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公开(公告)号:KR101988090B1
公开(公告)日:2019-06-11
申请号:KR1020160162797
申请日:2016-12-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/205
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公开(公告)号:KR1020110031273A
公开(公告)日:2011-03-25
申请号:KR1020107023541
申请日:2009-09-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/31
CPC classification number: C23C16/45544 , B29C66/71 , C23C16/45517 , C23C16/45527 , C23C16/45551 , C23C16/45563 , H01L21/02164 , H01L21/02197 , H01L21/0228 , H01L21/3141 , H01L21/31608 , H01L21/31691
Abstract: 본 발명은 진공 용기 내에서, 제1 반응 가스와 제2 반응 가스를 교대로 공급하여 배기하는 사이클을 복수회 실행함으로써, 기판의 표면에 박막을 성막하는 성막 장치에 있어서, 상기 진공 용기 내에 설치되고, 각각 기판의 배치 영역을 포함하는 복수의 하부 부재와, 상기 복수의 하부 부재의 각각에 대향하여 설치되며, 상기 배치 영역과의 사이에 처리 공간을 형성하는 복수의 상부 부재와, 상기 처리 공간 내에 가스를 공급하기 위한, 제1 반응 가스 공급부, 제2 반응 가스 공급부, 및, 상기 제1 반응 가스를 공급하는 타이밍과, 상기 제2 반응 가스를 공급하는 타이밍 사이에 퍼지 가스를 공급하기 위한 퍼지 가스 공급부와, 상기 처리 공간의 둘레 방향을 따라 형성되고, 그 처리 공간 내와 그 처리 공간의 외부인 상기 진공 용기 내의 분위기를 연통하기 위한 배기용 개구부와, 상기 처리 공간을, 상기 배기용 개구부 및 상기 진공 용기 내의 분위기를 통해 진공 배기하기 위한 진공 배기 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 성막 장치이다.
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公开(公告)号:KR101271800B1
公开(公告)日:2013-06-07
申请号:KR1020127020098
申请日:2009-09-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45544 , B29C66/71 , C23C16/45517 , C23C16/45527 , C23C16/45551 , C23C16/45563 , H01L21/02164 , H01L21/02197 , H01L21/0228 , H01L21/3141 , H01L21/31608 , H01L21/31691
Abstract: 본 발명은 진공 용기 내에서, 제1 반응 가스와 제2 반응 가스를 교대로 공급하여 배기하는 사이클을 복수회 실행함으로써, 기판의 표면에 박막을 성막하는 성막 장치에 있어서, 상기 진공 용기 내에 설치되고, 각각 기판의 배치 영역을 포함하는 복수의 하부 부재와, 상기 복수의 하부 부재의 각각에 대향하여 설치되며, 상기 배치 영역과의 사이에 처리 공간을 형성하는 복수의 상부 부재와, 상기 처리 공간 내에 가스를 공급하기 위한, 제1 반응 가스 공급부, 제2 반응 가스 공급부, 및, 상기 제1 반응 가스를 공급하는 타이밍과, 상기 제2 반응 가스를 공급하는 타이밍 사이에 퍼지 가스를 공급하기 위한 퍼지 가스 공급부와, 상기 처리 공간의 둘레 방향을 따라 형성되고, 그 처리 공간 내와 그 처리 공간의 외부인 상기 진공 용기 내의 분위기를 연통하기 위� � 배기용 개구부와, 상기 처리 공간을, 상기 배기용 개구부 및 상기 진공 용기 내의 분위기를 통해 진공 배기하기 위한 진공 배기 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 성막 장치이다.
