公开(公告)号：KR1020130051896A

公开(公告)日：2013-05-21

申请号：KR1020120126569

申请日：2012-11-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하나와겐이치

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  C23C16/50

CPC classification number: H01J37/32183 ,  H01J37/32091

Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus is provided to reduce a current flow which flows in a matcher or a current flow which flows from the matcher and to suppress heat generation, power loss, and the like. CONSTITUTION: A substrate processing apparatus(100) includes a high frequency power source(6), a plasma generation electrode(2), a single matcher(7), and an impedance control circuit(8). The high frequency power source generates high frequency power. The plasma generation electrode generates plasma by supplying the high frequency power from the high frequency power source. The single matcher is interposed between the high frequency power and the plasma generation electrode and matches an impedance of a load with an impedance of a transmission line. The impedance control circuit is interposed between the matcher and the plasma generation electrode and controls impedance between the matcher and the plasma generation electrode. [Reference numerals] (11) Processing gas supply device; (17) Exhaust device; (20) Control unit; (6) High frequency power source; (7) Matcher; (8) Impedance control circuit

Abstract translation: 目的：提供一种基板处理装置，用于减少在匹配器中流动的电流或从匹配器流出的电流并抑制发热，功率损耗等。 构成：基板处理装置（100）包括高频电源（6），等离子体产生电极（2），单匹配器（7）和阻抗控制电路（8）。 高频电源产生高频功率。 等离子体产生电极通过从高频电源提供高频功率来产生等离子体。 单个匹配器介于高频功率和等离子体产生电极之间，并将负载的阻抗与传输线的阻抗相匹配。 阻抗控制电路介于匹配器和等离子体产生电极之间，并控制匹配器和等离子体产生电极之间的阻抗。 （附图标记）（11）加工气体供给装置; （17）排气装置; （20）控制单元; （6）高频电源; （7）匹配者 （8）阻抗控制电路

公开(公告)号：KR101333465B1

公开(公告)日：2013-11-26

申请号：KR1020120061665

申请日：2012-06-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하나와겐이치 ,  도미타다카히로

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/205 ,  C23C16/505

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32174

Abstract: 고주파 전력 분배 장치로서, 입력된 고주파 전력을 복수로 균등하게 분기하는 분전부재와, 상기 분전부재에서 분기된 고주파 전력을 상기 복수의 평행 평판 전극에 전송하는, 중심의 급전선 및 그 주위의 접지선으로 이루어지는 동축 전송선과, 입력측의 임피던스를 조정해서 전류값을 저하시키기 위한 임피던스 조정 기구를 구비한다. 또한, 상기 분전부재는 판형상의 도체로 이루어지는 본체와, 상기 본체의 한쪽의 주면의 입력점에 고주파 전력을 입력하는 고주파 전력 입력부와, 상기 본체의 다른 쪽의 주면의 상기 입력점에 대응하는 점을 중심으로 한 원주상에 등간격으로 복수 배치된 고주파 전력 출력부를 갖는다. 상기 동축 전송선은 상기 복수 배치된 고주파 전력 출력부에 각각 접속되고, 상기 임피던스 조정 기구는 상기 고주파 전력 입력부에 마련되어 있다.

公开(公告)号：KR1020120137301A

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：KR1020120061665

申请日：2012-06-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하나와겐이치 ,  도미타다카히로

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/205 ,  C23C16/505

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32174

Abstract: PURPOSE: A high frequency power distribution device and a substrate processing apparatus using the same are provided to reduce power loss by reducing a processing deviation of a plurality of discharge spaces in which a substrate is processed. CONSTITUTION: High frequency power distribution devices(4a,4b) comprise a distribution member(30) which divides high frequency power supplied from a high frequency power supply unit into two or more. The high frequency power distribution device comprises a coaxial cable(35) which transmits the high frequency power divided by the distribution member and an impedance adjustment mechanism(36). The distribution member comprises a main body(31) made of a disc shaped conductor and a high frequency power input unit(32) inputting the high frequency power, and a plurality of high frequency power output units(33). The plurality of high frequency output unit is located in a position where is an r distance far from a point(31b) corresponding to an input point(31a).

