 배치된 가스 도입 장치(24)는 상기 처리 용기 내에 면하여 마련되는 가스 도입 헤드체(110)를 구비하고 있다. 상기 가스 도입 헤드체에 공급 가스를 흘리는 공급 가스 유로(112)와, 배기 유로(114)와, 제어 가스를 흘리는 제어 가스 유로(116)와, 상기 가스 도입 헤드체의 상기 처리 용기를 면하는 면에 마련한 복수의 가스 분사 구멍(28)이 마련되어 있다. 또한 가스 도입 헤드체(18)에, 상기 공급 가스 유로와 상기 배기 유로와 상기 제어 가스 유로에 연통되어 상기 가스 분사 구멍에 대응시켜 마련된 순유체 논리 소자(118)가 마련되어 있다.

公开(公告)号：KR1020080112383A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：KR1020087028045

申请日：2007-05-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하나다요시유키

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L21/67207 ,  G06T7/001 ,  G06T2207/30148 ,  H01L21/67288 ,  H01L21/681 ,  H01L21/68742

Abstract: A matching apparatus is provided with a defect inspecting section (72), a reference pattern storage section (74), a pattern matching section (76), a matching result processing section (78) and an output section (80). The inspecting section (72) inspects subjects processed by a processing system, such as a semiconductor wafer, and obtains the distribution pattern of defects generated on the surface. The storage section (74) previously stores a reference pattern indicating a characteristic pattern of a specific portion which is in contact with or close to the subject in the processing system. The matching section (76) matches the defect distribution pattern obtained by the inspecting section (72) with the reference pattern stored in the storage section (74). The matching result processing section (78) obtains degree of matching of the both patterns, based on the matching performed by the matching section (76). The output section (80) outputs the obtained degree of matching through a display (80A) or the like. ® KIPO & WIPO 2009

Abstract translation: 匹配装置设有缺陷检查部分（72），参考图案存储部分（74），模式匹配部分（76），匹配结果处理部分（78）和输出部分（80）。 检查部（72）检查由诸如半导体晶片的处理系统处理的对象，并且获得在表面上产生的缺陷的分布图案。 存储部（74）预先存储指示处理系统中与被摄体接触或接近的特定部分的特征图案的参考图案。 匹配部分（76）将由检查部分（72）获得的缺陷分布图案与存储在存储部分（74）中的参考图案相匹配。 匹配结果处理部（78）基于匹配部（76）进行的匹配，求出两种图案的匹配度。 输出部（80）通过显示（80A）等输出获得的匹配度。 ®KIPO＆WIPO 2009

公开(公告)号：KR1020080037682A

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：KR1020087004330

申请日：2006-08-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하나다요시유키

IPC: C04B35/64 ,  H01L21/683 ,  H05B3/02

CPC classification number: H01L21/67103 ,  C04B35/581 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3804 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/66 ,  C04B2235/75 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9615 ,  H01L21/68757 ,  H05B3/143

Abstract: A wafer placing table (11) constituted as a ceramic heater has a power feeding section (14) for a heat generating body (13) and a bonding section (16) to a supporting member (12) as portions which can be break starting points. The wafer placing table is constituted to permit compressive stress to be generated in the power feeding terminal section (14) and/or the bonding section (16) which can be the break starting points.

Abstract translation: 作为陶瓷加热器构成的晶片载置台（11）具有用于发热体（13）的供电部（14）和作为支承部件（12）的接合部（16），作为能够断裂的起点 。 晶片载置台构成为能够在供电端子部（14）和/或可以是断裂起点的接合部（16）上产生压缩应力。

公开(公告)号：KR1020110058909A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：KR1020117009432

申请日：2009-09-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 츠지노리히코 ,  모로이마사유키 ,  야나기타니겐이치 ,  하나다요시유키

IPC: C23C16/54 ,  C23C16/455 ,  H01L21/285 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/54 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/4583 ,  H01L21/67005 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67346 ,  H01L21/67706

Abstract: 개시되는 성막 장치는, 진공 용기 내에 마련되고, 복수의 기판 탑재부를 열형상으로 주회 반송하는 주회 반송로를 포함하는 기판 반송 기구로서, 해당 주회 반송로가 해당 복수의 기판 탑재부가 직선형으로 반송되는 직선 반송로를 포함하는, 상기 기판 반송 기구와, 직선 반송로에 있어서 기판 탑재부가 반송되는 반송방향을 따라 배치되고, 직선 반송로를 반송되는 복수의 기판 탑재부에 대하여 제 1 반응 가스를 공급하도록 구성되는 제 1 반응 가스 공급부와, 반송방향을 따라 제 1 반응 가스 공급부와 교대로 배치되고, 직선 반송로를 반송되는 복수의 기판 탑재부에 대하여 제 2 반응 가스를 공급하도록 구성되는 제 2 반응 가스 공급부와, 제 1 반응 가스 공급부 및 제 2 반응 가스 공급부 사이에 있어서 분리 가스를 공급하도록 구성되는 분리 가스 공급 부를 포함하고 있다.

公开(公告)号：KR100990020B1

公开(公告)日：2010-10-26

申请号：KR1020087004330

申请日：2006-08-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하나다요시유키

IPC: C04B35/64 ,  H01L21/683 ,  H05B3/02

CPC classification number: H01L21/67103 ,  C04B35/581 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3804 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/66 ,  C04B2235/75 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9615 ,  H01L21/68757 ,  H05B3/143

Abstract: 세라믹히터로서 구성되는 웨이퍼탑재대(11)는, 파괴기점이 되기 쉬운 부위로서 발열체(13)로의 급전부(14) 및 지지부재(12)와의 접합부(16)를 가지고 있다. 그리고, 이들 파괴기점이 되기 쉬운 부위인 급전 단자부(14) 및/또는 접합부(16)에 압축응력이 발생하도록 구성한다.