Abstract translation: 一种成膜装置,通过在真空容器内交替地供给和排出第一反应气体和第二反应气体来进行基板的排气循环,从而在基板的表面形成薄膜, 多个下部构件,所述多个下部构件布置成面对所述多个下部构件中的每一个并且在所述下部构件和所述布置区域之间形成处理空间; 在用于供给第一反应气体的时刻和供给用于供给第一反应气体的第二反应气体的时刻之间供给吹扫气体的吹扫气体,第一反应气体供给部件,第二反应气体供给部件, 以及沿着处理空间的圆周方向形成并与处理空间外部的真空室内的大气连通的真空室 和用于排气的开口,一个膜形成处理空间的装置,其特征在于,它包括一个真空排气装置,用于通过在所述排气口的气氛中,并在真空容器抽真空。
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公开(公告)号:KR101754479B1
公开(公告)日:2017-07-06
申请号:KR1020150113152
申请日:2015-08-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor: 모로이마사유키
IPC: H01L21/205 , H01L21/314 , H01L21/02
CPC classification number: C23C16/52 , C23C16/14 , C23C16/4481 , C23C16/455 , C23C16/45525 , Y10T137/2499 , Y10T137/2501
Abstract: 본발명의과제는고체또는액체인원료를기화한가스를포함하는원료가스를성막처리부에공급하는것에즈음하여, 원료가스에포함되는원료의기화유량을정확하게조절하는것이다. 해결수단으로서, 원료를수용한원료용기(3)에캐리어가스를공급하고, 기화한원료를포함하는원료가스를희석가스와함께, 원료의성막처리부(2)에단속적으로공급한다. 원료가스의유량(M1)을질량유량계(7)로측정하고, 이유량측정값을원료가스의공급기간에서적분한적분값으로부터, 질량유량계(7)를흐르는캐리어가스의유량측정값(C1)을상기공급기간에서적분한적분값을빼서원료의기화량(A)을구한다. 취득한기화량(A)과, 원료의기화량(A)의설정값의편차분을구하고, 원료의기화량(A)을설정값으로유지하기위해서, 캐리어가스의유량설정값(C1)에상기편차분을보정값으로서가산한다. 또한, 캐리어가스와희석가스의총 유량의일정화를도모하기위해서희석가스의유량설정값(C2)으로부터상기편차분을뺀다.
Abstract translation: 本发明的场合的一个目的是供给原料气体含有汽化气体在膜沉积单元中的固体或液体材料,确切地控制包含在原料气体中的汽化材料的流率。 作为一种解决方案中,载气供应到材料容器(3),其容纳所述材料,并与一个气体源包含汽化的材料和稀释气体,并间歇地供给到原料的成膜部(2)。 流流过由质量流量计(7),和测量的流量(M1)的载气的源气体的测量值为什么测量值的从集成在源气体的供给期间,质量流量计的积分值的量(7)(C1)的 从供应期间获得的积分值中减去以获得原材料的蒸发量(A)。 获得的(A)所获得的汽化量的设定值的偏离量和原料的汽化量(A),为了保持原料的挥发量(A)与设定值时,载气的流量设定值(C1) 并将偏差量作为修正值。 另外,为了使载气和稀释气体的总流量稳定,从稀释气体的流量设定值C2中减去偏差量。
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公开(公告)号:KR1020170065007A
公开(公告)日:2017-06-12
申请号:KR1020160162797
申请日:2016-12-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/52 , C23C16/4481
Abstract: 본발명은, 원료용기에수용된고체또는액체인원료를기화한가스를포함하는원료가스를성막처리부에공급함에있어, 원료용기내의원료의잔량을높은정밀도로측정하는것을과제로하고있다. 원료용기(14)에캐리어가스를공급하기위한캐리어가스공급로(12)에 MFC(1)를마련하고, 원료가스공급로(32)에 MFM(3)를마련하고있다. 또, 원료가스공급로(32)에희석가스를공급하기위한희석가스공급로(22)에 MFC(2)를마련하고있다. 그리고, MFM(3)의측정값으로부터의 MFC(1)의측정값과, MFC(2)의측정값의합계값을뺀 오프셋값을구하고, MFM(3)의측정값으로부터 MFC(1)의측정값및 MFC(2)의측정값의합계값을뺀 값으로부터, 오프셋값을빼서, 원료의유량의실측값을구하고, 원료의중량의실측값을구하고있다. 그리고, 원료용기내의초기의충전량(신품의원료용기의충전량)으로부터원료의유량의실측값의적산값을빼서, 원료의잔량을측정하고있다.