Abstract translation: 目的：提供一种高频配电装置及使用其的基板处理装置，通过减少处理基板的多个放电空间的处理偏差来降低功率损耗。 构成：高频配电装置（4a，4b）包括分配构件（30），其将从高频电源单元提供的高频功率分为两个或更多个。 高频配电装置包括：发送由分配部件分压的高频电力的同轴电缆（35）和阻抗调整机构（36）。 分配构件包括由盘形导体制成的主体（31）和输入高频电力的高频电力输入单元（32）和多个高频电力输出单元（33）。 多个高频输出单元位于远离与输入点（31a）对应的点（31b）的r距离的位置。

公开(公告)号：KR101154559B1

公开(公告)日：2012-06-08

申请号：KR1020097006959

申请日：2007-10-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  고바야시노리유키 ,  요네다시게루 ,  하나와겐이치 ,  다하라시게루 ,  스기모토마사루

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32183 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32174 ,  H01J2237/334 ,  H01J2237/3346 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76834

Abstract: 진공배기가능한처리용기(10)내에, 상부전극(34)과하부전극(16)을대향하도록배치하고, 상부전극(34)에플라즈마형성용의고주파전력을공급하는제 1 고주파전원(48)을접속하고, 하부전극(16)에이온인입바이어스용의고주파전력을인가하는제 2 고주파전원(90)을접속하고, 제 2 고주파전원(90)에제어기(95)를마련하고, 이제어기(95)는, 제 2 고주파전원(90)을, 웨이퍼(W)의소정의막에폴리머가퇴적되는제 1 파워와웨이퍼(W)의소정의막의에칭이진행하는제 2 파워사이에서소정주기로파워변조하는파워변조모드로동작하도록제어한다.

Abstract translation: 在被真空排气的处理容器（10）中，上电极（34）和下电极（16）彼此相对设置。 上电极（34）连接到被配置为施加用于等离子体产生的第一RF功率的第一RF电源（48）。 下电极（16）连接到被配置为施加用于离子吸引的第二RF功率的第二RF电源（90）。 第二RF电源（90）设置有控制器（95），其被设置为控制第二RF电源（90）以在第一功率组之间以预定周期执行功率调制的功率调制模式，以在第一功率组上沉积聚合物 在晶片（W）上的预定膜和用于促进蚀刻晶片（W）上的预定膜的第二功率组。

公开(公告)号：KR1020090057088A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：KR1020097006959

申请日：2007-10-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  고바야시노리유키 ,  요네다시게루 ,  하나와겐이치 ,  다하라시게루 ,  스기모토마사루

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32183 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32174 ,  H01J2237/334 ,  H01J2237/3346 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76834

Abstract: An upper electrode (34) and a lower electrode (16) are arranged to oppose to each other in a treatment vessel (10) which can be evacuated. The upper electrode (34) is connected to a first high-frequency power source (48) for supplying high-frequency power for plasma formation. The lower electrode (16) is connected to a second high-frequency power source (90) for applying high-frequency power for ion take-in bias. A controller (95) is arranged in the second high-frequency power source (90). The controller (95) controls the second high-frequency power source (90) in a power modulation mode where power modulation is performed at a predetermined cycle between a first power at which polymer is deposited on a predetermined film of a wafer W and a second power at which etching of a predetermined film of the wafer W is performed.

Abstract translation: 上部电极（34）和下部电极（16）在能够被抽真空的处理容器（10）中相对配置。 上电极（34）连接到用于提供用于等离子体形成的高频电力的第一高频电源（48）。 下电极（16）连接到第二高频电源（90），用于施加用于离子吸收偏压的高频电力。 控制器（95）布置在第二高频电源（90）中。 控制器（95）以功率调制模式控制第二高频电源（90），在功率调制模式下，以聚合物沉积在晶片W​​的预定薄膜上的第一功率与第二高频电源 执行对晶片W的预定膜的蚀刻的功率。