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公开(公告)号:KR100697895B1
公开(公告)日:2007-03-20
申请号:KR1020047017091
申请日:2003-08-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C23C16/448 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/67017 , C23C16/4481 , Y10T137/0324
Abstract: 재료 저류조내에서 발생시킨 원료 가스를 거의 압력 손실을 발생시키지 않고, 처리 기구내로 공급하는 것이 가능한 처리 장치를 제공한다. 피처리체(W)에 대하여 소정의 처리를 실시하기 위해서 처리 용기(26)내에 증기압이 낮은 금속 화합물 재료(M)로 이루어지는 소정의 원료 가스를 분사하는 가스 분사 수단(42)을 설치한 처리 기구(22)와, 상기 가스 분사 수단에 상기 소정의 연료 가스를 공급하는 가스 공급 장치(24)를 갖는 처리 장치에 있어서, 상기 가스 분사 수단은 샤워 헤드부이고, 상기 가스 공급 장치는 상기 샤워 헤드부로부터 상방으로 연장되는 가스 통로(56)와, 상기 가스 통로의 상단부에 장착되어서 상부로 상기 금속 화합물 재료를 수용하는 재료 저류조(58)와, 상기 가스 통로를 개폐하는 개폐 밸브(60)를 구비한다.
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公开(公告)号:KR1020040106381A
公开(公告)日:2004-12-17
申请号:KR1020047017091
申请日:2003-08-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C23C16/448 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/67017 , C23C16/4481 , Y10T137/0324
Abstract: 재료 저류조내에서 발생시킨 원료 가스를 거의 압력 손실을 발생시키지 않고, 처리 장치내로 공급하는 것이 가능한 처리 시스템을 제공한다. 피처리체(W)에 대하여 소정의 처리를 실시하기 위해서 처리 용기(26)내에 증기압이 낮은 금속 화합물 재료(M)로 이루어지는 소정의 원료 가스를 분사하는 가스 분사 수단(42)을 설치한 처리 장치(22)와, 상기 가스 분사 수단에 상기 소정의 연료 가스를 공급하는 가스 공급 시스템(24)을 갖는 처리 시스템에 있어서, 상기 가스 분사 수단은 샤워 헤드부이고, 상기 가스 공급 시스템은 상기 샤워 헤드부로부터 상방으로 연장되는 가스 통로(56)와, 상기 가스 통로의 상단부에 장착되어서 상부로 상기 금속 화합물 재료를 수용하는 재료 저류조(58)와, 상기 가스 통로를 개폐하는 개폐 밸브(60)를 구비한다.
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公开(公告)号:KR1020110058909A
公开(公告)日:2011-06-01
申请号:KR1020117009432
申请日:2009-09-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C23C16/54 , C23C16/455 , H01L21/285 , H01L21/31
CPC classification number: C23C16/54 , C23C16/0245 , C23C16/45551 , C23C16/4583 , H01L21/67005 , H01L21/67173 , H01L21/67201 , H01L21/67346 , H01L21/67706
Abstract: 개시되는 성막 장치는, 진공 용기 내에 마련되고, 복수의 기판 탑재부를 열형상으로 주회 반송하는 주회 반송로를 포함하는 기판 반송 기구로서, 해당 주회 반송로가 해당 복수의 기판 탑재부가 직선형으로 반송되는 직선 반송로를 포함하는, 상기 기판 반송 기구와, 직선 반송로에 있어서 기판 탑재부가 반송되는 반송방향을 따라 배치되고, 직선 반송로를 반송되는 복수의 기판 탑재부에 대하여 제 1 반응 가스를 공급하도록 구성되는 제 1 반응 가스 공급부와, 반송방향을 따라 제 1 반응 가스 공급부와 교대로 배치되고, 직선 반송로를 반송되는 복수의 기판 탑재부에 대하여 제 2 반응 가스를 공급하도록 구성되는 제 2 반응 가스 공급부와, 제 1 반응 가스 공급부 및 제 2 반응 가스 공급부 사이에 있어서 분리 가스를 공급하도록 구성되는 분리 가스 공급 부를 포함하고 있다.
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