Abstract translation: 本发明,在下面的供给含有气化气体中所含的原料容器的成膜单元的固体或液体材料的原料气体,和零,以确定材料在材料容器以高精度水平。 提供MFC(1)到的载气供给源12供给的载气与原料容器14,和在原料气体的供给(32)提供一MFM(3)。 MFC2设置在稀释气体供给路径22中,用于向原料气体供给路径32供给稀释气体。 然后,MFC(1),以获得通过减去MFC(1)测量的(2)的从测量值的MFM(3)中,从MFM的测量值(3)的测量值和,MFC的合计值而获得的偏移值 从测量值,并通过减去偏移值通过减去MFC(2)的测量值的合计值而得到的值,以获得原料的流速的实际测量值,并且获得原料重量的测量值。 并且,通过从填充量的原料的流量的初始测量值的累计值(填充新的原料容器的量)在容器中的材料制成,并且测量原料的剩余量。
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公开(公告)号:KR100964042B1
公开(公告)日:2010-06-16
申请号:KR1020077028017
申请日:2007-03-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C23C16/455 , H01L21/31
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/409 , C23C16/4557 , C23C16/45574 , H01L21/31691
Abstract: 성막장치는, 반도체 웨이퍼(W)를 수용하는 처리용기(2)와, 처리용기(2)내에 배치되고, 반도체 웨이퍼(W)가 탑재되는 탑재대(5)와, 이 탑재대(5)와 대향하는 위치에 마련되어, 처리용기(2)내로 처리가스를 토출하는 처리가스 토출기구로서의 샤워헤드(40)와, 처리용기(2)내를 배기하는 배기장치(101)를 구비하고, 샤워헤드(40)는, 처리가스가 도입되는 가스유로를 갖고 있고, 가스유로를 둘러싸도록 환형의 온도 조절실(400)을 갖는다.
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公开(公告)号:KR1020080010448A
公开(公告)日:2008-01-30
申请号:KR1020077028017
申请日:2007-03-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C23C16/455 , H01L21/31
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/409 , C23C16/4557 , C23C16/45574 , H01L21/31691
Abstract: A film forming apparatus comprising treatment vessel (2) for accommodating of semiconductor wafer (W); mounting table (5) disposed in the treatment vessel (2), on which the semiconductor wafer (W) is placed; shower head (40) as a treating gas emitting mechanism for emitting of treating gas into the treatment vessel (2), which shower head (40) is disposed in a position opposite to the mounting table (5); and exhauster (101) for exhausting of the interior of the treatment vessel (2), wherein the shower head (40) has a gas flow channel for introducing of treating gas and has circular temperature control chamber (400) disposed so as to surround the gas flow channel.
Abstract translation: 一种成膜装置,包括用于容纳半导体晶片(W)的处理容器(2) 设置在处理容器(2)中的安装台(5),其上放置有半导体晶片(W); 淋浴头(40)作为处理气体发射机构,用于将处理气体排放到处理容器(2)中,该喷头(40)设置在与安装台(5)相对的位置; 和用于排出处理容器(2)内部的排气器(101),其中喷淋头(40)具有用于引入处理气体的气体流动通道,并且具有环形温度控制室(400) 气流通道。
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公开(公告)号:KR1020160021717A
公开(公告)日:2016-02-26
申请号:KR1020150113152
申请日:2015-08-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor: 모로이마사유키
IPC: H01L21/205 , H01L21/314 , H01L21/02
CPC classification number: C23C16/52 , C23C16/14 , C23C16/4481 , C23C16/455 , C23C16/45525 , Y10T137/2499 , Y10T137/2501
Abstract: 본발명의과제는고체또는액체인원료를기화한가스를포함하는원료가스를성막처리부에공급하는것에즈음하여, 원료가스에포함되는원료의기화유량을정확하게조절하는것이다. 해결수단으로서, 원료를수용한원료용기(3)에캐리어가스를공급하고, 기화한원료를포함하는원료가스를희석가스와함께, 원료의성막처리부(2)에단속적으로공급한다. 원료가스의유량(M1)을질량유량계(7)로측정하고, 이유량측정값을원료가스의공급기간에서적분한적분값으로부터, 질량유량계(7)를흐르는캐리어가스의유량측정값(C1)을상기공급기간에서적분한적분값을빼서원료의기화량(A)을구한다. 취득한기화량(A)과, 원료의기화량(A)의설정값의편차분을구하고, 원료의기화량(A)을설정값으로유지하기위해서, 캐리어가스의유량설정값(C1)에상기편차분을보정값으로서가산한다. 또한, 캐리어가스와희석가스의총 유량의일정화를도모하기위해서희석가스의유량설정값(C2)으로부터상기편차분을뺀다.
Abstract translation: 本发明是为了准确地调整包含在原料气体中的原料的蒸发流量,所述原料气体是通过蒸发固体或液体的原料而获得的包含气体的原料气体。 作为分辨装置,将载气供给到容纳原料的原料容器(3),将包含蒸发原料的原料气体用稀释气体不连续地供给到成膜处理单元(2)。 通过质量流量计(7)测量原料气体的流量(M1),通过将通过积分流量测量值(C1)得到的积分值减去,获得原料的蒸发量(A) 从在质量流量计(7)中流动的载气的原料气体的供给期间的流量测定值的积分值。 获取所获得的蒸发量(A)与原料的汽化量(A)的设定值之间的偏差值,并将该偏差值作为校正值作为校正值与流量设定值(C1)相加 载气保持原料的蒸发量(A)达到设定值。 此外,从稀释气体的流量设定值(C2)中减去偏差值,以调节载气和稀释气体的总流量。
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公开(公告)号:KR101248654B1
公开(公告)日:2013-03-28
申请号:KR1020107023541
申请日:2009-09-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/31
CPC classification number: C23C16/45544 , B29C66/71 , C23C16/45517 , C23C16/45527 , C23C16/45551 , C23C16/45563 , H01L21/02164 , H01L21/02197 , H01L21/0228 , H01L21/3141 , H01L21/31608 , H01L21/31691
Abstract: 본 발명은 진공 용기 내에서, 제1 반응 가스와 제2 반응 가스를 교대로 공급하여 배기하는 사이클을 복수회 실행함으로써, 기판의 표면에 박막을 성막하는 성막 장치에 있어서, 상기 진공 용기 내에 설치되고, 각각 기판의 배치 영역을 포함하는 복수의 하부 부재와, 상기 복수의 하부 부재의 각각에 대향하여 설치되며, 상기 배치 영역과의 사이에 처리 공간을 형성하는 복수의 상부 부재와, 상기 처리 공간 내에 가스를 공급하기 위한, 제1 반응 가스 공급부, 제2 반응 가스 공급부, 및, 상기 제1 반응 가스를 공급하는 타이밍과, 상기 제2 반응 가스를 공급하는 타이밍 사이에 퍼지 가스를 공급하기 위한 퍼지 가스 공급부와, 상기 처리 공간의 둘레 방향을 따라 형성되고, 그 처리 공간 내와 그 처리 공간의 외부인 상기 진공 용기 내의 분위기를 연통하기 위한 배기용 개구부와, 상기 처리 공간을, 상기 배기용 개구부 및 상기 진공 용기 내의 분위기를 통해 진공 배기하기 위한 진공 배기 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 성막 장치이다.
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公开(公告)号:KR1020120101165A
公开(公告)日:2012-09-12
申请号:KR1020127020098
申请日:2009-09-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45544 , B29C66/71 , C23C16/45517 , C23C16/45527 , C23C16/45551 , C23C16/45563 , H01L21/02164 , H01L21/02197 , H01L21/0228 , H01L21/3141 , H01L21/31608 , H01L21/31691
Abstract: 본 발명은 진공 용기 내에서, 제1 반응 가스와 제2 반응 가스를 교대로 공급하여 배기하는 사이클을 복수회 실행함으로써, 기판의 표면에 박막을 성막하는 성막 장치에 있어서, 상기 진공 용기 내에 설치되고, 각각 기판의 배치 영역을 포함하는 복수의 하부 부재와, 상기 복수의 하부 부재의 각각에 대향하여 설치되며, 상기 배치 영역과의 사이에 처리 공간을 형성하는 복수의 상부 부재와, 상기 처리 공간 내에 가스를 공급하기 위한, 제1 반응 가스 공급부, 제2 반응 가스 공급부, 및, 상기 제1 반응 가스를 공급하는 타이밍과, 상기 제2 반응 가스를 공급하는 타이밍 사이에 퍼지 가스를 공급하기 위한 퍼지 가스 공급부와, 상기 처리 공간의 둘레 방향을 따라 형성되고, 그 처리 공간 내와 그 처리 공간의 외부인 상기 진공 용기 내의 분위기를 연통하기 위한 배기용 개구부와, 상기 처리 공간을, 상기 배기용 개구부 및 상기 진공 용기 내의 분위기를 통해 진공 배기하기 위한 진공 배기 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 성막 장치이다.
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